一种液晶透镜制造技术

本发明专利技术提供了一种液晶透镜，所述液晶透镜包括第一电极模组、液晶分子及第二电极模组，第一电极模组包括依次套设M个电极区域的第一电极组、数据线组、扫描线组及扫描线转接线组；每一电极区域包括依次套设的N个环形结构的第一电极，M个电极区域逐一通过扫描线开启电极区域的TFT，以使数据线输出目标电压给予对应第一电极的储存电容充电，充电后通过扫描线关闭电极区域的TFT，以此类推直至最后一个电极区域的第一电极的充电从而完成一帧信号写入。通过本申请可实现液晶透镜的每一电极独立控制与驱动，精确控制相位分布，以实现抛物面或任意自由曲的相位分布，又能补偿工艺偏差引起的效果不均。的效果不均。的效果不均。

【技术实现步骤摘要】
一种液晶透镜


[0001]本专利技术属于透镜的
，具体地涉及一种液晶透镜。

技术介绍

[0002]液晶透镜(liquid crystal lens)是一种利用液晶材料所具有的独特物理及光学特性所创造出的技术。不同于传统的玻璃透镜，液晶透镜可以依据施加于其上的电场以聚集或发散入射光；特别地，液晶透镜的焦距可以藉由改变供应电压来进行调整。因为液晶透镜不需要使用到机械动作来调整焦距；因此液晶透镜比传统玻璃透镜更适合应用在许多图像获取技术中。
[0003]现有技术的大口径液晶透镜为分区设计，每个区相同次序电极在理论上施加相同电压就可以达到菲涅尔透镜的效果。目前在液晶透镜设计上将每个区相同次序电极通过转接线连接后一起驱动，这种方案可以减少信号通道数目，降低驱动复杂程度。但是，液晶透镜在实际制作过程中由于工艺偏差造成的个别区域效果不均，不均区域的电极电压需要独立控制调整，这样每个电极需要独立控制，通过调节电压来补偿不均区域的成像效果。
[0004]因此，如何既能实现每个电极独立控制与驱动确保液晶透镜成像效果，同时又能补偿工艺偏差引起的效果不均，显得尤为重要。

