提供一种包括单个或多个像素元件的液晶装置。每一像素元件包括：第一衬底；第二衬底，平行于第一衬底；液晶层，设置在第一衬底与第二衬底之间；第一多个电极，形成在第一衬底与液晶层之间；第二多个电极，形成在第二衬底与液晶层之间。所述第一多个电极及所述第二多个电极被组成为在三个正交方向上产生电场，且所述三个正交方向中的两个方向上的电场是面内电场，而所述三个正交方向中的另一个电场是面外电场。外电场。外电场。
【技术实现步骤摘要】
液晶装置
[0001]本公开涉及一种液晶装置，更具体来说涉及实现液晶以提供一种具有连续调节相移或延迟的装置(即，移相器)，用于太赫兹(THz)(1太赫兹＝10
12
赫兹)电磁波或亚毫米电磁波中的各种应用。
技术介绍
[0002]太赫兹波技术在包括时域光谱、太赫兹成像及医学应用的领域中显示出巨大的发展潜力。此外，太赫兹通信及相控阵雷达(phase array radar)也变得可行。上述应用都需要太赫兹准光学装置(quasi
‑
optical device)(例如，用于信号处理的偏振器、滤波器、移相器及调制器等)。
[0003]液晶(Liquid crystal，LC)装置广泛应用于太赫兹频率。为了在太赫兹频率下操作，液晶装置使用厚的单元间隙来满足所需的迟延。然而，厚的单元间隙导致反应极其缓慢。
技术实现思路
[0004]本公开提供一种液晶装置，且具体来说提供一种具有一种液晶切换(LC switching)的用于太赫兹电磁波的液晶移相器，所述液晶切换带来液晶的初始、固有面内及面外重新定向间的六向切换(hexadirectional switching)，提供更宽的相移范围，同时保持快速的响应时间。
[0005]根据示例性实施例的液晶装置可包括而不限于单个或多个像素元件，由于每一像素元件可包括：第一衬底；第二衬底，面向所述第一衬底并平行于所述第一衬底；液晶层，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间；第一多个电极，形成在所述第一衬底与所述液晶层之间，其中所述第一多个电极是栅格型电极和/或指状型电极；第二多个电极，形成在所述第二衬底与所述液晶层之间，其中所述第二多个电极是栅格型电极和/或指状型电极，其中所述第一多个电极及所述第二多个电极的相同栅格型电极和/或指状型电极被形成且以单元间隙彼此面对，其中所述第一多个电极及所述第二多个电极被组成为在三个正交方向上产生电场，且所述三个正交方向中的两个方向上的所述电场是面内电场且实质上平行于所述第一衬底、所述第二衬底及所述液晶层，而所述三个正交方向中的另一个电场是面外电场且实质上垂直于所述第一衬底及所述第二衬底。
[0006]为了使本公开的上述特征及优点更容易理解，以下详细阐述了伴随附图的几个实施例。
附图说明
[0007]包括附图以提供对本公开的进一步理解，且被并入本说明书并构成其一部分。附图示出本公开的实施例，且与说明一起用于阐释本公开的原理。
[0008]图1是液晶像素元件的示意性剖视图。
[0009]图2A是液晶像素元件的示意性三维图。
[0010]图2B是图2A的液晶像素元件的示意性俯视图。
[0011]图2C是图2A的液晶像素元件的示意性俯视图。
[0012]图2D是图2A的液晶像素元件的示意性剖视图。
[0013]图3A是液晶像素元件的示意性三维图。
[0014]图3B是图3A的液晶像素元件的示意性俯视图。
[0015]图3C是图3A的液晶像素元件的示意性剖视图。
[0016]图4A是液晶像素元件的示意性三维图。
[0017]图4B是图4A的液晶像素元件的示意性俯视图。
[0018]图4C是图4A的液晶像素元件的示意性剖视图。
[0019]图5A是液晶像素元件的示意性三维图。
[0020]图5B是图5A的液晶像素元件的示意性俯视图。
[0021]图5C是图5A的液晶像素元件的示意性剖视图。
[0022]图6是图3A、图4A及图5A的液晶像素元件的示意性俯视图及剖视图。
[0023]图7A是液晶像素元件的一部分的示意性俯视图。
[0024]图7B是图7A的液晶像素元件的所述一部分的示意性剖视图。
[0025]图8A是液晶像素元件的一部分的示意性俯视图。
[0026]图8B是图8A的液晶像素元件的所述一部分的示意性剖视图。
[0027]图9A是液晶像素元件的一部分的示意性俯视图。
[0028]图9B是图9A的液晶像素元件的所述一部分的示意性剖视图。
[0029]图10A是液晶像素元件的一部分的示意性俯视图。
[0030]图10B是图10A的液晶像素元件的所述一部分的示意性剖视图。
[0031]图11A是液晶像素元件的一部分的示意性俯视图。
[0032]图11B是图11A的液晶像素元件的所述一部分的示意性剖视图。
[0033]图12是液晶装置的一部分的示意性俯视图。
[0034]图13是液晶装置的一部分的示意性俯视图。
[0035]图14是液晶装置的一部分的示意性俯视图及剖视图。
