一种提高膜层离子清洁效果的结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种提高膜层离子清洁效果的结构，包括支撑组件、设置在支撑组件内的磁体、设置在支撑组件内的气体通道、与磁体的第一磁极连接的第一导磁板及与磁体的第二磁极连接的第二导磁板；第一导磁板与第二导磁板相对设置在气体通道的出气口以形成等离子体区域，第一导磁板、第二导磁板面向膜层的一端位于同一平面上，第一导磁板面向第二导磁板的一侧设有第一导磁面，第二导磁板面向第一导磁板的一侧设有第二导磁面，第一导磁面、第二导磁面对称设置在出气口的两侧且与平面之间的夹角为30度。本实用新型专利技术提供的提高膜层离子清洁效果的结构，可以提高离子清洗效果，提高膜层附着力。膜层附着力。膜层附着力。

【技术实现步骤摘要】
一种提高膜层离子清洁效果的结构


[0001]本技术涉及磁控溅射
，特别涉及一种提高膜层离子清洁效果的结构。

技术介绍

[0002]锂电电动汽车已成为未来汽车主流，但锂电池的安全性和能量密度饱受市场诟病，一直阻碍着电动汽车的发展，而新型复合铜箔，相较于传统铜箔，在安全和能量密度上的突破，给电动汽车的普及带来了新的曙光。
[0003]目前复合铜箔的复合材料层，主要为PET和BOPP，由于两种材料分子结构不同，导致其最终性能有很大区别。在目前复合铜箔的主流的两步制造法(磁控+水镀)成品中，PET附着力还可以，而BOPP附着力却比较差，一般3M胶带都耐受不了，但BOPP的材料韧性较强，在使用寿命上又有不小的优势。
[0004]两步法中，由于水镀主要是增厚，所以BOPP的附着力主要受底层铜膜的影响，也就是磁控溅射铜。
[0005]磁控溅射中，采用线性离子源薄膜基片进行清洁，线性离子源主要原理为氩原子被电子撞击而电离，产生氩离子与电子。氩离子在直流电场作用下撞击基片而起到清洁作用；而电子被束缚在磁场跑道中，反复撞击氩原子，产生新的氩离子。直流电场由直流电源提供，正极接离子源本身，负极接基材后部的腔体，产生直流电场。通过磁铁在N极导磁板与S极导磁板形成的等离子体区域产生稳定的磁场，再由氩气提供稳定的氩原子来源。
[0006]为了提高膜层附着力，本技术因此而来。

