改善金属硅化物均匀性的方法技术

本发明专利技术提供一种改善金属硅化物均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有栅极层以及位于栅极层侧壁上的第一侧墙以及位于第一侧墙上的第二侧墙，对衬底进行源漏区的离子注入；其中，第二侧墙由自内而外的第一、二叠层组成；去除第二叠层，使得栅极层间的间距增大；在衬底上形成金属层，之后利用退火工艺和刻蚀工艺在栅极层间的衬底上形成金属硅化物。本发明专利技术扩大了栅极间距，可显著缩小填充深宽比，从而提升栅极间距较小设计结构的金属溅射薄膜的厚度均匀性，实现接触电阻的面内均匀性改善目标，提升了后续通孔工艺窗口，使产品工艺稳定性及良率得到改善。良率得到改善。良率得到改善。

【技术实现步骤摘要】
改善金属硅化物均匀性的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种改善金属硅化物均匀性的方法。

技术介绍

[0002]金属硅化物(Salicide)是通过金属和Si衬底发生反应形成的金属硅化物NiSi，主要功能是为了后续的接触孔和Si之间提供一个金属
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金属和金属
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半导体的欧姆接触，降低电阻。
[0003]NiSi一般是在形成源漏结后通过溅射一层过量的NiPt合金，再经过两次低温热处理形成低阻态的NiSi晶相。
[0004]NiSi的电阻严重影响CMOS器件性能，特别是在28nm工艺节点以后，而其阻值主要受工艺过程中形成的NiSi形貌影响。
[0005]实际生产过程中发现，图形效应对NiSi形貌影响巨大：栅极间距越小，所形成的NiSi体积越小，形貌越差，导致接触电阻更大，严重时会引起后续通孔刻蚀着陆异常，形成穿通问题，器件直接失效。
[0006]为解决上述问题，需要提出一种新型的改善金属硅化物均匀性的方法。

技术实现思路

[0007]鉴于以上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善金属硅化物均匀性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有栅极层以及位于所述栅极层侧壁上的第一侧墙以及位于所述第一侧墙上的第二侧墙，对所述衬底进行源漏区的离子注入；其中，所述第二侧墙由自内而外的第一、二叠层组成；步骤二、去除所述第二叠层，使得所述栅极层间的间距增大；步骤三、在所述衬底上形成金属层，之后利用退火工艺和刻蚀工艺在所述栅极层间的所述衬底上形成金属硅化物。2.根据权利要求1所述的改善金属硅化物均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述衬底为硅衬底。3.根据权利要求1所述的改善金属硅化物均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一侧墙的材料为SiCN。4.根据权利要求1所述的改善金属硅化物均匀性的方法，其特征在于：步骤一中的所述第一叠层的材料为二氧化硅。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄然，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：