发光装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:35203095 阅读:15 留言:0更新日期:2022-10-15 10:12
该发光装置配备有:发光区域,包括被布置成矩阵的发光元件;并且包括作为与各个发光元件对应形成并且被设计成对光的出射方向进行调整的光学元件,光学元件形成为使得滤色器层与透光层中的一者构成入射侧下层部并且另一者构成出射侧上层部,并且下层部与上层部的至少一部分暴露在与外界的界面上。少一部分暴露在与外界的界面上。少一部分暴露在与外界的界面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置和电子设备


[0001]本公开涉及发光装置和电子设备。

技术介绍

[0002]电流驱动型的发光元件和包括这种发光元件的发光装置是众所周知的。例如,由有机电致发光元件构成的发光元件作为通过低压直流驱动能够高强度发光的发光元件已经引起关注。
[0003]包括由布置成矩阵的发光元件构成的发光区域的发光装置用于例如发射可见光以显示图像的目的,或用于以预定图案发射红外光来测距的目的。在安装在诸如眼镜或护目镜的眼镜上并显示图像的发光装置中,除了采用尺寸约为几微米至10微米的发光元件之外,还需要增加亮度。例如,专利文献1提出了通过在发光区域上形成由滤色器构成的微透镜阵列来提高光提取效率。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本专利申请公开号2013

