一种微带电路制备方法以及微带环隔器技术

本发明专利技术提供了一种微带电路制备方法以及微带环隔器。一种微带电路制备方法，包括：S1、在铁氧体上通过磁控溅射制备钛钨层以及铜层；S2、电镀加厚铜层，并制备键合金层；S3、通过光刻工艺制备图形，得到微带电路。使用磁控溅射制备种子层薄膜，然后溅射低成本导电层替代传统金层，使用电镀工艺制备最外层金层，最后使用光刻工艺制备微带电路图形。通过优化微带电路膜系和镀膜工艺流程，使用磁控溅射方法制备铜层的方法替代了铁氧体表面溅射金的工艺，解决了在大批量生产过程中溅射金靶的成本过高的问题，降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种微带电路制备方法以及微带环隔器


[0001]本专利技术涉及环隔器
，尤其涉及一种微带电路制备方法以及微带环隔器。

技术介绍

[0002]铁氧体环隔器作为一种重要的微波铁氧体器件，目前广泛应用于雷达、微波通信和微波测量等领域，在实现微波信号发射和环行接收的同时，对反向传输的微波信号进行隔离，起到稳定和保护微波发射电路的作用。根据传输线形式的划分，目前常见的环隔器有微带环隔器、带线环隔器和波导环隔器。微带环隔器是一种平面结构器件，容易实现电路的集成，在相控阵雷达等微波系统中广泛应用。
[0003]常见的微带环隔器是采用全铁氧体基片的形式，在铁氧体基片上溅射薄膜电路图形，在外加永磁体的作用下，实现信号的环行传输。针对微带器件中薄膜电路的要求和特点，使用磁控溅射系统采用磁控溅射的方式镀制高精密薄膜。高可靠电路的实现采用薄膜溅射技术途径。溅射薄膜的生长方式有三种：1、岛状生长；2、层状生长；3、先层状生长再岛状生长。若薄膜以岛状方式生长，而薄膜厚度又太薄，则岛与岛之间就不能很好的连接，从而产生空隙。磁控溅射薄膜生长方式属于第二种层状生长。磁控溅射可得到粗糙度很小的膜，但是表面连续后会出现晶粒的长大和合并。到达厚度时，膜层表面有较大的晶粒，使得膜层的电阻率进一步降低，得到的薄膜表面粗糙度大。所以也能提高电镀层与溅射的膜层间结合力，但成本较高。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种微带电路制备方法以及微带环隔器。
[0005]本专利技术解决上述技术问题的技术方案如下：一种微带电路制备方法，包括：
[0006]S1、在铁氧体上通过磁控溅射制备钛钨层以及铜层；
[0007]S2、电镀加厚铜层，并制备键合金层；
[0008]S3、通过光刻工艺制备图形，得到微带电路。
[0009]采用本专利技术技术方案的有益效果是：使用磁控溅射制备种子层薄膜，然后溅射低成本导电层替代传统金层，使用电镀工艺制备最外层金层，最后使用光刻工艺制备微带电路图形。通过优化微带电路膜系和镀膜工艺流程，使用磁控溅射方法制备铜层的方法替代了铁氧体表面溅射金的工艺，解决了在大批量生产过程中溅射金靶的成本过高的问题，降低成本。
[0010]进一步地，所述步骤S1之前包括：通过气体离子源对铁氧体进行清洗。
[0011]采用上述进一步技术方案的有益效果是：镀前使用气体离子源清洗去除铁氧体表面粉尘及有机物，防止铁氧体表面粉尘及有机物影响微带电路的性能，提高微带电路的稳定性以及可靠性。
[0012]进一步地，气体离子源为离子镀膜机的气体离子源，清洗时间为10min。
[0013]采用上述进一步技术方案的有益效果是：提高铁氧体的清洁度，提高微带电路的稳定性以及可靠性。
[0014]进一步地，磁控溅射制备的钛钨层的厚度数值范围为0.1至0.2um，磁控溅射制备的铜层的厚度数值范围为1至1.5um。
[0015]采用上述进一步技术方案的有益效果是：使用磁控溅射离子镀膜机，在铁氧体表面溅射钛钨层薄膜0.1
‑
0.2um，之后溅射低成本导电层铜层1
‑
1.5um替代传统金层，保证产品性能及合格率，降低成本。
[0016]进一步地，所述步骤S2包括：
[0017]使用盐酸去除铜层表面的氧化层；
[0018]电镀加厚铜层；
[0019]在铜层上电镀金层。
[0020]采用上述进一步技术方案的有益效果是：防止氧化层影响微带电路的性能，提高微带电路的稳定性以及可靠性，保证产品性能及合格率，降低成本。
[0021]进一步地，所述电镀加厚铜层步骤为电镀加厚铜层至3
‑
4um，所述在铜层上电镀金层的步骤为在铜层上电镀金层3
