一种深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法及电容技术

本发明专利技术提供一种深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法及电容，该方法包括如下步骤：根据基础金属之间的互感电容大小，确定所述基础金属的金属参数；基于所述金属参数并采用5层所述基础金属构建电容基本单元；将3个所述电容基本单元组合为电容基本模块；将多个所述电容基本模块与公共端连接，并使所述公共端与预设的反馈电容连接，形成采样MOM电容。本发明专利技术设计的采样MOM电容具有低容值、低失配误差、低寄生的单位电容的特点。生的单位电容的特点。生的单位电容的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法及电容


[0001]本专利技术属于采样电容
，具体是涉及到一种深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法及电容。

技术介绍

[0002]在各种不同类型的ADC中，流水线结构(pipeline)的ADC很好地协调了面积与速度之间的矛盾，但是在实现高分辨率的流水ADC时，由于器件失配因素引起的误差(电容失配)不消除，将对ADC性能产生严重的影响，在所有的电容种类中(MOSCAP、MIM、PIP、MOM)，其中只有MOM的电容值可以做到很小，而且成本便宜，不会增加掩模版层次。
[0003]模数转换器应用领域中，项目的设计工艺尺寸由原来的90/55nm工艺已经不能满足低功耗、高精度、快速转换速度等要求，因此也逐步升级为28nm主流工艺产品，从而进入深亚微米工艺行列，该工艺下金属的电阻电容特性，相比大工艺特性是有所反转。其中，MOM版图掩膜版误差的表现为如下几种方式：(a)光源系统衍射随机误差，取决于金属MOM的形状，相同的面积不同的形状，造成的随机误差是不一样的，具体的形状要结合subadc模块高度，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法，其特征在于，包括如下步骤：根据基础金属之间的互感电容大小，确定所述基础金属的金属参数；基于所述金属参数并采用5层所述基础金属构建电容基本单元；将3个所述电容基本单元组合为电容基本模块；将X个所述电容基本模块组合为电容基本模组A，将M个所述电容基本模块组合为电容基本模组B，且X=M；使所述电容基本模组A通过预设的公共端N与预设的假元件A以及预设的反馈电容组A连接，并使所述电容模组B通过预设的公共端P与预设的假元件B以及预设的反馈电容组B连接，形成采样MOM电容。2.根据权利要求1所述的深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法，其特征在于：所述金属参数包括金属长度、金属宽度、触点数量和金属间隙。3.根据权利要求1所述的深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法，其特征在于，所述将3个所述电容基本单元组合为电容基本模块包括如下步骤：将3个所述电容基本单元并列交错排布，且任意两个相邻的电容基本单元之间存在相同的单元间隙；将排布后的所述电容基本单元组合为电容基本模块。4.根据权利要求3所述的深亚微米下的采样MOM电容版图设计方法，其特征在于，所述电容基本模组A和所述电容基本模组B均包含8个所述电容基本模块，所述使所述电容基本模组A通过预设的公共端N与预设的假元件A以及预设的反馈电容组A连接，并使所述电容模组B通过预设的公共端P与预设的假元件B以及预设的反馈电容组B连接，形成采样MOM电容包括如下步骤：使所述电容基本模组A中8个所述电容基本模块的一端均与预设的公共端N的一端连接，使所述公共端N的另一端与预设的反馈电容组A连接；使所述公共端N连接有所述电容基本模组A的一端与预设的假元件A连接，且所述假元件A位于所述电容基本模组A旁靠近所述反馈电容组A的一侧；使所述电容基本模组B中8个所述电容基本模块的一端均与预设的公共端P的一端连接，使所述公共端P的另一端与预设...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杨，张其军，刘树凯，唐书林，黄岚芬，
申请(专利权)人：长沙泰科阳微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：