太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开一种太阳能电池，包括基板、反射层、缓冲层、第一导电层、第二导电层、第一电池单元以及第二电池单元。其中，反射层是设置于基板上，第一电池单元设置于反射层上，缓冲层设置于第一电池单元上，第一导电层设置于缓冲层上。至于第二电池单元是设置于第一导电层上，其中在第一与第二电池单元中，接近缓冲层的是相同极性的半导体层，而远离缓冲层的也是相同极性的半导体层。第二导电层则是设置于第二电池单元上。由于本发明专利技术结构上的排列，可等效于两单一太阳能电池并联，所以可借此提升光利用率，以增加光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种太阳能电池(solar cell)，且特别是有关于一种可增加光 电转换效率(photoelectric conversion efficiency )的太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池应用的范围非常广，大致可应用于电力(如大功率发电系统、家 庭发电系统等)、通讯(如无线电力、无线通讯等)、消费性电子产品(如计算机、 手表、电动玩具、收音机等)、交通运输(如汽车、船舶、交通号志、道路照明、 灯塔等)、农业(如抽水机、灌溉等)。而太阳能电池的原理是将高纯度的半导体材料加入一些不纯物使其呈现 不同的性质，以形成p型半导体及n型半导体，并将pn两型半导体相接合， 如此即可形成一 p-n结。而p-n结是由带正电的施体离子与带负电的受体离子 所组成，在所述正、负离子所在的区域内，存在着一个内建电位(built-in potential)。此一内建电位可驱赶在此区域中的可移动载子，故此区域称的为耗 尽区(depletion region)。当太阳光照射到一个p-n结构的半导体时，光子所提供 的能量可能会把半导体中的电子激发出来，产生电子-空穴对，电子与空穴均会 受到内建电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，包括：　一基板；　一反射层，设置于该基板上；　一第一电池单元，设置于该反射层上；　一缓冲层，设置于该第一电池单元上；　一第一导电层，设置于该缓冲层上；　一第二电池单元，设置于该第一导电层上 ，其中在该第一电池单元与该第二电池单元中，接近该缓冲层的是相同极性的半导体层，而远离该缓冲层的是相同极性的半导体层；以及　一第二导电层，设置于该第二电池单元上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林宜平，吴泉毅，丘绍裕，吕绍麟，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]