‑
4um。
[0022]采用上述进一步技术方案的有益效果是：保证产品性能及合格率，降低成本。
[0023]进一步地，所述步骤S3包括：
[0024]使用匀胶机、热板、曝光机以及显影机制备电路图形；
[0025]通过湿法腐蚀后，得到微带电路。
[0026]采用上述进一步技术方案的有益效果是：保证产品性能及合格率，降低成本。
[0027]进一步地，所述步骤S1之后，步骤S2之前包括：
[0028]采用阶梯降温并充入氮气的工艺进行降温至室温；
[0029]进行膜层附着力检测和膜层厚度检测。
[0030]采用上述进一步技术方案的有益效果是：保证产品性能及合格率，降低成本。
[0031]此外，本专利技术还提供了一种微带环隔器，包括通过上述任意一项所述的一种微带电路制备方法制备的微带电路，还包括：金属载体片、铁氧体、介质片以及磁钢，所述铁氧体安装在所述金属载体片上，所述介质片安装在所述铁氧体中部，所述磁钢安装在所述介质片上，微带电路安装在所述铁氧体上。
[0032]采用本专利技术技术方案的有益效果是：使用磁控溅射制备种子层薄膜，然后溅射低成本导电层替代传统金层，使用电镀工艺制备最外层金层，最后使用光刻工艺制备微带电路图形。通过优化微带电路膜系和镀膜工艺流程，使用磁控溅射方法制备铜层的方法替代了铁氧体表面溅射金的工艺，解决了在大批量生产过程中溅射金靶的成本过高的问题，降低成本。
[0033]本专利技术附加的方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术实践了解到。
附图说明
[0034]图1为本专利技术实施例提供的微带电路制备方法的示意性流程图之一。
[0035]图2为本专利技术实施例提供的微带电路制备方法的示意性流程图之二。
[0036]图3为本专利技术实施例提供的微带环隔器的结构示意图。
[0037]附图标号说明：1、金属载体片；2、铁氧体；3、介质片；4、磁钢；5、微带电路。
具体实施方式
[0038]以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。
[0039]如图1所示，本专利技术实施例提供了一种微带电路制备方法，包括：
[0040]S1、在铁氧体上通过磁控溅射制备钛钨层以及铜层；
[0041]S2、电镀加厚铜层，并制备键合金层；
[0042]S3、通过光刻工艺制备图形，得到微带电路。
[0043]采用本专利技术技术方案的有益效果是：使用磁控溅射制备种子层薄膜，然后溅射低成本导电层替代传统金层，使用电镀工艺制备最外层金层，最后使用光刻工艺制备微带电路图形。通过优化微带电路膜系和镀膜工艺流程，使用磁控溅射方法制备铜层的方法替代了铁氧体表面溅射金的工艺，解决了在大批量生产过程中溅射金靶的成本过高的问题，降低成本。
[0044]如图2所示，图2中展示了微带电路制备方法的示意性流程，铁氧体基片(即铁氧体)、清洗、溅射、电镀、光刻，最终形成微带电路。
[0045]本专利技术提供的微带电路制备方法，可以为低成本制备微带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微带电路制备方法，其特征在于，包括：S1、在铁氧体上通过磁控溅射制备钛钨层以及铜层；S2、电镀加厚铜层，并制备键合金层；S3、通过光刻工艺制备图形，得到微带电路。2.根据权利要求1所述的一种微带电路制备方法，其特征在于，步骤S1之前包括：通过气体离子源对铁氧体进行清洗。3.根据权利要求2所述的一种微带电路制备方法，其特征在于，气体离子源为离子镀膜机的气体离子源，清洗时间为10min。4.根据权利要求1所述的一种微带电路制备方法，其特征在于，磁控溅射制备的钛钨层的厚度数值范围为0.1至0.2um，磁控溅射制备的铜层的厚度数值范围为1至1.5um。5.根据权利要求1所述的一种微带电路制备方法，其特征在于，步骤S2包括：使用盐酸去除铜层表面的氧化层；电镀加厚铜层；在铜层上电镀金层。6.根据权利要求5所述的一种微带电路制备方法，其特征在于，述电镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐冉，赵新华，徐翔，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：