互补式金属耦合线制造技术

本发明专利技术涉及一种互补式金属耦合线，包含：一基板；ｍ层网目金属层，此ｍ层网目金属层之间分别与ｍ－１层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于此基板之上，其中此ｍ－１层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的此ｍ层网目金属层，其中ｍ≥２且ｍ为自然数；一第二介电层，位于此堆叠结构之上；以及ｎ条金属线，为相互边缘耦合且位于此第二介电层之上，其中ｎ≥２且ｎ为自然数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及耦合传输线，特别是有关于互补式金属耦合线。
技术介绍
薄膜微带(thin-film microstrip；以下简称TFMS)为目前最广泛被应用于实现单晶微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit；以下简称MMIC)的传输线(transmission line；TL)的技术之一。然而，当TFMS在MMIC内被设计成反向波耦合器(backward-wave coupler)时，由于所耦合的TFMS在偶模与奇模(even-and odd-mode)相位的传输速度并不相同，因此亦将使得所设计的反向波耦合器在其指向性(directivity)的表现上较差。 并且，由于目前互补式金氧半导体(complementary metal oxidesemiconductor；CMOS)的制程技术限制了边缘耦合TFMS(edge-coupledTFMS)间的线距距离(spacing)，因此，亦会使得边缘耦合TFMS的耦合量(tight coupling)在1/4传导波长(λg)时无法达到3.0dB。而另外一种现有的上下耦合(broad本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种互补式金属耦合线，其特征在于，包含：一基板；ｍ层网目金属层，该ｍ层网目金属层之间分别与ｍ－１层第一介电层交错叠接，由此形成一堆叠结构于该基板之上，其中该ｍ－１层第一介电层还具有多个金属连接孔以连接交错叠接的该ｍ层网目金属层，其中ｍ≥２且ｍ为自然数；一第二介电层，位于该堆叠结构之上；以及ｎ条金属线，为相互边缘耦合且位于该第二介电层之上，其中ｎ≥２且ｎ为自然数。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：庄晴光，蒋孟儒，吴宪顺，
申请(专利权)人：庄晴光，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]