预驱动电路及驱动装置制造方法及图纸

预驱动电路提供预驱动信号以驱动主驱动电路。预驱动电路包含第一晶体管、第二晶体管及电阻元件。第一晶体管的第一端耦合在第一电压，第一晶体管的第二端输出预驱动信号，以及第一晶体管的控制端接收第一控制信号。第二晶体管的第一端耦合在第一晶体管的第二端，第二晶体管的第二端耦合在第二电压，及第二晶体管的控制端接收第一控制信号。电阻元件的第一端耦合在第二晶体管的第一端，及电阻元件的第二端耦合在第二晶体管的第二端。第一晶体管及第二晶体管的其中一者为P型晶体管，且另一者为N型晶体管。型晶体管。型晶体管。

【技术实现步骤摘要】
预驱动电路及驱动装置


[0001]本公开是有关于一种预驱动电路，特别是一种能够提供低摆幅信号以驱动主驱动电路的预驱动电路。

技术介绍

[0002]由于电源驱动电路常用来控制较大的电压或电流输出，因此为了能够有效且迅速地控制电源驱动电路，常会使用预驱动电路来产生控制信号以控制电源驱动电路。在先前技术中，预驱动电路常会利用反相器来实作。然而，反相器的输出一般会在其电源电压及地电压之间以全摆幅(full swing)的方式输出，导致信号变化的瞬间，会对系统造成较大的不稳定性。
[0003]举例来说，若预驱动电路及电源驱动电路是使用相同的电源电压及地电压，则在反相器的输入信号产生变动，而反相器以全摆幅的方式改变预驱动信号的过程中，预驱动电路及电源驱动电路就可能会产生漏电流，并使电源电压或地电压产生杂讯，从而影响系统的稳定性。因此，如何确实控制电源驱动电路，并维持系统的稳定性，已成为有待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本公开的实施例提供一种用以提供预驱动信号以驱动主驱动电路的预驱动电路。预驱动电路包含第一晶体管、第二晶体管及电阻元件。第一晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一晶体管的第一端耦合在第一电压，第一晶体管的第二端用以输出预驱动信号，及第一晶体管的控制端用以接收第一控制信号。第二晶体管具有第一端、第二端及控制端，第二晶体管的第一端耦合在第一晶体管的第二端，第二晶体管的第二端耦合在第二电压，及第二晶体管的控制端用以接收第一控制信号。电阻元件具有第一端及第二端，电阻元件的第一端耦合在第二晶体管的第一端，及电阻元件的第二端耦合在第二晶体管的第二端。第一晶体管及第二晶体管的其中一者为P型晶体管，且另一者为N型晶体管。
[0005]本公开的另一实施例提供一种驱动装置。驱动装置包含第一预驱动电路及主驱动电路。第一预驱动电路包含第一晶体管、第二晶体管及第一电阻元件。第一晶体管具有第一端、第二端及控制端，第一晶体管的第一端耦合在第一电压，第一晶体管的第二端用以输出预驱动信号，及第一晶体管的控制端用以接收第一控制信号。第二晶体管具有第一端、第二端及控制端，第二晶体管的第一端耦合在第一晶体管的第二端，第二晶体管的第二端耦合在第二电压，及第二晶体管的控制端用以接收第一控制信号。第一电阻元件具有第一端及第二端，第一电阻元件的第一端耦合在第二晶体管的第一端，及第一电阻元件的第二端耦合在第二晶体管的第二端。主驱动电路包含第三晶体管。第三晶体管具有第一端、第二端及控制端，第三晶体管的第一端用以接收电源，第三晶体管的第二端用以输出第一输出信号，及第三晶体管的控制端用以接收第一预驱动信号。该第一晶体管及该第二晶体管的其中一者为P型晶体管，且另一者为N型晶体管。
[0006]由于本公开的实施例所提供的预驱动电路及驱动装置可以根据控制信号产生信号电压摆幅较小的预驱动信号以驱动主驱动电路，因此可以减少预驱动电路所产生的电流纹波，从而减少系统电压激烈摆动的情况。
附图说明
[0007]图1是本公开的实施例的驱动装置的示意图。
[0008]图2为图1的第一预驱动电路在第一控制信号处于低逻辑电平时的等效电路。
[0009]图3是本公开的另一实施例的驱动装置的示意图。
[0010]图4是本公开的另一实施例的驱动装置的示意图。
[0011]图5为图4的第三预驱动电路在第一控制信号处于高逻辑电平时的等效电路。
[0012]图6是本公开的另一实施例的驱动装置的示意图。
具体实施方式
[0013]图1是本公开实施例的驱动装置100的示意图。驱动装置100包含第一预驱动电路110及主驱动电路120。在本实施例中，第一预驱动电路110可接收第一控制信号SIG
C1
，并可根据第一控制信号SIG
C1
产生信号摆幅较小的第一预驱动信号SIG
PD1
以驱动主驱动电路120。由于第一预驱动信号SIG
PD1
的信号摆幅较小，因此第一预驱动电路110所产生的电流纹波(ripple)也较小，从而提高了系统电压的稳定性。
[0014]在图1中，第一预驱动电路110包含第一晶体管M1、第二晶体管M2及第一电阻元件RE1。第一晶体管M1具有第一端、第二端及控制端，第一晶体管M1的第一端可耦合在第一电压V1，第一晶体管M1的第二端可输出第一预驱动信号SIG
PD1
