热处理系统及温度测量方法技术方案

本公开提供了一种热处理系统和温度测量方法。该热处理系统包括用于测量工件在热处理的过程中的温度的测量系统，该测量系统包括向工件的第一表面发射具有第一波长的脉冲光线的发射器，以及第一探测器，该第一探测器可根据接收的第一表面反射的脉冲光线来测量工件的反射率，并且可根据第一表面辐射的具有第一波长的连续光线来分别测量工件的辐射强度。此外，该系统还包括处理单元，处理单元可根据反射率和第一表面的辐射强度确定第一表面的温度。根据本公开的热处理系统所包括的测量系统能够提高处于热处理工艺中的工件的表面温度的测量精度。的测量精度。的测量精度。

【技术实现步骤摘要】
热处理系统及温度测量方法


[0001]本公开涉及半导体处理领域，尤其涉及用于例如半导体工件的热处理系统及温度测量方法。

技术介绍

[0002]热处理工艺用于工件(例如，半导体工件)的加热处理。如本文所使用的热处理系统是指用于执行热处理工艺来加热工件(例如，半导体晶片)的装置。这种装置通常可包括用于加热工件的热源，例如加热灯、激光器或其它热源。许多热处理工艺需要在一定温度范围内加热工件，使得工件发生各种化学和物理转变。例如，在快速热处理过程中，工件可以在通常少于数分钟的持续时间内被加热到约200℃至约1200℃的温度。在这些过程中，准确地测量工件的温度显得尤为重要。

技术实现思路

[0003]本公开的实施例的方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或者可以从描述中得知，或者可以通过实施例的实践得知。
[0004]本公开的一个示例性方面涉及一种热处理系统，包括用于测量工件在热处理的过程中的温度的测量系统，该温度测量系统包括：发射器，该发射器可配置为在热处理过程中向工件的第一表面发射具有第一波长的脉冲光线。该温度测量系统还包括第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热处理系统，包括用于测量工件在热处理的过程中的温度的测量系统，所述测量系统包括：发射器，配置为向所述工件的第一表面发射具有第一波长的脉冲光线；第一探测器，配置为根据接收的所述第一表面反射的所述脉冲光线测量所述工件的反射率，并配置为根据接收的所述第一表面辐射的具有所述第一波长的连续光线测量所述第一表面的辐射强度，其中，所述脉冲光线的频率与所述连续光线的频率不同；以及处理单元，配置为至少根据所述反射率和所述第一表面的辐射强度确定所述第一表面的温度。2.根据权利要求1所述的热处理系统，还包括：第二探测器，配置为根据接收的第二表面透射的所述脉冲光线测量所述第二表面的透射率，所述第二表面为所述工件中与所述第一表面相对的表面；其中，所述处理单元配置为根据所述反射率、所述透射率和所述第一表面的辐射强度确定所述第一表面的温度。3.根据权利要求2所述的热处理系统，其中，所述第二探测器配置为在所述热处理的温度为200℃～800℃的情况下，根据接收的所述第二表面透射的具有所述第一波长的脉冲光线测量所述第二表面的透射率。4.根据权利要求1所述的热处理系统，其中，所述处理单元配置为在所述热处理的温度为600℃～1200℃的情况下，根据所述反射率和所述第一表面的辐射强度确定所述第一表面的温度。5.根据权利要求2所述的热处理系统，其中，所述第二探测器还配置为根据接收的所述第二表面辐射的所述连续光线测量所述第二表面的辐射强度；以及所述处理单元还配置为根据所述反射率、所述透射率和所述第二表面的辐射强度确定所述第二表面的温度。6.根据权利要求1所述的热处理系统，还包括：温度传感器，配置为在热处理的温度为600℃～1200℃的情况下，根据接收的所述工件的与所述第一表面相对的第二表面辐射的具有所述第二波长的光线指示所述第二表面的温度，其中，所述第二波长与所述第一波长不同。7.根据权利要求1所述的热处理系统，还包括：辐射热源，配置为在所述热处理的过程中，从靠近所述第一表面的一侧和第二表面的一侧，向所述工件发射波长处于预设波长范围内的光线，其中，所述第二表面为所述工件中与所述第一表面相对的表面；以及电介质窗口，设置于所述辐射热源和所述工件之间。8.根据权利要求7所述的热处理系统，其中，用于所述电介质窗口的材料包括石英，所述石英掺杂吸收基团，所述吸收基团用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文岩，余飞，冀建民，
申请(专利权)人：北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：