本实用新型专利技术提供了一种晶圆冷却装置，包括第一载体、第二载体、冷却装置和静电消除装置；所述第一载体和所述第二载体间隔设置，所述第一载体与所述第二载体之间形成处理腔室；所述冷却装置设置于所述处理腔室，用于冷却放置于所述处理腔室内的晶圆；所述静电消除装置设置于所述处理腔室内，用于消除所述晶圆上的静电，在所述冷却装置对所述晶圆冷却的同时，所述静电消除装置产生带有正负电荷的气团，使晶圆表面上的静电被中和，降低了静电效应对电子显微镜产生的电子束的干扰，使获取的晶圆表面图像更为清晰。图像更为清晰。图像更为清晰。
【技术实现步骤摘要】
晶圆冷却装置及涂胶显影设备
[0001]本技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆冷却装置。
技术介绍
[0002]半导体加工过程中，需要对晶圆进行多种工艺，工艺完成后需要对工艺质量进行监控。
[0003]现有技术中，常规的手段之一是依靠高分辨率的电子显微镜(scanning electron microscope，CD
‑
SEM)来观测晶圆表面形成的图形。但随着半导体工艺水平的不断提高，制程的进一步缩小，先进半导体的制造难度已经快接近理论极限。电子显微镜获取晶圆表面图像时存在成像模糊或者图像漂移的状况，在小制程的条件下，这加大了对工艺质量监控的挑战。
[0004]因此，有必要开发一种新型晶圆冷却装置及涂胶显影设备，以改善现有技术中存在的上述部分问题。
技术实现思路
[0005]本技术的目的在于提供一种晶圆冷却装置及涂胶显影设备，能够在冷却晶圆的同时消除晶圆上的静电，提升用电子显微镜获取晶圆表面图像的清晰度。
[0006]为实现上述目的，本技术提供的晶圆冷却装置，包括：第一载体、第二载体、冷却装置和静电消除装置；所述第一载体和所述第二载体间隔设置，所述第一载体与所述第二载体之间形成处理腔室；所述冷却装置设置于所述处理腔室，用于冷却放置于所述处理腔室内的晶圆；所述静电消除装置设置于所述处理腔室内，用于消除所述晶圆上的静电。
[0007]本技术提供的晶圆冷却装置的有益效果在于：在所述冷却装置对所述晶圆冷却的同时，使用所述静电消除装置产生带有正负电荷的气团，使晶圆表面上的静电被中和，降低了静电效应对电子显微镜产生的电子束的干扰，使获取的晶圆表面图像更为清晰。
[0008]可选的，所述第一载体与所述第二载体均为板状结构，所述冷却装置设置于所述第一载体，所述静电消除装置设置于所述第二载体，所述第一载体与所述第二载体平行设置。其有益效果在于：板状结构的所述第一载体和所述第二载体平行设置有利于所述晶圆上各个位置处之间的均匀冷却和均匀消除静电。
[0009]可选的，所述第一载体与所述第二载体之间活动连接，用于调整所述第一载体与所述第二载体的距离。其有益效果在于：便于调整所述静电消除装置和所述冷却装置的位置。
[0010]可选的，所述第一载体与所述第二载体之间通过伸缩组件连接。
[0011]可选的，所述第一载体与所述第二载体沿竖直方向排列设置，所述第一载体上设置有顶针，所述顶针用于升降所述第一载体上的所述晶圆。
[0012]可选的，所述静电消除装置的个数为大于等于3且小于等于5。
[0013]可选的，所述静电消除装置设置于所述第二载体临近所述第一载体的表面上。
[0014]可选的，所述静电消除装置为离子棒。
[0015]可选的，所述第二载体接地。
[0016]本技术还提供了一种涂胶显影设备，包括上述晶圆冷却装置，能够在冷却晶圆的同时消除晶圆上的静电，提升用电子显微镜获取晶圆表面图像的清晰度。
附图说明
[0017]图1为本技术第一种实施例中晶圆冷却装置的结构示意图；
[0018]图2为本技术第二种实施例中晶圆冷却装置的结构示意图；
[0019]图3为图1所示的静电消除装置的位置示意图。
[0020]1、第一载体；101、第一表面；2、第二载体；201、第二表面；3、冷却装置；4、静电消除装置；5、伸缩组件；6、顶针；7、晶圆。
具体实施方式
[0021]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
