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本发明提供一种改善金属硅化物均匀性的方法，提供衬底，衬底上形成有栅极层以及位于栅极层侧壁上的第一侧墙以及位于第一侧墙上的第二侧墙，对衬底进行源漏区的离子注入；其中，第二侧墙由自内而外的第一、二叠层组成；去除第二叠层，使得栅极层间的间距增大；...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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