技术实现思路

[0005]基于此，本专利技术提供了一种液晶透镜，实现了每个电极独立控制与驱动，解决现有技术的液晶透镜在实际制作过程中工艺偏差造成的个别区域效果不均，确保液晶透镜的成像效果。
[0006]本专利技术提供一种液晶透镜，包括：第一电极模组，其包括第一电极组、数据线组、扫描线组及扫描线转接线组；所述第一电极组包括沿着第一方向依次套设的M个电极区域，其中M≥1，每一所述电极区域包括沿着第一方向依次套设的N个环形结构的第一电极，每一所述电极区域内的扫描线用于连通该电极区域内的所有TFT；所述数据线组所含的数据线数量与每一所述电极区域内的扫描线数量相一致，且每一所述电极区域中相同次序的第一电极连接同一数据线；所述扫描线转接线组所含的扫描线转接线数量与所述电极区域数量相一致，且所述扫描线转接线分别与任一所述电极区域中的扫描线连接；液晶分子；以及，第二电极模组，所述第二电极模组位于所述液晶分子远离所述第一电极模组的一侧；其中，M个所述电极区域逐一通过所述扫描线开启所述电极区域的TFT，以使所述数据线输出目标电压给予对应所述第一电极的储存电容充电，充电完成后通过所述扫描线关闭所述电极区域的TFT，以此类推直至最后一个所述电极区域的所述第一电极的充电从而完成一帧信号的写入，使得通过对电极写入预制信号以形成抛物面或任意自由曲面形式
的相位面。
[0007]相比现有技术，本专利技术的有益效果为：每个电极区域相同次序的第一电极连接同一根数据线，因每个电极区域的相同次序的电极电压相同或因工艺差异电压相差不大，可减小同一根数据线在一帧内的电压切换大小起到节省驱动功耗的目的；以及每一电极区域的扫描线呈环形结构排列，且每个扫描线呈网状规则的相关连接，使得每一电极区域的第一电极采用同一扫描信号可降低扫描线的阻抗及信号延迟；可以实现针对每个第一电极的独立控制与驱动。通过扫描线输出电压先开启第一个电极区域的TFT，每个数据线输出目标电压给第一个电极区域的第一电极的储存电容充电，充电完成后扫描线改变电压关闭第一个电极区域的TFT，同时第二个电极区域的扫描线开启第二个电极区域的TFT给第二个电极区域的第一电极的储存电容充电，充电完成后扫描线改变电压关闭第二个电极区域的TFT，直至最后一个所述电极区域的所述第一电极充电后完成一帧信号的写入，使得通过对电极写入预制信号以形成抛物面或任意自由曲面形式的相位面，补偿工艺偏差引起的效果不均，从而确保液晶透镜成像效果。
[0008]较佳地，所述扫描线转接线与所述数据线呈辐射状布置。
[0009]较佳地，每一所述电极区域的扫描线采用同层金属图形化设置。
[0010]较佳地，相邻两所述第一电极分别嵌装于钝化层的上下两表面，且相互隔绝。
[0011]较佳地，所述TFT的结构具体为顶栅结构、底栅结构中的一种；相邻两所述第一电极区分为奇数电极及偶数电极。
[0012]较佳地，所述TFT位于所述奇数电极的下方，所述TFT的公共电极及遮光层采用第一金属层同层图形化制作，所述扫描线与所述TFT的栅极采用第二金属层同层图形化制作，所述TFT的源极及漏极采用第三金属层同层图形化制作；当所述TFT的结构具体为顶栅结构时，所述第三金属层、所述第二金属层及所述第一金属层自远离所述第一电极的方向依次设置；当所述TFT的结构具体为底栅结构时，所述第一金属层、第三金属层及所述第二金属层自远离所述第一电极的方向依次设置。
[0013]较佳地，所述TFT位于所述偶数电极的下方，所述TFT的公共电极及遮光层采用第一金属层同层图形化制作，所述扫描线与所述TFT的栅极采用第二金属层同层图形化制作，所述TFT的源极及漏极采用第三金属层同层图形化制作；当所述TFT的结构具体为顶栅结构时，所述第三金属层、所述第二金属层及所述第一金属层自远离所述第一电极的方向依次设置；当所述TFT的结构具体为底栅结构时，所述第一金属层、第三金属层及所述第二金属层自远离所述第一电极的方向依次设置。
[0014]较佳地，所述扫描线转接线与所述扫描线的转接位置位于奇数电极下方，所述TFT的公共电极与所述扫描线转接线采用第一金属层同层图形化制作，所述扫描线采用第二金属层同层图形化制作，所述TFT的漏极采用第三金属层同层图形化制作；当所述TFT的结构具体为顶栅结构时，所述第三金属层、所述第二金属层及所述第一金属层自远离所述第一电极的方向依次设置；当所述TFT的结构具体为底栅结构时，所述第一金属层、第三金属层及所述第二金属层自远离所述第一电极的方向依次设置。
[0015]较佳地，所述扫描线转接线与所述扫描线的转接位置位于偶数电极下方，所述TFT的公共电极与所述扫描线转接线采用第一金属层同层图形化制作，所述扫描线采用第二金属层同层图形化制作，所述TFT的漏极采用第三金属层同层图形化制作；当所述TFT的结构
具体为顶栅结构时，所述第三金属层、所述第二金属层及所述第一金属层自远离所述第一电极的方向依次设置；当所述TFT的结构具体为底栅结构时，所述第一金属层、第三金属层及所述第二金属层自远离所述第一电极的方向依次设置。
[0016]较佳地，相邻所述奇数电极及所述偶数电极对应的公共电极在部分区域相互连接呈网状结构，所述公共电极采用第一金属层同层图形化制作，所述扫描线采用第二金属层同层图形化制作，所述TFT的漏极采用第三金属层同层图形化制作；当所述TFT的结构具体为顶栅结构时，所述第三金属层、所述第二金属层及所述第一金属层自远离所述第一电极的方向依次设置；当所述TFT的结构具体为底栅结构时，所述第一金属层、第三金属层及所述第二金属层自远离所述第一电极的方向依次设置。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶透镜，其特征在于，包括：第一电极模组，其包括第一电极组、数据线组、扫描线组及扫描线转接线组；所述第一电极组包括沿着第一方向依次套设的M个电极区域，其中M≥1，每一所述电极区域包括沿着第一方向依次套设的N个环形结构的第一电极，每一所述电极区域内的扫描线用于连通该电极区域内的所有TFT；所述数据线组所含的数据线数量与每一所述电极区域内的扫描线数量相一致，且每一所述电极区域中相同次序的第一电极连接同一数据线；所述扫描线转接线组所含的扫描线转接线数量与所述电极区域数量相一致，且所述扫描线转接线分别与任一所述电极区域中的扫描线连接；液晶分子；以及，第二电极模组，所述第二电极模组位于所述液晶分子远离所述第一电极模组的一侧；其中，M个所述电极区域逐一通过所述扫描线开启所述电极区域的TFT，以使所述数据线输出目标电压给予对应所述第一电极的储存电容充电，充电完成后通过所述扫描线关闭所述电极区域的TFT，以此类推直至最后一个所述电极区域的所述第一电极的充电从而完成一帧信号的写入，使得通过对电极写入预制信号以形成抛物面或任意自由曲面形式的相位面。2.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述扫描线转接线与所述数据线呈辐射状布置。3.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，每一所述电极区域的扫描线采用同层金属图形化设置。4.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，相邻两所述第一电极分别嵌装于钝化层的上下两表面，且相互隔绝。5.根据权利要求1所述的液晶透镜，其特征在于，所述TFT的结构具体为顶栅结构、底栅结构中的一种；相邻两所述第一电极区分为奇数电极及偶数电极。6.根据权利要求5所述的液晶透镜，其特征在于，所述TFT位于所述奇数电极的下方，所述TFT的公共电极及遮光层采用第一金属层同层图形化制作，所述扫描线与所述TFT的栅极采用第二金属层同层图形化制作，所述TFT的源极及漏极采用第三金属层同层图形化制作；当所述TFT的结构具体为顶栅结构时，所述第三金属层、所述第二金属层及所述第一金属层自远离所述第一电极的方向依次设置；当所述TFT的结构具体为底栅结构时，所述第一金属层、第三金属层及所述第二金属层自远离所述第一电极的方向依次设置。7.根据权利要求5所述的液晶透镜，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍英东，荣誉东，
申请(专利权)人：南昌虚拟现实研究院股份有限公司，
类型：发明
国别省市：