技术实现思路

[0007]本技术目的是提供一种提高膜层离子清洁效果的结构，可以提高膜层的离子清洁效果。
[0008]基于上述问题，本技术提供的技术方案是：
[0009]一种提高膜层离子清洁效果的结构，包括支撑组件、设置在所述支撑组件内的磁体、设置在所述支撑组件内的气体通道、与所述磁体的第一磁极连接的第一导磁板及与所述磁体的第二磁极连接的第二导磁板；
[0010]所述第一导磁板与所述第二导磁板相对设置在所述气体通道的出气口以形成等离子体区域，所述第一导磁板、第二导磁板面向膜层的一端位于同一平面上，所述第一导磁板面向所述第二导磁板的一侧设有第一导磁面，所述第二导磁板面向所述第一导磁板的一侧设有第二导磁面，所述第一导磁面、第二导磁面对称设置在所述出气口的两侧且与所述平面之间的夹角为30度。
[0011]在其中的一些实施方式中，所述第一导磁板、第二导磁板的厚度为12mm。
[0012]在其中的一些实施方式中，所述支撑组件包括相对布置的两个支撑体，所述磁体布置在所述两个支撑体之间。
[0013]在其中的一些实施方式中，还包括与所述第二磁极连接的第三导磁板及连接所述第三导磁板与所述第二导磁板的第四导磁板，所述第三导磁板与所述第一导磁板平行布置。
[0014]在其中的一些实施方式中，还包括邻近所述气体通道的冷却组件。
[0015]在其中的一些实施方式中，所述冷却组件包括设置在所述气体通道的冷却管，所述冷却管内设有冷却水道。
[0016]在其中的一些实施方式中，所述冷却管为铜管。
[0017]在其中的一些实施方式中，还包括支撑所述冷却管的支撑件，所述支撑件与所述冷却管之间设有绝缘件。
[0018]与现有技术相比，本技术的优点是：
[0019]通过更改导磁板的导磁面与膜层基片之间的夹角，增加导磁面的面积，以增加氩离子产生的浓度，从而提高离子清洗的效果，提高膜层的附着力。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1为本技术一种提高膜层离子清洁效果的结构实施例的结构示意图；
[0022]图2为本技术实施例的工作状态示意图；
[0023]其中：
[0024]1、第一导磁板；1
‑
1、第一导磁面；
[0025]2、第二导磁板；2
‑
1、第二导磁面；
[0026]3、支撑体；
[0027]4、第三导磁板；
[0028]5、第四导磁板；
[0029]6、磁体；
[0030]7、支撑件；
[0031]8、冷却管；8
‑
1、冷却水道；
[0032]9、绝缘件；
[0033]10、气体通道。
具体实施方式
[0034]以下结合具体实施例对上述方案做进一步说明。应理解，这些实施例是用于说明本技术而不限于限制本技术的范围。实施例中采用的实施条件可以根据具体厂家的条件做进一步调整，未注明的实施条件通常为常规实验中的条件。
[0035]参见图1和图2，为本技术实施例的结构示意图，提供一种提高膜层离子清洁效果的结构，包括支撑组件、设置在支撑组件内的磁体6、设置在支撑组件内的气体通道10、与磁体6的第一磁极连接的第一导磁板1及与磁体6的第二磁极连接的第二导磁板2，本例
中，第一磁极为N极，第二磁极为S极。
[0036]第一导磁板1和第二导磁板2相对设置在气体通道10的出气口以形成等离子体区域，第一导磁板1与第二导磁板2面向膜层基片的一端位于同一平面上，该平面与膜层基片相互平行布置。在第一导磁板1面向第二导磁板2的一侧设有第一导磁面1
‑
1，第二导磁板2面向第一导磁板1的一侧设有第二导磁面2
‑
1，第一导磁面1
‑
1与第二导磁面2
‑
1对称布置在出气口的两侧且与平面之间具有夹角，优选的，该夹角为30度。相比与现有技术中的45度夹角，可以增加第一导磁面1
‑
1与第二导磁面2
‑
1的面积，从而增加氩离子的产生浓度，提高清洁效果。
[0037]本例中，第一导磁板1、第二导磁板2的厚度为12mm，现有技术中，导磁板的厚度为9mm，增加导磁板的厚度，可以进一步增加导磁面的面积。
[0038]支撑组件包括相对布置的两个支撑体3，磁体6布置在两个支撑体3之间。
[0039]本例中，还包括与第二磁极连接的第三导磁板4及连接第三导磁板4与第二导磁板2的第四导磁板5，第三导磁板4与第一导磁板1平行布置且位于支撑体3相对的两侧，在第一导磁板1的两侧分别设置第二导磁板2，每个第二导磁板2经第四导磁板5与第三导磁板4连接。从而，在第一导磁板1的两侧分别形成有等离子体区域。
[0040]为了对离子源整体结构进行降温，在支撑体3内邻近气体通道10的位置设有冷却组件，该冷却组件包括设置在气体通道10内冷却管8，冷却管8内设有冷却水道8
‑
1，优选的，冷却管8采用铜管，通过往冷却管8内通入冷水以对整个离子源结构进行冷却，防止磁体受高温而磁性减弱甚至消失。
[0041]为了便于安装冷却管8，在支撑体3内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高膜层离子清洁效果的结构，其特征在于：包括支撑组件、设置在所述支撑组件内的磁体、设置在所述支撑组件内的气体通道、与所述磁体的第一磁极连接的第一导磁板及与所述磁体的第二磁极连接的第二导磁板；所述第一导磁板与所述第二导磁板相对设置在所述气体通道的出气口以形成等离子体区域，所述第一导磁板、第二导磁板面向膜层的一端位于同一平面上，所述第一导磁板面向所述第二导磁板的一侧设有第一导磁面，所述第二导磁板面向所述第一导磁板的一侧设有第二导磁面，所述第一导磁面、第二导磁面对称设置在所述出气口的两侧且与所述平面之间的夹角为30度。2.根据权利要求1所述的提高膜层离子清洁效果的结构，其特征在于：所述第一导磁板、第二导磁板的厚度为12mm。3.根据权利要求1所述的提高膜层离子清洁效果的结构，其特征在于：所述支撑组件...

【专利技术属性】
技术研发人员：关治军，王亚晔，徐安，蔡达，徐小明，
申请(专利权)人：苏州胜利精密制造科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：