[0022]为解决现有技术存在的问题，本技术实施例提供了一种晶圆冷却装置。
[0023]本技术一些实施例中，参照图1，所述晶圆冷却装置包括第一载体1、第二载体2、冷却装置3和静电消除装置4；所述第一载体1与所述第二载体2间隔设置，所述第一载体1与所述第二载体2之间形成处理腔室；所述冷却装置3设置于所述处理腔室，用于冷却放置于所述处理腔室内的晶圆7；所述静电消除装置4设置于所述处理腔室，用于消除所述晶圆7上的静电。
[0024]本技术一些实施例中，参照图1和图3，所述第一载体1包括临近所述第二载体2的第一表面101，所述第一表面101用于承载所述晶圆7，所述冷却装置3设置于所述第一载体1背离所述第二载体2的一侧，用于对所述第一载体1降温，使所述第一载体1与所述晶圆7之间产生温度差，进而对所述晶圆7散热；所述第二载体2包括朝向所述第一载体1的第二表面201，所述静电消除装置4设置于所述第二表面201，实现对所述第一表面101上的所述晶圆7消除静电。
[0025]本技术一些实施例中，参照图1，所述静电消除装置4可以为离子棒、离子风机或离子风嘴等用于产生带正负电荷的气团的元器件，所述气团沿图示A方向流经所述晶圆7时，将所述晶圆7表面上的静电中和。
[0026]需要说明的是，包括薄膜沉积在内的多种工艺环节均需要在较高的温度下进行；相应的高温工艺完成后，晶圆仍保持着较高的温度，经过冷却作业后才能进行后续环节的加工；对晶圆的冷却作业往往是特定工艺环节的最后一道工序，此时晶圆上积累的静电最多，使用所述静电消除装置在所述晶圆冷却的同时消除所述晶圆上的静电，后续即可通过
电子显微镜获取所述晶圆上图形的清晰图形进行质量监测，若无质量问题可进入下一个工艺环节。
[0027]本技术一些实施例中，参照图1和图3，所述第一表面101和所述第二表面201平行设置。
[0028]本技术一些实施例中，参照图1和图3，所述第一载体1和所述第二载体2均为板状结构，所述第一载体1与所述第二载体2均为圆形，以适配所述晶圆7的形状。
[0029]本技术一些实施例中，参照图1和图3，所述第一载体1和所述第二载体2均为板状结构，所述第一载体1与所述第二载体2平行设置。
[0030]本技术一些实施例中，所述第一载体与所述第二载体之间活动连接，用于调整相互平行的所述第一表面和所述第二表面之间的距离。
[0031]本技术一些实施例中，参照图1和图3，所述第一载体1与所述第二载体2之间通过伸缩组件5连接。
[0032]本技术一些实施例中，所述伸缩组件可以包括连杆机构或气缸等能够沿指定方向往返运动的机构，以实现伸缩功能。
[0033]本技术一些具体实施例中，参照图1和图3，所述伸本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆冷却装置，其特征在于，包括：间隔设置的第一载体和第二载体，所述第一载体与所述第二载体之间形成处理腔室；冷却装置，所述冷却装置设置于所述处理腔室，用于冷却放置于所述处理腔室内的晶圆；静电消除装置，所述静电消除装置设置于所述处理腔室，用于消除所述晶圆上的静电。2.根据权利要求1所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述第一载体与所述第二载体均为板状结构，所述冷却装置设置于所述第一载体，所述静电消除装置设置于所述第二载体，所述第一载体与所述第二载体平行设置。3.根据权利要求2所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述第一载体与所述第二载体之间活动连接，用于调整所述第一载体与所述第二载体的距离。4.根据权利要求3所述的晶圆冷却装置，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙国庆，
申请(专利权)人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司，
类型：新型
国别省市：
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