低电压双电源回路装置及其控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术为有关一种低电压双电源回路装置及其控制方法，包括有第一电源装置、第二电源装置及双电源控制回路所组成，其中第一电源装置及第二电源装置为分别输入至双电源控制回路，而双电源控制回路具有第一控制芯片及第二控制芯片，且第一控制芯片及第二控制芯片分别与电源侦测回路、电源比较回路及电源切换回路连接，而第一控制芯片及第二控制芯片通过电源侦测回路侦测第一电源装置及第二电源装置的优先权，当第一优先的电源装置发生断电时，可通过电源比较回路比较电压大小，由电源切换回路将第一优先的电源装置切换成第二优先的备用电源装置，由备用电源继续供应外部电子装置电源，避免外部电子装置内重要资料流失，而形成重大金额损失。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为有关一种，尤指利用双电源控制回路侦测第一电源装置及第二电源装置的优先权，当发生断电时，可通过比较电压大小，将第 一优先的电源装置切换成第二优先的备用电源装置，并由备用电源供电。
技术介绍
随着电子科技的进步，人们对电力电源的依靠性越来越高，所以无预警的停电事 件对于各行各业均会造成损失，尤其是各大电子科技公司内皆设置有大量的高价格电子 系统设备，所以将造成难以估计的重大金额损失，而对电子系统设备(如桌上型电脑、准 系统、伺服器及网路储存装置等)而言，如资料末经备份，当遇到无预警停电时，即面临处 理中的资料全面流失的严重后果，为防止此种意外产生，市面上已出现多种不断电系统 (UPS)，如图4所示，为习用的电路方块图，当发生电力中断时，立即以备用电源供应电子系 统设备使用，藉此以提供充裕的操作时间完成储存动作，并将电子系统设备关机，等待电力 恢复后再继续电子系统设备操作。 但目前一般的不断电系统，在实际使用时却存在诸多的缺失，如 (1)该不断电系统的内部含有充电器及充电电池组，而充电器及充电电池组等元件均为无法承受高温，所以无法在高温环境下，提供电子系统设备电源。(2)该不断电系统主要电源及备用电源无法同时启动供电，只能选择主要电源或备用电源，当电子系统设备发生高负载情形时，以致无法提供足够电源给电子系统设备。(3)该不断电系统的备用电源为由充电器通过市电进行对充电电池组充电，当发生无预警的停电时，再由充电电池组供电，但该充电电池只可提供短暂的电源供应时间，故无法供应充足的电源给电子系统设备使用，仍需等待市电恢复供应。 因此，如何解决习用不断电系统的问题与缺失，即为从事此行业的相关厂商所亟 欲研究改善的方向所在。
技术实现思路
专利技术人有鉴于上述的问题与缺失，乃搜集相关资料，经由多方评估及考量，并以从 事于此行业累积的多年经验，经由不断试作及修改，始设计出此种低电压双电源回路装置 及方法的专利技术专利诞生者。 本专利技术的技术方案在于，提供一种，第一电 源装置及第二电源装置为分别输入至双电源控制回路，而双电源控制回路具有第一控制芯 片及第二控制芯片，且第一控制芯片及第二控制芯片分别与电源侦测回路、电源比较回路 及电源切换回路连接，而第一控制芯片及第二控制芯片通过电源侦测回路侦测第一电源装 置及第二电源装置的优先权，当第一优先的电源装置发生断电时，可通过电源比较回路比 较电压大小，由电源切换回路将第一优先的电源装置切换成第二优先的备用电源装置，由 备用电源继续供电外部电子装置。4 当电源输出点的电压降低超过多个二极管的顺向导通电压时，其第一电源装置及第二电源装置连接的二极管产生导通状态，使第一电源装置及第二电源装置提供电源至电源输出点，并通过多个二极管承受大电流，可防止大电流破坏多个N通道场效晶体管。 电源输出点的电压下降至第一控制芯片或第二控制芯片下限电压时，该第一控制 芯片与第二控制芯片会分别将N通道场效晶体管(Ql)与N通道场效晶体管(Q2)关闭，同 时电源输出点所连接的多个二极管产生导通。 本专利技术的技术效果为，可避免因停电而使外部电子装置的重要资料流失，而形成 重大金额损失，可以避免双电源控制回路故障损坏，可以使第一电源装置与第二电源装置 同时供应至电源输出点，使外部电子系统设备在高负载情形下仍能正常运作。附图说明 图1为本专利技术的电路方块图； 图2为本专利技术的电路图； 图3为本专利技术的示意图； 图4为习用的电路方块图。 