一种碳化硅晶片切割装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制备设备技术领域，且公开了一种碳化硅晶片切割装置，包括操作台，操作台底面固定安装有水箱，且水箱侧面底端设有排水口及阀门，水箱一侧面顶端中端固定安装支撑台，支撑台顶面固定安装有机械臂，机械臂延伸端固定安装有激光切割器，操作台顶面中端设有支撑板，支撑板顶面两侧设有滑轨，滑轨内活动连接有夹板，夹板顶面限位栓，支撑板顶面设有通槽。该碳化硅晶片切割装置，通过泵机将冷却水输送给喷头，在碳化硅晶片切割过程中，喷头将冷却水箱碳化硅晶片表面进行喷洒，冷却水将切割过程中产生的粉尘覆盖，避免粉尘四处逃逸，导致工作区域受到污染的同时，防止含有硅的粉尘对人体健康造成损害。含有硅的粉尘对人体健康造成损害。含有硅的粉尘对人体健康造成损害。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片切割装置


[0001]本技术涉及半导体制备设备
，具体为一种碳化硅晶片切割装置。

技术介绍

[0002]随着第一代半导体Si第二代半导体GaAs,InP等的发展日益成熟,碳化硅作为第三代半导体材料中的重要组成部分,其具有的宽禁带、高热导率、高临界击穿场强、高载流子饱和漂移速率、低相对介电常数、高抗辐射能力以及良好的化学稳定性等被人们所广泛关注研究。碳化硅因其独具的优越特性在高温、高频、大功率、微电子器件等方面和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势,也是微电子、电力电子和光电子等高新技术进入21世纪后赖以持续发展的重要半导体材料之一。碳化硅材料作为外延的衬底材料需要一系列的加工流程，其中机械减薄在碳化硅工艺流程中被大量使用,而机械减薄需要晶片表面的有足够的平整度,通常会对晶片进行薄膜树脂填充化处理,即对晶片进行贴片。然而贴片后的晶片薄膜尺寸残余较大,不利于树脂与晶片的充分包裹，需要切割多余部分薄膜,以增加薄膜与晶片的包裹性。
[0003]为此中国技术专利CN 215150680 U公布了一种碳化硅晶片切割装置，通过废料被吸附台吸附,不会存在切割过程中废料散落的情况,切割安全性高,更加环保。
[0004]但碳化硅晶片在切割过程中会产生大量的粉尘，在切割过程中，该装置的吸附台只能对废料进行吸附，废料被吸附台吸附住时，吸附台无法对切割过程中产生的粉尘进行有效的回收，导致含有硅的粉尘外溢，从而污染加工空间同时对工人身体健康造成损害。

