本发明专利技术实施例提供了一种控制隔离装置稳定运行的方法及系统，包括：获取采样端口的采样值；根据采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号；通过目标脉宽信号控制隔离装置稳定运行。通过本发明专利技术，解决了相关技术中弱点设备需要持续的高电平导致的功耗浪费的问题。功耗浪费的问题。功耗浪费的问题。
【技术实现步骤摘要】
控制隔离装置稳定运行的方法及系统
[0001]本专利技术实施例涉及通信领域，具体而言，涉及一种控制隔离装置稳定运行的方法及系统。
技术介绍
[0002]防弱电领域应用中，通过弱电设备控制受控负载间接控制强电设备的启动和停动，可以达到弱电与强电隔离开，且通过远程控制弱电设备控制强电工作状态的目的。
[0003]现场应用中，无源弱电设备只有常开端子或者只有常闭端子，无源弱电设备适用的场景较少，不得不更换其他有源弱电设备，通过控制外接继电器，达到常开、常闭的目的。为了维持继电器的稳定运行，现有技术中需要持续的向继电器输入高电瓶，造成了功耗大大的浪费。
[0004]针对上述问题，目前尚未存在有效的解决方案。
技术实现思路
[0005]本专利技术实施例提供了一种控制隔离装置稳定运行的方法及系统，以至少解决相关技术中弱点设备需要持续的高电平导致的功耗浪费的问题。
[0006]根据本专利技术的一个实施例，提供了一种控制隔离装置稳定运行的方法，包括：获取采样端口的采样值，其中，所述采样端口与光耦连接，所述光耦与端子和公共端口连接；根据所述采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号，其中，所述控制端口与隔离装置连接，所述隔离装置与所述端子和所述公共端口连接；通过所述目标脉宽信号控制所述隔离装置稳定运行。
[0007]在一个示例性实施例中，在所述获取采样端口的采样值之前，所述方法还包括：获取接线模式参数；根据所述接线模式参数确定所述隔离装置的接线模式，其中，所述接线模式包括：常开模式和常闭模式。
[0008]在一个示例性实施例中，获取采样端口的采样值，包括：在所述接线模式为所述常开模式的情况下，获取第一采样端口的第一采样值，其中，所述第一采样端口与第一光耦连接，所述第一光耦与常开端子和所述公共端口连接，所述采样端口包括所述第一采样端口，所述光耦包括所述第一光耦，所述端子包括所述常开端子，所述采样值包括所述第一采样值；在所述接线模式为所述常闭模式的情况下，获取第二采样端口的第二采样值，其中，所述第二采样端口与第二光耦连接，所述第二光耦与常闭端子和所述公共端口连接，所述采样端口包括所述第二采样端口，所述光耦包括所述第二光耦，所述端子包括所述常闭端子，所述采样值包括所述第二采样值。
[0009]在一个示例性实施例中，根据所述采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号，包括：在所述接线模式为所述常开模式，若所述第一采样值与第一参数值之间的差值大于或等于第一预设阈值，将所述控制端口本次输出的脉宽信号的占空比与上次输出的脉宽信号的占空比进行稳定性误差回差处理，直到得到所述目标脉宽信
号。
[0010]在一个示例性实施例中，根据所述采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号，还包括：在所述接线模式为所述常闭模式，若所述第二采样值与第二参数值之间的差值小于或等于第二预设阈值，将所述控制端口本次输出的脉宽信号的占空比与上次输出的脉宽信号的占空比进行稳定性误差回差处理，直到得到所述目标脉宽信号。
[0011]在一个示例性实施例中，所述光耦与限流装置一端连接，所述限流装置的另一端与所述端子连接；所述控制端口与MOS场效应管的第一管脚连接，所述隔离装置与所述MOS场效应管的第二管脚连接，所述MOS场效应管的第三管脚连接于防反二极管的一端，所述防反二极管的另一端连接于总线电源。
[0012]在一个示例性实施例中，在所述端子为常开端子的情况下，所述光耦为第一光耦，所述限流装置为第一限流装置，所述第一光耦与所述第一限流装置一端连接，所述第一限流装置的另一端与所述常开端子连接；在所述端子为常闭端子的情况下，所述光耦为第二光耦，所述限流装置为第二限流装置，所述第二光耦与所述第二限流装置一端连接，所述第二限流装置的另一端与所述常闭端子连接。
[0013]根据本专利技术的另一个实施例，提供了一种隔离输出系统，包括：隔离装置、常开端子、常闭端子、公共端口、总线电源、MOS场效应管、控制端口防反二极管，所述隔离装置包括第一端口、第二端口、第三端口、第四端口和第五端口，其中，所述第一端口连接于所述常开端子，所述第二端口连接于所述常闭端子，所述第三端口连接于所述公共端口，所述第四端口连接于所述总线电源，所述第五端口连接于所述MOS场效应管；所述MOS场效应管包括第一管脚、第二管脚和第三管脚，所述第一管脚连接于所述控制端口，所第二管脚连接于所述隔离装置的所述第五端口，所述第三管脚连接于所述防反二极管的一端；所述防反二极管的另一端连接于所述总线电源。
[0014]在一个示例性实施例中，所述隔离输出系统还包括：第一限流装置、第二限流装、第一光耦、第二光耦、第一采样端口、第二采样端口，其中，第一限流装置的一端连接于所述常开端子，所述第一限流装置的另一端还连接于所述第一光耦；第二限流装置的一端连接于所述常闭端子，所述第二限流装置的另一端还连接于所述第二光耦；所述第一光耦还分别与所述第一采样端口和所述公共端口连接；所述第二光耦还分别与所述第二采样端口和所述公共端口连接。
