发光元件及显示设备制造技术

发光元件(10)包括：具有发光区域的发光部(30)；第一光路控制单元(71)，从发光区域发出的光进入第一光路控制单元并且第一光路控制单元具有正的光焦度；第二光路控制单元(72)，从第一光路控制单元(71)发出的光进入第二光路控制单元并且第二光路控制单元具有正的光焦度；以及设置在第一光路控制单元(71)和第二光路控制单元(72)之间的接合构件(35)，其中第一光路控制单元(71)的光轴(LN1)与第二光路控制单元(72)的光轴(LN2)不同。)不同。)不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件及显示设备


[0001]本公开涉及发光元件和显示设备。

技术介绍

[0002]近年来，有机电致发光(EL)元件被用作发光元件的显示设备(有机EL显示设备)正在被开发。在作为该有机EL显示设备的组件的发光元件中，例如，至少包括发光层的有机层和第二电极(上电极，例如阴极电极)在针对每个像素单独形成的第一电极(下电极，例如阳极电极)上形成。此外，例如，发出白色光或红色光的有机层与红色滤色器层组合的红色发光元件、发出白色光或绿色光的有机层与绿色滤色器层组合的绿色发光元件，以及发出白色光或蓝色光的有机层与蓝色滤色器层组合的蓝色发光元件各自作为子像素设置，并且这些子像素被包括在一个像素中。来自有机层的光经由第二电极(上电极)输出到外部。此外，从例如JP 2008
‑
177109A中已知提供微透镜以便提高光输出耦合效率的结构，例如垂直地提供两个微透镜的结构。
[0003]引文列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:JP 2008
‑
177109 A