附图标记说明 1-第一电源装置；ll-第一变压器；2-第二电源装置；21-第二变压器；3-双电源控制回路；31A-第一控制芯片；314B-N通道场效晶体管；31B-第二控制芯片；315-电源输 出点；311-分压电阻；316-二极管；312-串联电阻；32-电源侦测回路；313-二极管；33-电 源比较回路；314A-N通道场效晶体管；34-电源切换回路。具体实施例方式为达成上述目的及功效，本专利技术所采用的技术手段及其构造，现绘图就本专利技术的 较佳实施例详加说明其特征与功能如下，以利于完全了解。 请参阅图1、图2所示，为本专利技术较佳实施例的电路方块图、电路图，由图中所示可 清楚看出，本专利技术的低电压双电源回路为由第一电源装置1、第二电源装置2及双电源控制 回路3所组成，其中 该第一电源装置1为可供交流市电输入，且第一电源装置1内设有将交流市电转 换成低压直流的第一变压器11。 该第二电源装置2为可供直流发电机电源输入，且第二电源装置2内设有将直流 电转换成低压直流的第二变压器21。该双电源控制回路3为分别与第一电源装置1及第二 电源装置2相连接，而双电源控制回路3具有第一控制芯片31A及第二控制芯片31B，(例 如第一控制芯片和第二控制芯片可使用LinearTechnology的LT4351芯片，但显然第一控 制芯片和第二控制芯片并非局限于此)，且第一控制芯片31A及第二控制芯片31B分别与 由多个分压电阻311、串联电阻312及二极管313所组成的电源侦测回路32连接，而第一 控制芯片31A的PIN7脚位及第二控制芯片31B的PIN7脚位连接有多个分压电阻311，且 第一控制芯片31A的PIN6脚位依序通过串联电阻312及二极管313连接有第一电源装置 1，并以第二控制芯片312的PIN6脚位依序通过串联电阻312及二极管313连接有第二电 源装置2，而第一控制芯片31A及第二控制芯片31B分别与由N通道场效晶体管(M0SFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) (Ql) 314A及N通道场效晶体管 (MOSFET，Metal-Oxide-SemiconductorField-Effeet-Transistor) (Q2) 314B所组成的电源 比较回路33连接，而第一控制芯片31A的PIN1脚位及第二控制芯片31B的PIN1脚位分别 连接于N通道场效晶体管(Ql) 314A的栅极及N通道场效晶体管(Q2) 314B的栅极，且N通 道场效晶体管(Q1)314A的漏极及N通道场效晶体管(Q2)314B的漏极皆连接于电源输出点 315，并以N通道场效晶体管(Q1)314A的源极连接至第一电源装置l，再以N通道场效晶体 管(Q2)314B的源极连接至第二电源装置2，而第一控制芯片31A及第二控制芯片31B分别 与由多个由分压电阻311、串联电阻312、二极管313、N通道场效晶体管(Q1)314A及N通道 场效晶体管(Q2) 314B所组成的电源切换回路34连接，而第一控制芯片31A的PIN7及第二 控制芯片31B的PIN7脚位连接有多个分压电阻311，且第一控制芯片31A的PIN6脚位依序 通过串联电阻312及二极管313连接有第一电源装置1，并以第二控制芯片31B的PIN6脚 位依序通过串联电阻312及二极管313连接有第二电源装置2，再以第一控制晶片31A的 PIN1脚位及第二控制晶片31B的PIN1脚位分别连接于N通道场效电晶体(Ql) 314A的栅极 及N通道场效电晶体(Q2) 314B的闸极，且N通道场效电晶体(Ql) 314A的漏极及N通道场 效电晶体(Q2)314B的汲极皆连接于电源输出点315，并以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低电压双电源回路装置，其特征在于，包括有第一电源装置、第二电源装置及双电源控制回路，其中：该第一电源装置内设有将外部输入电源进行变压的第一变压器；该第二电源装置内设有将外部输入电源进行变压的第二变压器；该双电源控制回路为分别与第一电源装置及第二电源装置相连接，而双电源控制回路具有第一控制芯片及第二控制芯片，且第一控制芯片及第二控制芯片分别与可侦测电源优先权的电源侦测回路连接，而第一控制芯片及第二控制芯片分别与可进行第一电源装置及第二电源装置大小比较的电源比较回路连接，而第一控制芯片及第二控制芯片分别与可进行第一电源装置及第二电源装置切换的电源切换回路连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张宽雄，
申请(专利权)人：四零四科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]