【技术实现步骤摘要】
用于内存访问的集成电路、处理方法、电子设备和介质
[0001]本公开涉及半导体技术,尤其是一种用于内存访问的集成电路、处理方法、电子设备和介质。
技术介绍
[0002]在智能驾驶领域,智能驾驶芯片的DDR(Double Data Rate SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory),双倍速率同步动态随机存储器)主要用于智能驾驶的感知预测功能,该功能当前对于功能安全等级的要求是ASILB(Automotive Safety Integrity Level B,汽车安全完整性等级B),但随着智能驾驶功能中安全等级为ASILD(Automotive Safety Integrity Level D,汽车安全完整性等级D)的控制和决策功能的算法的演进,控制和决策功能算法需要的算力和存储需求越来越大,通过处理器(或处理器内部的核(Core))和RAM进行控制和决策算法的开发存在存储不够的问题,导致较高安全等级功能对应的较高安全等级存储不足。
技术实现思路
[0003]为了解决上述较高安全等级功能对应的较高安全等级存储不足等技术问题,提出了本公开。本公开的实施例提供了一种用于内存访问的集成电路、处理方法、电子设备和介质。
[0004]根据本公开实施例的一个方面,提供了一种用于内存访问的集成电路,包括:第一位宽转换模块,用于将处理器的第一写访问信号中的原待写数据按照第一预设转换方式转换为包括两份所述原待写数据的目标待写数据,基于所述目标待写数据确定转换后的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于内存访问的集成电路,包括:第一位宽转换模块,用于将处理器的第一写访问信号中的原待写数据按照第一预设转换方式转换为包括两份所述原待写数据的目标待写数据,基于所述目标待写数据确定转换后的第二写访问信号;第一内存控制模块,与所述第一位宽转换模块连接,用于将所述第二写访问信号中的所述目标待写数据转换为满足内存物理层接口所支持的第一协议的至少一组第一待写数据,基于每组所述第一待写数据确定对应的一组第三写访问信号,每组所述第一待写数据包括分别来自两份所述原待写数据的两份相同的第一待写数据,每组所述第三写访问信号包括两路第三写访问信号;内存物理层接口,与所述第一内存控制模块连接,用于将每组所述第三写访问信号转换为满足内存协议的两路第四写访问信号,并将各所述第四写访问信号传输至其对应的内存模块。2.根据权利要求1所述的集成电路,还包括:第二内存控制模块,与所述第一位宽转换模块连接,用于将所述第二写访问信号中的所述目标待写数据转换为满足内存物理层接口所支持的第一协议的至少一组第二待写数据,基于每组所述第二待写数据确定对应的一组第五写访问信号,每组所述第二待写数据包括分别来自两份所述原待写数据的两份相同的第二待写数据,每组所述第五写访问信号包括两路第五写访问信号;第一比较模块,分别与所述第一内存控制模块和所述第二内存控制模块连接,用于将各组所述第三写访问信号与各组所述第五写访问信号进行比较,响应于比较结果为不一致,输出错误信号。3.根据权利要求2所述的集成电路,还包括:第二位宽转换模块和读数据校验模块;所述内存物理层接口,还用于分别从第一内存模块、第二内存模块获取至少一组第一数据,将所述至少一组第一数据中的每组第一数据转换为满足所述第一协议的一组第二数据,将各组所述第二数据传输至所述第一内存控制模块,每组所述第一数据包括第一读数据和第二读数据,每组所述第二数据包括与所述第一读数据对应的第三读数据和与所述第二读数据对应的第四读数据;所述第一内存控制模块,还用于将各组所述第二数据转换为满足所述第二位宽转换模块所支持的第二协议的第三数据,将所述第三数据传输至所述第二位宽转换模块;所述第二位宽转换模块,用于按照第二预设转换方式对所述第三数据进行位宽转换,获得第四数据和第五数据,将所述第四数据传输至处理器;所述读数据校验模块,用于将所述第四数据和所述第五数据进行比较,响应于比较结果为不一致,输出错误信号。4.根据权利要求3所述的集成电路,其中,所述读数据校验模块包括:预设数量的异或电路,第n个所述异或电路的两个输入分别为所述第四数据的第n位的值和所述第五数据的第n位的值,每个所述异或电路用于响应于两个输入的值不同,输出为1,响应于两个输入的值相同,输出为0,所述预设数量与所述第四数据的位宽相同;或电路,输入端分别与各所述异或电路的输出端连接,所述或电路用于响应于任一所述异或电路的输出为1,输出错误信号。
5.根据权利要求2所述的集成电路,还包括:第一延迟模块,分别与所述第一内存控制模块和所述第一比较模块连接,用于将所述第一内存控制模...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈君成,李世贤,张杰,李建军,余洪敏,
申请(专利权)人:地平线上海人工智能技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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