[0036]图15是液晶装置的一部分的剖视图。
[0037]图16是液晶装置的一部分的示意性俯视图及剖视图。
[0038]图17是液晶装置的一部分的示意性俯视图及剖视图。
[0039]图18是液晶装置的一部分的示意性俯视图及剖视图。
[0040]图19是用于太赫兹电磁波的光子装置的框图。
具体实施方式
[0041]在以下详细说明中，出于阐释的目的，陈述了许多具体细节，以提供对所公开的实施例的透彻理解。然而，显而易见的是可在不存在这些具体细节的情况下实施一个或多个实施例。在其他情况下，为了简化附图，示意性地示出公知的结构及装置。
[0042]在以下实施例中，用于指示方向的词语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”及“右”仅指附图中的方向。因此，方向性词语用于示出而不是限制本公开。在附图中，每一附图示
出在特定示例性实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特征。附图不应被解释为定义或限制特定示例性实施例所期望的范围及性质。例如，为了清楚起见，膜层、区或结构的相对厚度及位置可减小或放大。
[0043]图1是根据本专利技术实施例的液晶像素元件100的示意性剖视图。
[0044]在图1中，液晶像素元件100包括第一衬底110a及第二衬底110b。第二衬底110b面向第一衬底110a且平行于第一衬底110a。第一衬底110a与第二衬底110b具有相似的结构及性质。第一衬底110a及第二衬底110b均为在Z方向上具有均匀厚度的衬底。第一衬底110a及第二衬底110b由对太赫兹频率透明的材料制成。在一些实施例中，太赫兹频率的范围在0.1THz至10THz之间，但不限于此。在一些实施例中，第一衬底110a及第二衬底110b的材料是玻璃或塑料，但不限于此。
[0045]液晶像素元件100还包括具有液晶分子122的液晶层120。液晶层120在垂直Z方向上设置在第一衬底110a与第二衬底110b之间。液晶层120在Z方向上具有均匀的厚度。在一些实施例中，液晶层120的厚度在50微米(μm)至150μm之间，优选为100μm或小于100μm，但不限于此。
[0046]液晶像素元件100还包括形成在第一衬底110a与液晶层120之间的多个电极130本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种液晶装置，其特征在于，包括：单个或多个像素元件，每一像素元件包括：第一衬底，第二衬底，面向所述第一衬底并平行于所述第一衬底，液晶层，设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间，第一多个电极，形成在所述第一衬底与所述液晶层之间，其中所述第一多个电极是栅格型电极和/或指状型电极，第二多个电极，形成在所述第二衬底与所述液晶层之间，其中所述第二多个电极是栅格型电极和/或指状型电极，其中所述第一多个电极及所述第二多个电极的相同栅格型电极和/或指状型电极被形成且以单元间隙彼此面对，其中所述第一多个电极及所述第二多个电极被组成为在三个正交方向上产生电场，且所述三个正交方向中的两个方向上的所述电场是面内电场且实质上平行于所述第一衬底、所述第二衬底及所述液晶层，而所述三个正交方向中的另一个电场是面外电场且实质上垂直于所述第一衬底及所述第二衬底。2.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，所述液晶层中的液晶分子的初始配向相对于所述第一多个电极及所述第二多个电极的所述栅格型电极和/或指状型电极中的一者的延伸方向几乎垂直。3.根据权利要求2所述的液晶装置，其特征在于，所述液晶层中的所述液晶分子的所述初始配向相对于所述第一多个电极及所述第二多个电极的所述栅格型电极和/或指状型电极中的一者的所述延伸方向为40度至50度。4.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，所述液晶层的液晶分子的初始配向相对于所述第一多个电极及所述第二多个电极的所述栅格型电极和/或指状型电极中的一者的延伸方向为85度至95度。5.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于，所述液晶装置还包括：第一配向层，设置在所述第一多个电极与所述液晶层之间；以及第二配向层，设置在所述第二多个电极与所述液晶层之间，其中所述第一配向层与所述第二配向层被配置成将所述液晶层中的液晶分子配向为初始配向。6.根据权利要求1所述的液晶装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：大江昌人，郑登云，
申请(专利权)人：大江昌人，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。