一种显示屏绝缘消影结构制造技术

本发明专利技术提供一种显示屏绝缘消影结构，包括显示基板、触控膜层、保护盖板，所述显示基板和触控膜层之间还设置有IM层，所述IM层包括上下两侧的SiO2层，上下两侧的SiO2层之间还设置有SiN层和SiAl层，所述SiAl层设置于靠近显示基板一侧，本发明专利技术采用硅铝合金和氮化硅靶替代现有技术中的铌靶，靶材成本大大降低的同时，保证了消影效果，同时氮化硅具有较高的介电常数，使得该IM膜起到绝缘消影的双重功能。使得该IM膜起到绝缘消影的双重功能。使得该IM膜起到绝缘消影的双重功能。

【技术实现步骤摘要】
一种显示屏绝缘消影结构


[0001]本专利技术涉及绝缘消影屏幕模组
，具体为一种显示屏绝缘消影结构。

技术介绍

[0002]现有技术中公开号为“CN209297772U”的一种常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜，属于光电玻璃
，包括TG基板、镀于TG基板上表面的第一层五氧化二铌膜、镀于第一层五氧化二铌膜上表面的第一层二氧化硅膜、镀于第一层二氧化硅膜上表面的第二层五氧化二铌膜、镀于第二层五氧化二铌膜上表面的第二层二氧化硅膜和镀于第二层二氧化硅膜上表面的ITO导电层，其中，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层，并且，ITO导电层的厚度大于消影层的厚度且小于消影层厚度的2倍，五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔分布组成消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5％，进而可以在常温下实现超厚ITO导电膜的完全消影。
[0003]但是上述该常温单面镀膜单面消影超厚ITO导电膜在使用过程中仍然存在较为明显的缺陷：上述结构通过添加氧化铌膜层进行导电膜蚀刻后的消影层，虽然起到较好的消影效果，但铌属于贵金属，其作为消影层所需的铌靶材价格较高，且铌的氧化物介电常数小，不利于模组功能层之间的绝缘。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种显示屏绝缘消影结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种显示屏绝缘消影结构，包括显示基板、触控膜层、保护盖板，所述显示基板和触控膜层之间还设置有IM层，所述IM层包括上下两侧的SiO2层，上下两侧的SiO2层之间还设置有SiN层和SiAl层，所述SiAl层设置于靠近显示基板一侧。
[0007]优选的，所述触控膜层为ITO膜层。
[0008]优选的，所述触控膜层与保护盖板之间设置有AR膜。
[0009]优选的，所述保护盖板远离AR膜一侧还镀设有功能膜层。
[0010]优选的，所述功能膜层包括但不限于防蓝光膜、防指纹膜、AG膜中的一种或多种。
[0011]优选的，所述触控膜层与保护盖板之间还设置有第二IM层。
[0012]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0013]本专利技术采用硅铝合金和氮化硅靶替代现有技术中的铌靶，靶材成本大大降低的同时，保证了消影效果，同时氮化硅具有较高的介电常数，使得该IM膜起到绝缘消影的双重功能。
附图说明
[0014]图1为本专利技术的层叠式结构立体示意图；
[0015]图2为本专利技术的IM层结构示意图。
[0016]图中：1显示基板、2触控膜层、3保护盖板、4IM层、5SiO2层、6SiN层、7SiAl层、8AR膜、9功能膜层。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]请参阅图1
‑
2，本专利技术提供一种技术方案：
[0019]实施例一：
[0020]一种显示屏绝缘消影结构，包括显示基板1、触控膜层2、保护盖板3，所述显示基板1和触控膜层2之间还设置有IM层4，所述IM层4包括上下两侧的SiO2层5，上下两侧的SiO2层5之间还设置有SiN层6和SiAl层7，所述SiAl层7设置于靠近显示基板1一侧。
[0021]在该实施例中，显示基板1用于显示图形，触控膜层2用于提供触控识别，保护盖板3通过对触控膜层2及底部的显示基板1进行防护，从而保证该显示屏能够正常工作，上述层叠式结构为现有技术中常用的结构，在此不再进行赘述，本实施例有别于现有技术的是，在显示基板1和触控膜层2之间还设置有IM层4，该IM层4包括上下两侧的SiO2层5，上下两侧的SiO2层5之间还设置有SiN层6和SiAl层7，IM层4是使ITO玻璃在刻蚀制作电容屏线路后，通过该膜层的设置减少ITO区域和非ITO区域的视觉反差，使得电容屏ITO刻蚀线条变淡，线路的图案在常光下看不见图案线条，起到消除图案的效果的膜层结构，现有技术中常使用氧化铌作为消影层，但使用该膜层的靶材较为昂贵，且氧化铌自身介电常数低，不利于在显示基板1以及触控膜层2之间进行绝缘隔离，本实施例采用SiN层6和SiAl层7作为绝缘消影层，通过二者与触控屏之间进行光学拟合，其中相较于传统的SiN层6，本实施例中加入了SiAl层7，通过将波长控制在500～650nm范围内，此时通过色差仪测得，该屏幕模组的
△
L≤2、
△
A≤1、
△
B≤2，达到消影的预期效果，且由于SiN层6和SiAl层7具有较高的介电常数，使得该膜层具有较强的绝缘性，其中SiN层6和SiAl层7的上下还设置有SiO2层5，通过SiO2层5对显示基板1和触控膜层2之间进行隔离形成渗碳防护层，保证显示基板1和触控膜层2之间互不干扰。
[0022]实施例二：
[0023]在该实施例中，所述触控膜层2与保护盖板3之间设置有AR膜8，AR膜采用磨砂喷涂工艺在触控膜层2之前喷涂细微颗粒，从而使得该显示模组能够达到一定的防眩目效果。
[0024]实施例三：
[0025]在该实施例中，所述保护盖板3远离AR膜8一侧还镀设有功能膜层9，所述功能膜层9包括但不限于防蓝光膜、防指纹膜、AG膜中的一种或多种，保护盖板3可根据使用场景已经客户需要进行定制，通过在保护盖板3上设置功能膜层9从而使得保护盖板3具备相应的防蓝光、防指纹等效果。
[0026]实施例四：
[0027]在该实施例中，所述触控膜层2与保护盖板3之间还设置有第二IM层，通过多层IM
层的设置，从而进一步提高该显示模组的绝缘消影效果，第二IM层的具体结构参照IM层4设置。
[0028]尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示屏绝缘消影结构，包括显示基板(1)、触控膜层(2)、保护盖板(3)，其特征在于：所述显示基板(1)和触控膜层(2)之间还设置有IM层(4)，所述IM层(4)包括上下两侧的SiO2层(5)，上下两侧的SiO2层(5)之间还设置有SiN层(6)和SiAl层(7)，所述SiAl层(7)设置于靠近显示基板(1)一侧。2.根据权利要求1所述的一种显示屏绝缘消影结构，其特征在于：所述触控膜层(2)为ITO膜层。3.根据权利要求1所述的一种显示屏绝缘消影结...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈诚，许红灯，赵琰，盛耀武，吴岳本，张政，陈伟，
申请(专利权)人：凯盛信息显示材料池州有限公司，
类型：发明
国别省市：