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]如上所述，垂直提供两个微透镜使得能够增强从有机EL元件发出的光的利用效率。然而，需要进一步增强从有机EL元件发出的光的利用效率的技术。
[0008]因此，本公开的目的是提供一种具有能够进一步增强正面光输出耦合效率的配置和结构的发光元件，以及包括该发光元件的显示设备。
[0009]问题解决方案
[0010]为了解决上述问题，本公开的发光元件包括：
[0011]发光部，包括发光区域；
[0012]第一光路控制单元，从发光区域发出的光入射在第一光路控制单元上，第一光路控制单元具有正的光焦度；
[0013]第二光路控制单元，从第一光路控制单元出射的光进入到第二光路控制单元，第二光路控制单元具有正的光焦度；以及
[0014]接合构件，介于第一光路控制单元和第二光路控制单元之间，其中
[0015]第一光路控制单元的光轴从第二光路控制单元的光轴偏移。
[0016]为了解决上述问题，本公开的显示设备包括：
[0017]第一基板与第二基板；以及
[0018]多个发光元件单元，每个发光元件单元包括设置在第一基板上的第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，其中
[0019]每个发光元件包括：
[0020]发光部，被设置在第一基板上方，发光部包括发光区域；
[0021]第一光路控制单元，从发光区域发出的光进入到第一光路控制单元，第一光路控制单元具有正的光焦度；
[0022]第二光路控制单元，从第一光路控制单元出射的光进入到第二光路控制单元，第二光路控制单元具有正的光焦度；以及
[0023]接合构件，介于第一光路控制单元和第二光路控制单元之间，以及
[0024]第一光路控制单元的光轴从第二光路控制单元的光轴偏移。
[0025]注意，在本公开的显示设备的所有发光元件中，第一光路控制单元的光轴从第二光路控制单元的光轴偏移。
附图说明
[0026]图1是示例1的发光元件和显示设备的示意性局部截面图。
[0027]图2A是示意性图示第一光路控制单元和第二光路控制单元之间的布置关系的图。
[0028]图2B是示意性图示第一光路控制单元和第二光路控制单元之间的布置关系的图。
[0029]图2C是示意性图示第一光路控制单元和第二光路控制单元之间的布置关系的图。
[0030]图3是图示在第一方向上D
01
＝0μm、D
12
＝0μm、0.5μm和1.0μm的情况下确定正面亮度的仿真结果的图。
[0031]图4是图示在第二方向上D
01
＝0μm、D
12
＝0μm、0.5μm和1.0μm的情况下确定正面亮度的仿真结果的图。
[0032]图5是图示在第一方向和第二方向的每一个上D
01
＝0μm以及D
12
＝0μm、0.5μm和1.0μm的情况下确定正面亮度的仿真结果的图。
[0033]图6是图示在第一方向上D
01
＝0μm、D
12
＝0μm、D
12
＝0.5μm以及D
12
＝1.0μm的情况下的仿真结果的图。
[0034]图7是图示在第二方向上D
01
＝0μm、D
12
＝0μm、D
12
＝0.5μm以及D
12
＝1.0μm的情况下的仿真结果的图。
[0035]图8是图示在第一方向和第二方向的每一个上D
01
＝0μm、D
12
＝0μm、D
12
＝0.5μm以及D
12
＝1.0μm的情况下的仿真结果的图。
[0036]图9是示例1的发光元件和显示设备的变形例
‑
1的示意性局部截面图。
[0037]图10是示例1的发光元件和显示设备的变形例
‑
2的示意性局部截面图。
[0038]图11是示例1的发光元件和显示设备的变形例
‑
3的示意性局部截面图。
[0039]图12是示例1的发光元件和显示设备的变形例
‑
4的示意性局部截面图。
[0040]图13是示例1的发光元件和显示设备的变形例
‑
5的示意性局部截面图。
[0041]图14是示例1的发光元件和显示设备的变形例
‑
6的示意性局部截面图。
[0042]图15是示例1的发光元件和显示设备的变形例
‑
7的示意性局部截面图。
[0043]图16A是示意性图示示例1的显示设备中的发光元件的布置的图。
[0044]图16B是示意性图示示例1的显示设备中的发光元件的布置的图。
[0045]图16C是示意性图示示例1的显示设备中的发光元件的布置的图。
[0046]图16D是示意性图示示例1的显示设备中的发光元件的布置的图。
[0047]图16E是示意性图示示例1的显示设备中的发光元件的布置的图。
[0048]图17是示例2的发光元件的示意性局部截面图。
[0049]图18是为了说明来自示例2的发光元件的光的行为的发光元件的示意性局部截面图。
[0050]图19A是示例2的发光元件的变形例的示意性局部端视图。
[0051]图19B是示例2的发光元件的变形例的示意性局部端视图。
[0052]图20A是为了说明制造图17中示出的示例2的发光元件的方法的基底等的示意性局部端视图。
[0053]图20B是为了说明制造图17中示出的示例2的发光元件的方法的基底等的示意性局部端视图。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：发光部，包括发光区域；第一光路控制单元，从所述发光区域发出的光入射在所述第一光路控制单元上，所述第一光路控制单元具有正的光焦度；第二光路控制单元，从第一光路控制单元射出的光进入到所述第二光路控制单元，所述第二光路控制单元具有正的光焦度；以及接合构件，介于第一光路控制单元和第二光路控制单元之间，其中第一光路控制单元的光轴从第二光路控制单元的光轴偏移。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中第一光路控制单元的光轴经过所述发光区域的中心。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中所述接合构件存在于第一光路控制单元的顶部与第二光路控制单元的顶部之间。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中第一光路控制单元的顶部与第二光路控制单元的顶部彼此接触。5.根据权利要求1所述的发光元件，其中当包括在第一光路控制单元中的材料的折射率由n1表示，包括在第二光路控制单元中的材料的折射率由n2表示，并且包括在所述接合构件中的材料的折射率由n0表示时，n1>n0以及n2>n0被满足。6.根据权利要求1所述的发光元件，在所述发光部与第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：松崎康二，金内洁，田中幸治，元山阳介，杉山浩平，滨地柱元，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：