【技术实现步骤摘要】
LED器件的外延片及其制备方法
[0001]本专利技术属于半导体
，特别涉及一种具有双色有源层的白光LED器件的外延片及其制备方法。
技术介绍
[0002]目前利用发光二极管(light
‑
emitting diode，LED)实现白光照明有两种技术途径：一种是利用LED去激发荧光物质形成白光，可以称之为“二次光转换白光技术”；另一种是利用LED直接发射白光，可以称之为“直接发射白光技术”。“二次光转换白光技术”主要是利用蓝光LED激发黄色荧光粉，受激的黄色荧光粉发出的黄光与LED发出的蓝光混合形成白光，如图1所示；这种技术方法简单、实用，温度稳定性好，但是色温偏高，显色性较差，颜色均匀性与角度有关。“直接发射白光技术”是利用氮化物LED直接发射白光，无须荧光物质，排除了荧光物质的光转换效率和使用寿命对固态照明光源性能的限制。
[0003]目前“直接发射白光技术”可以有两种实现方式：多芯片型和单芯片型。多芯片型方案如图2所示，其是将发射红光、绿光、蓝光的三种LED芯片封装在一个基片上，利用三种...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED器件的外延片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的表面具有第一区域以及与所述第一区域邻接的第二区域；成核层，设置在所述第一区域；外延结构层，包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元设置在所述成核层上，所述第二发光单元设置在所述第二区域，其中，所述第一发光单元包括Ga面III族氮化物材料，所述第二发光单元包括N面III族氮化物材料。2.根据权利要求1所述的LED器件的外延片，其特征在于：所述第一发光单元包括依次层叠设置在所述成核层上的Ga面n型半导体层、Ga面发光层、Ga面电子阻挡层和Ga面p型半导体层，所述第二发光单元包括依次层叠设置在所述第二区域上的N面n型半导体层、N面发光层、N面电子阻挡层和N面p型半导体层；其中，所述Ga面n型半导体层与所述N面n型半导体层、所述Ga面发光层与所述N面发光层、所述Ga面电子阻挡层与所述N面电子阻挡层、所述Ga面p型半导体层与所述N面p型半导体层均是一体形成的；和/或，所述Ga面发光层与所述N面发光层位于同一平面内；和/或，所述Ga面发光层中的In组分含量小于所述N面发光层中的In组分含量。3.根据权利要求2所述的LED器件的外延片，其特征在于：所述外延片还包括缓冲层，所述缓冲层包括一体形成的Ga面缓冲层和N面缓冲层，所述Ga面缓冲层设置在所述成核层与所述第一发光单元之间，所述N面缓冲层设置在所述第二区域与所述第二发光单元之间；优选的，所述Ga面缓冲层和所述N面缓冲层背对所述衬底的顶部表面齐平。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的LED器件的外延片，其特征在于：所述衬底包括蓝宝石衬底或碳化硅衬底；优选的，所述蓝宝石衬底为具有斜切角的蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底的斜切角方向为c面偏m轴，且斜切角度为1～4
°
；和/或，所述成核层的材质包括III族氮化物，优选的，所述成核层包括AlN成核层或GaN成核层。5.一种LED器件的外延片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一区域以及与所述第一区域邻接的第二区域；在所述第一区域形成成核层；在所述成核层上形成外延结构层，所述外延结构层包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元设置在所述成核层上，所述第二发光单元设置在所述第二区域上；其中，所述第一发光单元包括Ga面III族氮化物材料，所述第二发光单元包括N面III族氮化物材料。6.根据权利要求5所述的LED器件的外延片的制备方法，其特征在于，在所述成核层上形成外延结构层的步骤包括：同时在所述成核层的表面与所述第二区域进行III族氮化物材料的生长，且在所述III族氮化物材料的生长过程中，调整所述III族氮化物材料的生长参数，使生长于所述成核层上的III族氮化物材料形成Ga面III族氮化物材料，而使生长于所述第二区域的III族氮化物材料形成N面III族氮化物材料；其中，所述生长参数包括生长温度、生...
【专利技术属性】
技术研发人员：王阳，林志宇，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。