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技术实现思路

[0007]本专利技术要解决的问题
[0008]在由滤色器构成的微透镜中,在与出射光的方向的调整(诸如光收集和发散)相关的特征与与预定波长的光的有效提取相关的特征之间实现适当平衡的挑战仍然存在。即,为了确保透镜焦度,需要在一定程度上增加滤色片的厚度,但是这降低了提取预定波长的光的效率。
[0009]因此,本公开的目的是提供能够实现与出射光的方向的调整相关的特性和与预定波长的光的有效提取相关的特性之间的适当平衡的发光装置,以及包括这种发光装置的电子设备。
[0010]问题的解决方案
[0011]为了实现上述目的,根据本公开的发光装置包括:
[0012]发光区域,由布置成矩阵的发光元件构成,
[0013]其中包括作为以对应于发光元件的方式形成并且被配置为调整出射光的方向的光学元件的光学元件,光学元件以如下方式形成:滤色器层和透明层中的一者形成为构成入射侧上的下层部并且另一者形成为构成出射侧上的上层部,并且上层部和下层部的至少一部分形成为暴露于与外部的界面。
[0014]为了实现上述目的,根据本公开的电子设备包括发光装置,所述发光装置包括:
[0015]发光区域,由布置成矩阵的发光元件构成;
[0016]其中包括作为以对应于发光元件的方式形成并且被配置为调整出射光的方向的光学元件的光学元件,该光学元件以如下方式形成:滤色器层和透明层中的一者形成为构
成入射侧上的下层部并且另一者形成为构成出射侧上的上层部,并且上层部和下层部的至少一部分形成为暴露于与外部的界面。
附图说明
[0017]图1是用于说明根据第一实施方式的发光装置的示意性平面图。
[0018]图2是用于说明发光装置的结构的基板等的示意性局部剖视图。
[0019]图3是用于说明由光学元件对出射光的方向进行调整的基板等的示意性局部剖视图。
[0020]图4A、图4B、图4C、图4D和图4E是用于示出光学元件的形状的示意性俯视图。
[0021]图5A、图5B、图5C、图5D和图5E是用于示出图4E之后的光学元件的形状的示意性俯视图。
[0022]图6A和图6B是用于说明制造根据第一实施方式的发光装置的方法的基板等的示意性局部横截面图。
[0023]图7是继图6B之后用于图示制造根据第一实施方式的发光装置的方法的基板等的示意性局部横截面图。
[0024]图8是继图7之后用于说明第一实施方式的发光装置的制造方法的基板等的概略局部剖视图。
[0025]图9是继图8之后用于示出制造根据第一实施方式的发光装置的方法的基板等的示意性局部横截面图。
[0026]图10是用于说明根据第一实施方式的第一变形例的发光装置的基板等的示意性局部截面图。
[0027]图11是用于说明根据第一实施方式的第二变形例的发光装置的基板等的示意性局部截面图。
[0028]图12是用于说明第一实施方式的第三变形例的发光装置的基板等的概略局部剖视图。
[0029]图13是用于说明第一实施方式的第四变形例的发光装置的基板等的概略局部剖视图。
[0030]图14是用于说明根据第一实施方式的第五变形例的发光装置的基板等的示意性局部截面图。
[0031]图15是用于说明第一实施方式的第六变形例的发光装置的基板等的概略局部剖视图。
[0032]图16是用于说明根据第一实施方式的第七变形例的发光装置的基板等的示意性局部截面图。
[0033]图17是用于示出根据第一实施方式的第八变形例的发光装置的基板等的示意性局部横截面图。
[0034]图18是用于说明根据第一实施方式的第九变形例的发光装置的示意性平面图。
[0035]图19是用于说明第一实施方式的第九变形例的发光装置的基板等的概略局部剖视图。
[0036]图20是用于示出根据第二实施方式的发光装置的基板等的示意性局部截面图。
[0037]图21是用于说明根据第二实施方式的发光装置的制造方法的基板等的示意性局部截面图。
[0038]图22是继图21之后用于示出制造根据第二实施方式的发光装置的方法的基板等的示意性局部横截面图。
[0039]图23是继图22之后用于示出制造根据第二实施方式的发光装置的方法的基板等的示意性局部截面图。
[0040]图24是继图23之后用于说明第二实施方式的发光装置的制造方法的基板等的概略局部剖视图。
[0041]图25是用于说明根据第三实施方式的发光装置的基板等的示意性局部截面图。
[0042]图26是用于说明根据第四实施方式的发光装置的基板等的示意性局部横截面图。
[0043]图27是具有可更换镜头的单镜头反射式数码相机的外观图,其中图27A示出了其前视图,图27B示出了其后视图。
[0044]图28是头戴式显示器的外观图。
[0045]图29是透视头戴式显示器的外观图。
具体实施方式
[0046]下面将基于实施方式参照附图来描述本公开。本公开不限于这些实施方式,并且实施方式中的各种数值和材料是实例。在以下描述中,在没有冗余描述的情况下,相同的元件或具有相同功能的元件将由相同的参考标号表示。注意,将按照以下顺序进行描述。
[0047]1.涉及根据本公开的发光装置和电子设备的总体描述
[0048]2.第一实施方式和各种变形例
[0049]3.第二实施方式
[0050]4.第三实施方式
[0051]5.第四实施方式
[0052]6.电子设备的描述
[0053]7.其他
[0054][涉及根据本公开的发光装置和电子设备的总体描述][0055]如上所述,根据本公开的发光装置和在根据本公开的电子设备中使用的发光装置(在下文中,这些可以被简称为“本公开的发光装置”)包括:
[0056]发光区域,由布置成矩阵的发光元件构成,
[0057]其中包括作为以对应于发光元件的方式形成并且被配置为调整出射光的方向的光学元件本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光装置,包括:发光区域,由布置成矩阵的发光元件构成;其中包括作为以对应于所述发光元件的方式形成并且被配置为调整出射光的方向的光学元件的光学元件,所述光学元件以如下方式形成:滤色器层和透明层中的一者形成为构成入射侧上的下层部并且另一者形成为构成出射侧上的上层部,并且所述上层部和所述下层部的至少一部分形成为暴露于与外部的界面。2.根据权利要求1所述的发光装置,包括:所述光学元件,其中,所述滤色器层形成为构成所述入射侧上的所述下层部,并且所述透明层形成为构成所述出射侧上的所述上层部。3.根据权利要求2所述的发光装置,其中,不同类型的滤色器层以在彼此相邻的每个光学元件之间的区域层压的方式形成。4.根据权利要求1所述的发光装置,包括:所述光学元件,其中,所述透明层被形成为构成所述入射侧上的所述下层部并且所述滤色器层被形成为构成所述出射侧上的所述上层部。5.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述光学元件在所述上层部和所述下层部之间具有平面或弯曲的界面。6.根据权利要求1所述的发光装置,进一步包括:光学元件,完全由滤色器层或透明层形成。7.根据权利要求1所述的发光装置,其中,所述滤色器层包括构成着色材料和/或量子点的微粒。8.根据权利要求1所述的发光装置,其中,透明保护膜形成在包括所述光学元件的整个表面上。9.根据权利要求8所述的发光装置,其中,所述保护膜由具有与构成所述光学元件的材料的折射率不同的折射率的材料形成。10.根据权利要求1所述的发光...

【专利技术属性】
技术研发人员:高木昭纲
申请(专利权)人:索尼集团公司
类型:发明
国别省市:

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