【技术实现步骤摘要】
一种冲洗组合物及其光刻胶图案形成方法
[0001]本专利技术涉及光刻胶
,尤其涉及半导体器件制造中的光刻工艺。
技术介绍
[0002]光刻工艺在半导体芯片制造中起着至关重要的作用,主要包括光刻胶旋涂,曝光,显影和清洗等步骤。28nm之前的光刻工艺,显影后直接用超纯水做旋干处理后即可进入下道工序。但随着技术节点和集成度的快速提高,图案的极限细微化不仅对光刻胶的性能提出更高的要求,同时对显影后光刻胶图案的要求也变得更为苛刻。尤其是28nm及以下工艺节点,随着线宽的极度缩小和深宽比的增大,很容易因光刻胶图案的倒塌而造成缺陷,此外,曝光后的线边缘粗糙度LER(line edge roughness)和线宽粗糙度LWR(line width roughness)也需要更为精准的控制,以避免良品率恶化。
技术实现思路
[0003]为了进一步降低光刻胶图案倒塌率和改善图案粗糙度,以形成更为精细和完整的光刻胶图案,达到工艺要求的技术指标,提升良品率和可靠性,本专利技术提供一种冲洗组合物,包括含氟表面活性剂、含有羟基的水
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种冲洗组合物,其特征在于,包括含氟表面活性剂、含有羟基的水溶性物质和水。2.根据权利要求1所述的冲洗组合物,其特征在于,所述含氟表面活性剂为全氟聚醚基非离子表面活性剂,化学结构如下所示:,其中n为0或1,m为22
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90的整数。3.根据权利要求1所述的冲洗组合物,其特征在于,所述含有羟基的水溶性物质为EO/PO嵌段聚醚,聚乙二醇,C5~C10直链或带有支链的醇类中的一种。4.根据权利要求3所述的冲洗组合物,其特征在于,所述聚乙二醇分子量为200
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600;C5~C10直链或带有支链的醇类为2
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乙基己醇、庚醇、辛醇、壬醇中的一种或多种。5.根据权利要求1
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4任一项所述的冲洗组合物,其特征在于,所述含氟表面活性剂在冲洗组合物中的含量为0.02
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0.1wt%。6.根据权利要求1
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...
【专利技术属性】
技术研发人员:李永斌,陈志鹏,黄玉伟,魏玉凤,
申请(专利权)人:甘肃华隆芯材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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