一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法，其中，多量子阱发光层包括第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层；第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层由下至上依次周期交替层叠形成混合极性的Al

【技术实现步骤摘要】
一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种多量子阱发光层、发光二极管外延片及其制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管（Light Emitting Diode)简称LED，是一种将电能直接转化为光能的半导体发光器件，具有较高的转换效率。作为一种节能环保的新型光源，LED 近年来受到了很大的关注。
[0003]半导体照明取得的这些成就主要得益于GaN基LED相关技术的进步，相对于其它的材料体系，无论是在效率上还是在可靠性上，GaN基LED都有着明显的优势。随着生产规模化和发光效率的提高，成本在不断下降，因此，GaN基LED具有广泛的应用前景和很高的商业价值，当然，也存在诸多的技术瓶颈急需解决。
[0004]GaN基LED其外延薄膜主要是Ga极性（Ga
‑
Poalr）GaN薄膜，由于GaN基LED的量子阱中存在压电极化电场和自发极化电场，致使量子阱的能带发生弯曲和倾斜，从而减少了量子阱中电子和空穴的波函数交叠，降低了电子和空穴的辐射复合效率，进而降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多量子阱发光层，其特征在于，包括第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层；所述第一Ga极性垒层、Ga极性阱层、第二Ga极性垒层、以及N极性垒层由下至上依次周期交替层叠形成混合极性的Al
x
In
y
GaN多层结构；其中，x的取值范围为0
‑
0.6，y的取值范围为0
‑
0.4。2.根据权利要求1所述的多量子阱发光层，其特征在于，所述第一Ga极性垒层为Al
x1
In
y1
GaN层，所述Ga极性阱层为Al
x2
In
y2
GaN层，所述第二Ga极性垒层为Al
x3
In
y3
GaN层，所述N极性垒层为Al
x4
In
y4
GaN层；其中，x2＜x1=x 3，x2＜x4； y1=y3＜y2，y4＜y2。3.根据权利要求2所述的多量子阱发光层，其特征在于，0≤x1≤0.6，0≤y1≤0.2；0≤x2≤0.4，0≤y2≤0.4；0≤x3≤0.6，0≤y3≤0.2；0≤x4≤0.6，0≤y4≤0.2。4.根据权利要求1所述的多量子阱发光层，其特征在于，所述第一Ga极性垒层的厚度为2nm~5nm；所述Ga极性阱层的厚度为2.5nm~4nm；所述第二Ga极性垒层的厚度为0.5nm~2nm；所述N极性垒层的厚度为4nm~10nm。5.根据权利要求1所述的多量子阱发光层，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒俊，程龙，高虹，郑文杰，印从飞，程金连，张彩霞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：