技术实现思路

[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本技术提供了一种碳化硅晶片切割装置，具备避免粉尘四处逃逸，导致工作区域受到污染的同时，防止含有硅的粉尘对人体健康造成损害等优点，解决了上述技术问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种碳化硅晶片切割装置，包括操作台，所述操作台底面固定安装有水箱，且水箱侧面底端设有排水口及阀门，所述水箱一侧面顶端中端固定安装支撑台，所述支撑台顶面固定安装有机械臂，所述机械臂延伸端固定安装有激光切割器，所述操作台顶面中端设有支撑板，所述支撑板顶面两侧设有滑轨，所述滑轨内活动连接有夹板，所述夹板顶面限位栓，所述支撑板顶面设有通槽，所述操作台顶面两侧设有通水孔，所述水箱两侧内壁顶端设有导轨，所述导轨内活动连接有过滤框，所述过滤框设有滤网，所述水箱底面内壁一端设有泵机，所述泵机输出端设有管道，所述管道一端设有喷嘴。
[0009]作为本技术的优选技术方案，所述操作台顶面中端固定安装有支撑板，所述支撑板顶面两端对称式固定安装有两个滑轨，所述滑轨内滑动连接有夹板，所述夹板顶面
两端螺纹连接有限位栓。
[0010]作为本技术的优选技术方案，所述水箱底面内壁远离支撑台一侧中端固定安装有泵机，所述泵机输出端固定安装有管道，所述操作台顶面固定安装有挡板，所述管道贯穿挡板延伸至支撑板顶面一侧，所述管道靠近支撑板一端固定安装有喷嘴，且喷嘴输出端朝向支撑板。
[0011]作为本技术的优选技术方案，所述操作台顶面两侧等距开设有若干个通水孔，所述支撑板顶面等距开设有若干个通槽，且通槽贯穿支撑板两侧顶端。
[0012]作为本技术的优选技术方案，所述水箱正面顶端开设有通孔，所述水箱两侧内壁顶端对称式固定安装有两个导轨。
[0013]作为本技术的优选技术方案，所述导轨内滑动连接有过滤框，且过滤框正面与通孔完全贴合，所述过滤框内固定安装有滤网，且滤网目数大于三百目。
[0014]与现有技术相比，本技术提供了一种碳化硅晶片切割装置，具备以下有益效果：
[0015]1、本技术通过泵机将冷却水输送给喷头，在碳化硅晶片切割过程中，喷头将冷却水箱碳化硅晶片表面进行喷洒，冷却水将切割过程中产生的粉尘覆盖，避免粉尘四处逃逸，导致工作区域受到污染的同时，防止含有硅的粉尘对人体健康造成损害。
[0016]2、本技术通过在水箱两侧内壁顶端安装导轨，导轨内滑动连接有过滤框，过滤框内安装有滤网，利用滤网对粉尘和冷却水的混合液体进行过滤，并将较大的颗粒进行过滤，避免颗粒被泵机吸入而导致泵机损坏，进而延长了泵机的使用寿命。
附图说明
[0017]图1为本技术结构立体示意图；
[0018]图2为本技术结构俯视示意图；
[0019]图3为本技术结构正视剖视示意图；
[0020]图4为本技术结构图1中A局部放大示意图。
[0021]其中：1、操作台；2、水箱；3、支撑板；4、滑轨；5、夹板；6、通水孔；7、导轨；8、过滤框；9、泵机；10、管道；11、喷嘴；101、机械臂；102、激光切割器。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和实施例对本技术的实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不能用来限制本技术的范围。
[0023]在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可
以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0025]请参阅图1
‑
4，一种碳化硅晶片切割装置，包括操作台1，操作台1底面固定安装有水箱2，且水箱2侧面底端设有排水口及阀门，水箱2一侧面顶端中端固定安装支撑台，支撑台顶面固定安装有机械臂101，机械臂101延伸端固定安装有激光切割器102，操作台1顶面中端设有支撑板3，支撑板3顶面两侧设有滑轨4，滑轨4内活动连接有夹板5，夹板5顶面限位栓，支撑板3顶面设有通槽，操作台1顶面两侧设有通水孔6，水箱2两侧内壁顶端设有导轨7，导轨7内活动连接有过滤框8，过滤框8设有滤网，水箱2底面内壁一端设有泵机9，泵机9输出端设有管道10，管道10一端设有喷嘴11通过在操作台1底面安装水箱2，水箱2装载冷却水，通过水箱2侧面顶端安装支撑台，支撑台顶面安装机械臂101，机械臂101延伸端安装激光切割器102，利用激光切割器102对碳化硅晶片进行切割，且机械臂101和激光切割器102为现有成熟技术，本文不再赘述。
[0026]进一步的，操作台1顶面中端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片切割装置，包括操作台(1)，所述操作台(1)底面固定安装有水箱(2)，且水箱(2)侧面底端设有排水口及阀门，所述水箱(2)一侧面顶端中端固定安装支撑台，所述支撑台顶面固定安装有机械臂(101)，所述机械臂(101)延伸端固定安装有激光切割器(102)，其特征在于：所述操作台(1)顶面中端设有支撑板(3)，所述支撑板(3)顶面两侧设有滑轨(4)，所述滑轨(4)内活动连接有夹板(5)，所述夹板(5)顶面限位栓，所述支撑板(3)顶面设有通槽，所述操作台(1)顶面两侧设有通水孔(6)，所述水箱(2)两侧内壁顶端设有导轨(7)，所述导轨(7)内活动连接有过滤框(8)，所述过滤框(8)设有滤网，所述水箱(2)底面内壁一端设有泵机(9)，所述泵机(9)输出端设有管道(10)，所述管道(10)一端设有喷嘴(11)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶片切割装置，其特征在于：所述操作台(1)顶面中端固定安装有支撑板(3)，所述支撑板(3)顶面两端对称式固定安装有两个滑轨(4)，所述滑轨(4)内滑动连接有夹板(5)，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄成，商龙梅，
申请(专利权)人：常州锦钿半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：