一种处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备制造技术

本实用新型专利技术涉及污水处理技术领域，尤其涉及处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备。该零排放设备，包括重金属预处理系统、有机废水预处理系统、以及依次连接的一级沉淀池、CTUF膜系统、一体化MBR生化设备、盐分分离系统和纯水制备系统，所述重金属预处理系统和有机废水预处理系统分别连接一级沉淀池。该零排放设备通过“分质分流、分类处理、废水回用、资源回收”等工艺路线，使得含铜、镍等半导体高浓有机废水经处理后几乎全部回用于生产，实现废水中金属离子的资源化。废水中金属离子的资源化。废水中金属离子的资源化。

【技术实现步骤摘要】
一种处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备


[0001]本技术涉及污水处理
，尤其涉及一种处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备。

技术介绍

[0002]随着企业对半导体需求的日益迫切，半导体企业如雨后春笋般迅速崛起，随着电子半导体行业的蓬勃发展，其废水排放问题也在不断显现。半导体制造及封装测试的各个工艺步骤都有大量的废水产生。
[0003]半导体制造及封装测试的主要工序有光刻、显影、湿法/干法刻蚀、离子注入、化学气相沉积、化学机械抛光、芯片研磨以及芯片抛光等。研磨阶段的废水主要产生于晶圆减薄研磨过程，主要污染因子为SS、COD和少量盐分。蚀刻阶段产生COD、BOD5、SS、氮磷等污染物。封装过程使用银、镍、锡、铬等金属进行电镀再进行清洗，这一过程中上述金属离子会排放出来，产生重金属废水。因此半导体制造及封装测试产生的污水浓度高，成分复杂，且含有重金属离子，存在难处理且处理成本高的问题。