，而第一晶体管M1的控制端可接收第一控制信号SIG
C1
。第二晶体管M2具有第一端、第二端及控制端，第二晶体管M2的第一端可耦合在第一晶体管M1的第二端，第二晶体管M2的第二端可耦合在第二电压V2，而第二晶体管M2的控制端可接收第一控制信号SIG
C1
。第一电阻元件RE1具有第一端及第二端，第一电阻元件RE1的第一端可耦合在第二晶体管M2的第一端，而第一电阻元件RE1的第二端可耦合在第二晶体管M2的第二端。此外，第一电压V1可大于第二电压V2，举例来说，第一电压V1可以是系统中的操作电压，而第二电压V2可以是地电压。
[0015]主驱动电路120包含第三晶体管M3，第三晶体管M3具有第一端、第二端及控制端，第三晶体管M3的第一端可接收电源P1，第三晶体管M3的第二端可输出第一输出信号SIG
O1
，而第三晶体管M3的控制端可接收第一预驱动信号SIG
PD1
。在本实施例中，驱动装置100还可包含第一电流源CS1，第一电流源CS1可耦合在第三晶体管M3的第一端，并可用以提供电源P1。在此情况下，驱动装置100可根据第一控制信号SIG
C1
的电位高低对应地输出第一输出信号SIG
O1
，而驱动装置100所输出的第一输出信号SIG
O1
实质上即为第一电流源CS1所提供的电源P1。
[0016]在本实施例中，第一晶体管M1及第三晶体管M3可为P型晶体管，而第二晶体管M3可为N型晶体管。在此情况下，当第一控制信号SIG
C1
处于高逻辑电平时，第一晶体管M1将被截止，第二晶体管M2会被导通，此时第一预驱动信号SIG
PD1
的电压实质上等于第二电压V2，使得第三晶体管M3被导通。
[0017]相对地，当第一控制信号SIG
C1
处于低逻辑电平时，第一晶体管M1会被导通，第二晶
体管M2会被截止。图2为第一预驱动电路110在第一控制信号SIG
C1
处于低逻辑电平时的等效电路。在图2中，第一预驱动信号SIG
PD1
的电压即为第一电阻元件RE1及第一晶体管M1所提供之分压VD1，而分压VD1可由式(1)表示。
[0018][0019]在式(1)中，R1为第一电阻元件RE1的电阻值，而RON
M1
为第一晶体管M1的导通电阻值。在本实施例中，第一电阻元件RE1的电阻值R1大于第一晶体管M1的导通电阻值RON
M1<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种预驱动电路，用以提供预驱动信号以驱动主驱动电路，包含：第一晶体管，具有第一端、第二端及控制端，所述第一晶体管的所述第一端耦合在第一电压，所述第一晶体管的所述第二端用以输出所述预驱动信号，以及所述第一晶体管的所述控制端用以接收第一控制信号；第二晶体管，具有第一端、第二端及控制端，所述第二晶体管的所述第一端耦合在所述第一晶体管的所述第二端，所述第二晶体管的所述第二端耦合在第二电压，及所述第二晶体管的所述控制端用以接收所述第一控制信号；以及电阻元件，具有第一端及第二端，所述电阻元件的所述第一端耦合在所述第二晶体管的所述第一端，以及所述电阻元件的所述第二端耦合在所述第二晶体管的所述第二端；其中所述第一晶体管及所述第二晶体管的其中一者为P型晶体管，且另一者为N型晶体管。2.根据权利要求1所述的预驱动电路，其中：所述第一晶体管为P型晶体管，且所述第二晶体管为N型晶体管；以及所述第一电压大于所述第二电压。3.根据权利要求1所述的预驱动电路，其中所述预驱动信号的电压摆幅小于所述第一控制信号的电压摆幅。4.一种驱动装置，包含：第一预驱动电路，包含：第一晶体管，具有第一端、第二端及控制端，所述第一晶体管的所述第一端耦合在第一电压，所述第一晶体管的所述第二端用以输出第一预驱动信号，以及所述第一晶体管的所述控制端用以接收第一控制信号；第二晶体管，具有第一端、第二端及控制端，所述第二晶体管的所述第一端耦合在所述第一晶体管的所述第二端，所述第二晶体管的所述第二端耦合在第二电压，以及所述第二晶体管的所述控制端用以接收所述第一控制信号；以及第一电阻元件，具有第一端及第二端，所述第一电阻元件的所述第一端耦合在所述第二晶体管的所述第一端，以及所述第一电阻元件的所述第二端耦合在所述第二晶体管的所述第二端；以及主驱动电路，包含第三晶体管，具有第一端、第二端及控制端，所述第三晶体管的所述第一端用以接收电源，所述第三晶体管的所述第二端用以输出第一输出信号，及所述第三晶体管的所述控制端用以接收所述第一预驱动信号；其中所述第一晶体管及所述第二晶体管的其中一者为P型晶体管，且另一者为N型晶体管。5.根据权利要求4所述的驱动装置，其中：所述第一晶体管以及所述第三晶体管为P型晶体管，且所述第二晶体管为N型晶体管；以及所述第一电压大于所述第二电压。6.根据权利要求5所述的驱动装置，其中：当所述第一控制信号处于高逻辑电平时...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘怡婷，高志显，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：