【技术实现步骤摘要】
一种LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:Ln
3+
,Eu
3+
光存储材料及其制备方法和应用
[0001]本专利技术属于长余辉发光材料的
,具体涉及一种LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:Ln
3+
,Eu
3+
(Ln=Tb,Pr,or Bi)光存储材料及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]随着社会科技的快速发展,每天都在产生大量的数据,如何高效存储与读取所存储的数据成为人们普遍关注的课题。发展新型的光存储材料是解决这个问题的关键。光存储材料是一种无机化合物,通常其由无机化合物晶体的基质、电子陷阱中心与空穴捕获中心所构成。在离化射线,如X射线或高能的254nm紫外光激发下,在光存储材料中能够产生自由的载流子(电子与空穴)。一部分自由载流子能够存储于光存储材料的电子陷阱与空穴陷阱捕获中心。在外界物理刺激下,如650nm红色激光、力或热激励下,存储于陷阱中心的电子或空穴能够被释放。电子与空穴相遇并复合时,所释放的能量能够使复合中心从基态转变到激发态。当复合中心从激发态弛豫回基态时,从而发射出光子。由于这一独特的发光特性,光存储材料已经被运用于X射线成像、信息存储与防伪等领域。
[0003]BaFBr(I):Eu
2+
是一种能够存储X射线的光存储材料,其已被运用于X射线成像技术之中。然而,BaFBr(I):Eu
2+
存在一些缺点,严重
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:Ln
3+
,Eu
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光存储材料,其特征在于:化学通式为LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:yLn
3+
,zEu
3+
;其中,Ln选自Tb、Pr或者Bi,0≤x≤1,0.0001≤y≤0.02,0.0001≤z≤0.02。2.根据权利要求1所述的LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:Ln
3+
,Eu
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光存储材料,其特征在于:晶体结构为正交晶系,空间群为Pnma(62)。3.根据权利要求1所述的LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:Ln
3+
,Eu
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光存储材料,其特征在于:可被X射线或254nm紫外光激发,并产生载流子的存储。4.一种权利要求1~3任一项所述的LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:Ln
3+
,Eu
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光存储材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)根据元素摩尔之比为Li:Sc:Lu:Ge:O:Ln:Eu=1:1
‑
x:x:1:4:y:z的比例关系,分别称取含各元素的化合物原料;2)将步骤1)称取的化合物原料混合均匀,在氧化性气氛下于1050~1350℃的温度下进行高温处理,得到所述LiSc1‑
x
Lu
x
GeO4:Ln
3+
,Eu
3+
光存储材料。5.根据权利要求4所述的LiSc1‑
...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕天帅,黄佩然,温祖惠,俞跃,郭灿,魏展画,
申请(专利权)人:华侨大学,
类型:发明
国别省市:
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