模制互连器件制造技术

提供了一种模制互连器件，其包括衬底和设置在衬底上的导电元件。衬底包括聚合物组合物，聚合物组合物包含包括热致性液晶聚合物的聚合物基质和每100重量份聚合物基质约10重量份至约80重量份。矿物填料的平均直径为约25微米或更小。聚合物组合物包含约1,000ppm或更少的量的铜和约2,000ppm或更少的量的铬，并且还表现出根据IEC62631

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】模制互连器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求序列号为63/057,345(申请日为2020年7月28日)、63/057,349(申请日为2020年7月28日)、63/057,353(申请日为2020年7月28日)的美国临时专利申请和序列号为17/178,292(申请日为2021年2月18日)、17/178,295(申请日为2021年2月18日)、17/178,312(申请日为2021年2月18日)和17/184,948(申请日为2021年2月25日)的美国专利申请的申请权益，通过引用将其全部并入本文。

技术介绍

[0003]为了形成各种电子部件，通常形成包含塑料衬底的模制互连器件(MID，molded interconnect device)，在该塑料衬底上形成导电元件或路径。因此，此类MID器件是具有集成印刷导体或电路布局的三维模制品。MID通常使用激光直接成型(“LDS”，laser direct structuring)工艺来形成，在此工艺中，计算机控制的激光束在塑料衬底上传播，以在导电路径所处的位置激活其表面。已经提出各种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种模制互连器件，包括：衬底，所述衬底包括聚合物组合物，所述聚合物组合物包含包括热致性液晶聚合物的聚合物基质和每100重量份所述聚合物基质约10重量份至约80重量份的矿物填料，其中所述矿物填料的平均直径为约25微米或更小，其中所述聚合物组合物包含约1,000ppm或更少的量的铜和约2,000ppm或更少的量的铬，并且进一步地其中所述聚合物组合物表现出根据IEC62631
‑3‑
1:2016测定的约1
×
10
14
欧姆或更大的表面电阻率；以及设置在所述衬底上的导电元件。2.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述聚合物组合物不含式为AB2O4的尖晶石晶体，其中A是2价的金属阳离子并且B是3价的金属阳离子。3.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述聚合物组合物不含亚铬酸铜。4.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述聚合物组合物表现出根据IEC62631
‑3‑
1:2016测定的约1
×
10
12
欧姆
‑
米或更大的体积电阻率。5.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述聚合物组合物表现出根据IEC62631
‑3‑
1:2016测定的约1
×
10
16
欧姆或更大的表面电阻率。6.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述聚合物组合物不含本征体积电阻率小于约0.1欧姆
‑
厘米的导电填料。7.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述聚合物组合物不含导电碳材料。8.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述聚合物基质占所述聚合物组合物的约30wt.％至约80wt.％。9.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述液晶聚合物具有约280℃或更高的熔融温度。10.根据权利要求1所述的模制互连器件，其中所述液晶聚合物包含一种或多种衍生自芳香族羟基羧酸的重复单元，其中所述羟基羧酸的重复单元占所述聚合物的约40mol.％或更多。11.根据权利要求10所述的模制互连器件，其中所述液晶聚合物包含衍生自4
‑
羟基苯甲酸、6
‑
羟基
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萘甲酸或其组合的重复单元。12.根据权利要求11所述的模制互连器件，其中所述液晶聚合物包含所述聚合物的约30mol.％至约90mol.％的量的衍生自4
‑
羟...

【专利技术属性】
技术研发人员：金荣申，
申请(专利权)人：提克纳有限责任公司，
类型：发明
国别省市：