一种高抑制腔体耦合合路器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高抑制腔体耦合合路器，包括腔体和盖板，腔体一侧设有输入端，腔体内分为独立的耦合腔和合路腔，耦合腔和合路腔之间设有贯穿的绝缘子，耦合腔内设有导杆，导杆一端与输入端相连，另一端连接绝缘子，绝缘子另一端作为合路腔的公共端口；盖板上设有两个耦合口，耦合口的连接器上搭载传输杆，传输杆与耦合腔内的导杆互相平行，起耦合作用；其中一路滤波通道内设有LC低通滤波单元。本实用新型专利技术将耦合器与腔体合路器集成到一起，降低整体体积；腔体内部有一路滤波带宽，设置了两处交叉耦合来加强抑制，特意设置了LC低通滤波单元来解决远端抑制不好的问题，使得合路器具有高抑制特性。有高抑制特性。有高抑制特性。

【技术实现步骤摘要】
一种高抑制腔体耦合合路器


[0001]本技术涉及滤波器
，特别涉及一种高抑制腔体耦合合路器。

技术介绍

[0002]腔体合路器采用金属材料制成，表面镀银，同轴圆柱腔体结构可调谐的多频段合路器件。腔体合路器的主要作用将多路不同频段发射信号合成一路，再发射到天线端射频器件，同时避开各路发射信号之间的相互影响，形成一套室内分布系统。有时，腔体合路器需要搭配耦合器进行检波使用，合路后通过耦合输出。但是单独的耦合器体积大，使用不方便。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术提供了一种高抑制腔体耦合合路器，各频段之间相互高隔离，插损小，远端高抑制谐波，合路耦合输出。
[0004]为此，本技术的技术方案是：一种高抑制腔体耦合合路器，包括腔体和盖板，腔体一侧设有输入端，腔体内分为独立的耦合腔和合路腔，耦合腔和合路腔之间设有贯穿的绝缘子，耦合腔内设有导杆，导杆一端与输入端相连，另一端连接绝缘子，绝缘子另一端作为合路腔的公共端口；盖板上设有两个耦合口，耦合口的连接器上搭载传输杆，传输杆与耦合腔内的导杆互相平行，起耦合作用；其中一路滤波通道内设有LC低通滤波单元。
[0005]优选地，三路滤波通道内均设有多个谐振腔，谐振器内设有谐振圆柱，第一路滤波通道和第二路滤波通道内均设有一处交叉耦合，第三路滤波通道内设有两处交叉耦合，且LC低通滤波单元位于第三路滤波通道内。
[0006]优选地，所述第一路滤波通道包括六个第一谐振腔，第一谐振腔内各设有第一谐振圆柱，从输入端开始依次排列，第一个第一谐振圆柱与第四个第一谐振圆柱之间设有第一耦合块，第一耦合块上的耦合杆两端分别靠近第一个第一谐振圆柱与第四个第一谐振圆柱，第一个第一谐振圆柱与第四个第一谐振圆柱形成交叉耦合；第一路滤波通道连接第一输出端。
[0007]优选地，所述第二路滤波通道包括四个第二谐振腔，第二谐振腔内设有第二谐振圆柱，从输入端开始依次排列，第一个第二谐振圆柱与第四个第二谐振圆柱之间设有第二耦合块，第二耦合块上的耦合杆两端分别靠近第一个第二谐振圆柱与第四个第二谐振圆柱，第一个第二谐振圆柱与第四个第二谐振圆柱形成交叉耦合；第二路连接第二输出端。
[0008]优选地，所述第三路滤波通道包括六个第三谐振腔，第三谐振腔内设有第三谐振圆柱，从输入端开始依次排列，第二个第三谐振圆柱与第四个第三谐振圆柱之间设有第三耦合块，第三耦合块上的耦合杆两端分别靠近第二个第三谐振圆柱与第四个第三谐振圆柱，第二个第三谐振圆柱与第四个第三谐振圆柱形成交叉耦合；第四个第三谐振圆柱与第六个第三谐振圆柱之间设有第四耦合块，第四耦合块上的耦合杆两端分别靠近第四个第三谐振圆柱与第六个第三谐振圆柱，第四个第三谐振圆柱与第六个第三谐振圆柱形成交叉耦
合；且第三路滤波通道与第三输出端之间设有LC低通滤波单元。
[0009]优选地，所述LC低通滤波单元包括PCB板，PCB板上设有多个串联的电感，相邻电感之间设有对地电容；LC低通滤波单元输入端连接第三谐振圆柱，LC低通滤波单元输出端连接第三输出端。
[0010]优选地，第三路滤波通道末端设有容置腔，LC低通滤波单元放置在容置腔内。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：将耦合器与腔体合路器集成到一起，降低整体体积；腔体内部设有三路，分别输出3个频段的信号，第一路和第二路的滤波带窄，设置一处交叉耦合即可加强抑制，第三路的滤波带宽，设置了两处交叉耦合来加强抑制，同时为了避免两处交叉耦合后远端抑制不好，特意设置了LC低通滤波单元，使得合路器具有高抑制特性，保证信号传输的稳定性。
附图说明
[0012]以下结合附图和本技术的实施方式来作进一步详细说明
[0013]图1为本技术的结构示意图；
[0014]图2为本技术LC低通滤波单元的结构示意图；
