考虑脉冲窄化的软错误布局优化方法技术

本发明专利技术实施例中提供了一种考虑脉冲窄化的软错误布局优化方法，属于数据处理技术领域，具体包括：步骤1，将预设的RTL设计进行逻辑综合并采用布局工具生成输入布局；步骤2，使用KM算法全局找到输入布局中所有可能的单元对，得到单元配对结果；步骤3，根据单元配对结果，生成组合单元，并根据原始单元信息计算组合单元的初始位置和大小；步骤4，基于所有单元的初始位置，计算考虑位移的单元重定位，得到满足淬灭效应的淬灭单元对；步骤5，在考虑淬灭单元对情况下，利用预设操作进一步优化线长，其中，预设操作包括单元交换操作和单元插入操作，最终生成优化布局结果。通过本发明专利技术的方案，提高了优化效率和淬灭效应增强性能。了优化效率和淬灭效应增强性能。了优化效率和淬灭效应增强性能。

【技术实现步骤摘要】
考虑脉冲窄化的软错误布局优化方法


[0001]本专利技术实施例涉及数据处理
，尤其涉及一种考虑脉冲窄化的软错误布局优化方法。

技术介绍

[0002]目前，随着特征尺寸不断缩小，现代CMOS器件和集成电路 (IC) 由于较小的电容和较低的工作电压而变得更容易受到软错误的影响。软错误可以由多种原因引起，例如，来自封装衰变的α粒子、来自宇宙射线的二次粒子、串扰和电路中的随机噪声等，其中辐射引起的单粒子瞬态脉冲 (SET) 效应是软错误的主要原因。SET是由单个电离粒子通过器件中的敏感区域产生“累积电荷”引起的瞬态脉冲。由于SET会在电路中产生故障和软错误，甚至会导致设备损坏，因此SET对IC来说是严重的可靠性问题。
[0003]但是现有的布局优化方法，例如前人工作Chang Liu, Xu He, Bin Liang, and Yang Guo. 2018. Detailed placement for pulse quenching enhancement in anti
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radiation combination本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种考虑脉冲窄化的软错误布局优化方法，其特征在于，包括：步骤1，将预设的RTL设计进行逻辑综合并采用布局工具生成输入布局；步骤2，使用KM算法全局找到输入布局中所有可能的单元对，得到单元配对结果；步骤3，根据单元配对结果，生成组合单元，并根据原始单元信息计算组合单元的初始位置和大小；步骤4，基于所有单元的初始位置，计算考虑位移的单元重定位，得到满足淬灭效应的淬灭单元对；步骤5，在考虑淬灭单元对情况下，利用预设操作进一步优化线长，其中，预设操作包括单元交换操作和单元插入操作，最终生成优化布局结果。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于,所述步骤2具体包括：步骤2.1，生成每个单元对应的扇出集合并计算每个单元的敏感度；步骤2.2，使用KM算法将每个单元与其对应的扇出集合中敏感度最高的单元配对，形成单元配对结果。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于,所述步骤2.2具体包括：设和分别为单元和其扇出单元的输入坐标，并计算单元和其扇出单元的配对权值；构建连接图，其中表示扇入单元的集合，表示扇出单元的集合，表示连接集；调用KM算法对连接图进行全局单元配对，形成单元配对结果。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于,所述配对权值的计算公式为 ，其中，表示敏感度，和均为正参数。5. 根据权利要求3所述的方法，其特征在于,所述步骤3具体包括：根据已有的原始单元信息和位移驱动问题描述为并根据预设条件改写为布局问题；推理组合单元的初始信息，对于集成单元，其宽度和初始坐标计算如下：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺旭，刘畅，李暾，屈婉霞，吴强，张吉良，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科技大学，
类型：发明
国别省市：