[0015]根据本专利技术的另一个实施例，提供了一种控制隔离装置稳定运行的装置，包括：获取模块，用于获取采样端口的采样值，其中，所述采样端口与光耦连接，所述光耦与端子和公共端口连接；调整模块，用于根据所述采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号，其中，所述控制端口与隔离装置连接，所述隔离装置与所述端子和所述公共端口连接；控制模块，用于通过所述目标脉宽信号控制所述隔离装置稳定运行。
[0016]根据本专利技术的又一个实施例，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项中所述的方法的步骤。
[0017]根据本专利技术的又一个实施例，还提供了一种电子装置，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行上述任一项
方法实施例中的步骤。
[0018]通过本专利技术，由于通过获取采样端口的采样值控制输出的脉宽信号的占空比，进而控制隔离装置的稳定运行。可以避免现有技术中需要持续输出高电平信号导致的功耗浪费的问题。在保证隔离装置稳定运行的同时，达到节约功耗的效果。
附图说明
[0019]图1是本专利技术实施例的一种控制隔离装置稳定运行的方法的移动终端的硬件结构框图；
[0020]图2是根据本专利技术实施例的种控制隔离装置稳定运行的方法的流程图；
[0021]图3是根据本专利技术实施例的隔离输出系统示意图；
[0022]图4是根据本专利技术实施例的控制隔离装置稳定运行的方法的流程图；
[0023]图5是根据本专利技术实施例的系统的工作流程图；
[0024]图6是根据本专利技术实施例的控制隔离装置稳定运行的装置的结构框图。
具体实施方式
[0025]下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术的实施例。
[0026]需本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种控制隔离装置稳定运行的方法，其特征在于，包括：获取采样端口的采样值，其中，所述采样端口与光耦连接，所述光耦与端子和公共端口连接；根据所述采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号，其中，所述控制端口与隔离装置连接，所述隔离装置与所述端子和所述公共端口连接；通过所述目标脉宽信号控制所述隔离装置稳定运行。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述获取采样端口的采样值之前，所述方法还包括：获取接线模式参数；根据所述接线模式参数确定所述隔离装置的接线模式，其中，所述接线模式包括：常开模式和常闭模式。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，获取采样端口的采样值，包括：在所述接线模式为所述常开模式的情况下，获取第一采样端口的第一采样值，其中，所述第一采样端口与第一光耦连接，所述第一光耦与常开端子和所述公共端口连接，所述采样端口包括所述第一采样端口，所述光耦包括所述第一光耦，所述端子包括所述常开端子，所述采样值包括所述第一采样值；在所述接线模式为所述常闭模式的情况下，获取第二采样端口的第二采样值，其中，所述第二采样端口与第二光耦连接，所述第二光耦与常闭端子和所述公共端口连接，所述采样端口包括所述第二采样端口，所述光耦包括所述第二光耦，所述端子包括所述常闭端子，所述采样值包括所述第二采样值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号，包括：在所述接线模式为所述常开模式，若所述第一采样值与第一参数值之间的差值大于或等于第一预设阈值，将所述控制端口本次输出的脉宽信号的占空比与上次输出的脉宽信号的占空比进行稳定性误差回差处理，直到得到所述目标脉宽信号。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述采样值调整控制端口输出的脉宽信号的占空比，得到目标脉宽信号，还包括：在所述接线模式为所述常闭模式，若所述第二采样值与第二参数值之间的差值小于或等于第二预设阈值，将所述控制端口本次输出的脉宽信号的占空比与上次输出的脉宽信号的占空比进行稳定性误差回差处理，直到得到所述目标脉宽信号。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光耦与限流装置一端连接，所述限流装置的另一端与所述端子连接；所述控制端口与MOS场效应管的第一管脚连接，所述隔离装置与所述MOS场效应管的第二管脚连接，所述MOS场效应管的第三管脚连接于防反二极管的一端，所述防反二极管的另一端连接于总线电源。7.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：王海生，高中双，吴镕昌，朱福伟，王明君，朱开放，
申请(专利权)人：浙江华消科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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