[0015]图3为本技术第一路滤波通道的波形图；
[0016]图4为本技术第二路滤波通道的波形图；
[0017]图5为本技术第三路滤波通道的波形图。
[0018]图中标记为：腔体1、总输入端2、耦合腔3、绝缘子31、导杆32、第一谐振腔41、第一谐振圆柱42、第一个第一谐振圆柱43、第四个第一谐振圆柱44、第一耦合块45、第二谐振腔51、第二谐振圆柱52、第一个第二谐振圆柱53、第四个第二谐振圆柱54、第二耦合块55、第三谐振腔61、第三谐振圆柱62、第二个第三谐振圆柱63、第四个第三谐振圆柱64、第三耦合块65、第六个第三谐振圆柱66、第四耦合块67、LC低通滤波单元7、第一输出端11、第二输出端12、第三输出端13。
具体实施方式
[0019]在本技术的描述中，需要说明的是，对于方位词，如有术语“中心”，“横向(X)”、“纵向(Y)”、“竖向(Z)”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示方位和位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于叙述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定方位构造和操作，不能理解为限制本技术的具体保护范围。
[0020]此外，如有术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”特征可以明示或者隐含包括一个或者多个该特征，在本技术描述中，“数个”、“若干”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0021]参见附图。本实施例所述高抑制腔体合路器，包括腔体1和盖板，腔体一侧设有总输入端2，腔体内分为独立的和合路腔，耦合腔3和合路腔之间设有贯穿的绝缘子31，耦合腔3内设有导杆32，导杆32一端与总输入端2相连，另一端连接绝缘子31，绝缘子31另一端连接
三路滤波通道；盖板上设有两个耦合口，耦合口的连接器上搭载传输杆，传输杆与耦合腔内的导杆互相平行，起耦合作用；其中一路滤波通道内设有LC低通滤波单元。
[0022]第一路滤波通道包括六个第一谐振腔41，第一谐振腔互相连通，第一谐振腔内各设有第一谐振圆柱42，6个第一谐振圆柱42中，从输入端开始依次排列，第一个第一谐振圆柱43与第四个第一谐振圆柱44之间设有第一耦合块45，第一耦合块上的耦合杆两端分别靠近第一个第一谐振圆柱与第四个第一谐振圆柱，第一个第一谐振圆柱43与第四个第一谐振圆柱44形成交叉耦合。第一路最终连接第一输出端11，第一路输出的信号频率为960～1011MHz。
[0023]第二路滤波通道包括四个第二谐振腔51，第二谐振腔51内设有第二谐振圆柱52，4个第二谐振圆柱中，从输入端开始依次排列，第一个第二谐振圆柱53与第四个第二谐振圆柱54之间设有第二耦合块55，第二耦合块上的耦合杆两端分别靠近第一个第二谐振圆柱与第四个第二谐振圆柱，第一个第二谐振圆柱53与第四个第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高抑制腔体耦合合路器，包括腔体和盖板，腔体一侧设有输入端，其特征在于：腔体内分为独立的耦合腔和合路腔，耦合腔和合路腔之间设有贯穿的绝缘子，耦合腔内设有导杆，导杆一端与输入端相连，另一端连接绝缘子，绝缘子另一端作为合路腔的公共端口；盖板上设有两个耦合口，耦合口的连接器上搭载传输杆，传输杆与耦合腔内的导杆互相平行，起耦合作用；其中一路滤波通道内设有LC低通滤波单元。2.如权利要求1所述的一种高抑制腔体耦合合路器，其特征在于：三路滤波通道内均设有多个谐振腔，谐振器内设有谐振圆柱，第一路滤波通道和第二路滤波通道内均设有一处交叉耦合，第三路滤波通道内设有两处交叉耦合，且LC低通滤波单元位于第三路滤波通道内。3.如权利要求2所述的一种高抑制腔体耦合合路器，其特征在于：所述第一路滤波通道包括六个第一谐振腔，第一谐振腔内各设有第一谐振圆柱，从输入端开始依次排列，第一个第一谐振圆柱与第四个第一谐振圆柱之间设有第一耦合块，第一耦合块上的耦合杆两端分别靠近第一个第一谐振圆柱与第四个第一谐振圆柱，第一个第一谐振圆柱与第四个第一谐振圆柱形成交叉耦合；第一路滤波通道连接第一输出端。4.如权利要求2所述的一种高抑制腔体耦合合路器，其特征在于：所述第二路滤波通道包括四个第二谐振腔，第二谐振腔内设有第二谐振圆柱，从输入端开始依次排列，第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗青雷，
申请(专利权)人：嘉兴润捷电子有限公司，
类型：新型
国别省市：