技术实现思路

[0004]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备，可实现废水的全量回收利用，实现电镀废水零排放的目的。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备，包括重金属预处理系统、有机废水预处理系统、以及依次连接的一级沉淀池、CTUF膜系统、一体化MBR(膜生物反应器)生化设备、盐分分离系统和纯水制备系统，所述重金属预处理系统和有机废水预处理系统分别连接一级沉淀池。
[0006]其中，所述重金属预处理系统包括依次连接的pH调节池、絮凝沉淀池和中间水池，所述中间水池连接一级沉淀池。
[0007]其中，所述有机废水预处理系统包括依次连接的废水调节池和Fenton(芬顿)氧化系统，所述Fenton氧化系统连接一级沉淀池。
[0008]其中，还包括污泥处理系统，所述污泥处理系统包括依次连接的污泥浓缩池和污泥脱水机；所述污泥浓缩池连接一级沉淀池和一体化MBR生化设备，所述污泥脱水机和废水调节池连接。
[0009]其中，所述一体化MBR生化设备包括依次连接的反硝化池、硝化池和MBR池，所述反硝化池连接CTUF膜系统，所述MBR池连接盐分分离系统。
[0010]其中，所述MBR池和硝化池连接曝气装置。
[0011]其中，所述盐分分离系统包括依次连接的一级RO系统和高压RO系统，所述一级RO系统连接一体化MBR生化设备和纯水制备系统。
[0012]其中，还包括MVR系统，所述MVR系统连接高压RO系统和废水调节池。
[0013]其中，所述纯水制备系统包括循环连接的二级RO系统和EDI系统，所述二级RO系统连接一级RO系统。
[0014]其中，所述二级RO系统和EDI系统连接高压RO系统。
[0015]本技术的有益效果在于：本技术的零排放设备通过“分质分流、分类处理、废水回用、资源回收”的工艺路线，使得含铜、镍等半导体高浓有机废水经处理后几乎全部回用于生产，可大大降低废水处理成本，减少固废产生量，以及电镀废水的零排放的目的。与传统的加药沉淀相比较，具有少投加混凝剂，不投加助凝剂、污泥产生量少等优点。
附图说明
[0016]图1所示为本技术的处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备的工艺流程图。
具体实施方式
[0017]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0018]本技术最关键的构思在于：采用“分质分流、分类处理、废水回用、资源回收”的工艺路线，使得含铜、镍等半导体高浓有机废水经处理后几乎全部回用于生产。
[0019]请参照图1所示，本技术的一种处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备，包括重金属预处理系统、有机废水预处理系统、以及依次连接的一级沉淀池、CTUF膜系统、一体化MBR生化设备、盐分分离系统和纯水制备系统，重金属预处理系统和有机废水预处理系统分别连接一级沉淀池。
[0020]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：本技术的零排放设备通过“分质分流、分类处理、废水回用、资源回收”等工艺路线，使得含铜、镍等半导体高浓有机废水经处理后几乎全部回用于生产，可大大降低废水处理成本，减少固废产生量，彻底实现电镀废水的零排放的目的。与传统的加药沉淀相比较，具有少投加混凝剂，不投加助凝剂、污泥产生量少等优点。
[0021]电镀废水和高浓有机废水分别经过重金属预处理系统和有机废水预处理系统处理后，自流入一级沉淀池，通过一级沉淀池将大部分化学反应产生的污泥沉淀；一级沉淀池的上清液进入CTUF膜系统中进行固液分离；分离后的滤液进入一体化MBR生化设备降解有机污染物，然后依次进入盐分分离系统和纯水制备系统去除废水中的可溶性小分子有机物、氯离子、硝酸根离子等污染物，制备得到结晶盐和纯水。
[0022]进一步地，重金属预处理系统包括依次连接的pH调节池、絮凝沉淀池和中间水池，中间水池连接一级沉淀池。
[0023]从上述描述可知，含铜、镍等金属离子的电镀浓水进入pH调节池，在pH调节池中投加酸及亚硫酸氢钠，控制出水的pH值在7～8左右，控制ORP在200mv以下，经过pH调节后，投加重金属捕捉剂，经过絮凝沉淀池，使得大部分的重金属絮凝沉淀，大幅度减少污水中重金属含量。
[0024]进一步地，有机废水预处理系统包括依次连接的废水调节池和Fenton氧化系统，Fenton氧化系统连接一级沉淀池。
[0025]从上述描述可知，有机废水预处理系统可分解污水中的有机污染物。
[0026]废水调节池设置穿孔曝气装置，对废水进行均质均量，避免后续处理设施负荷波动，影响处理效果。废水调节池出水至Fenton氧化系统，Fenton氧化系统中投加催化剂、氧化剂，经过化学反应产生羟基自由基，该自由基的氧化性而使水中的难降解的有机污染物能有效的分解成易于降解的物质，部分转化为无害的二氧化碳、水和氮气等，能够提高废水的可生化性。
[0027]进一步地，还包括污泥处理系统，污泥处理系统包括依次连接的污泥浓缩池和污泥脱水机；污泥浓缩池连接一级沉淀池和一体化MBR生化设备，污泥脱水机和废水调节池连接。
[0028]从上述描述可知，泥浓缩池和污泥脱水机将一级沉淀池和一体化MBR生化设备产生的污泥浓缩，外运处置；污泥脱水机产生的压滤水回流至废水调节池，实现循环处理。
[0029]进一步地，一体化MBR生化设备包括依次连接的反硝化池、硝化池和MBR池，反硝化池连接CTUF膜系统，MBR池连接盐分分离系统。
[0030]进一步地，MBR池和硝化池连接曝气装置。
[0031]从上述描述可知，一体化MBR生化设备的反硝化池主要进行内源反硝化，通过进水与回流的硝化液混合，使反硝化菌群能充分利用易降解的有机物，同时将NO3‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备，其特征在于，包括重金属预处理系统、有机废水预处理系统、以及依次连接的一级沉淀池、CTUF膜系统、一体化MBR生化设备、盐分分离系统和纯水制备系统，所述重金属预处理系统和有机废水预处理系统分别连接一级沉淀池。2.根据权利要求1所述的处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备，其特征在于，所述重金属预处理系统包括依次连接的pH调节池、絮凝沉淀池和中间水池，所述中间水池连接一级沉淀池。3.根据权利要求1所述的处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备，其特征在于，所述有机废水预处理系统包括依次连接的废水调节池和Fenton氧化系统，所述Fenton氧化系统连接一级沉淀池。4.根据权利要求3所述的处理含铜、镍的半导体高浓有机废水的零排放设备，其特征在于，还包括污泥处理系统，所述污泥处理系统包括依次连接的污泥浓缩池和污泥脱水机；所述污泥浓缩池连接一级沉淀池和一体化MBR生化设备，所述污泥脱水机和废水调节池连接。5.根据权利要求1所述的处理含铜、镍的半导体高浓有机废水...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯义彪，邱宇，林有胜，刘港，吴昊，卢雪燕，王晓洁，
申请(专利权)人：福建省金皇环保科技有限公司，
类型：新型
国别省市：