【技术实现步骤摘要】
一种含萘并五元含氧杂环结构的化合物及包含其的有机电致发光器件
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其是涉及一种含萘并五元含氧杂环结构的化合物及包含其的有机电致发光器件。
技术介绍
[0002]有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中,并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件,要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如,作为电荷传输材料,要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱,空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配,导致复合区域偏移较大,不利于器件的稳定性。另外,空穴注入层材料和空穴传输层材料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素,因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域,一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋,截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高,因此,如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体,因此为了调节发光层的载流子平衡,需要空穴传输材料具有优异的空穴传输性能。空穴注入和传输越好,调节复合区域会向远离电子阻挡层侧偏移,从而远离界面发光,使得器件性能提高,寿命增加。因此要求空穴传输区域材料具有高空穴注入性、高空穴迁移率、高电子阻挡性和高电子耐候性。
[0004]空穴传输材料因为具有较厚的膜 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种含萘并五元含氧杂环结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(1)所示:通式(1)中,所述Z1、Z2分别独立地表示为C
‑
R;所述L、L1、L2分别独立的表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基或取代或未取代的亚联苯基;所述Ar1、Ar2分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的呋喃基、或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的胡椒环基、通式(2)、通式(3)或通式(4)所示结构,且Ar1、Ar2至少有一个表示为通式(2)、通式(3)或通式(4)所示结构,且当Ar1表示为通式(3)所示结构时,L2和Ar2所表示的支链不能为苯基;通式(3)中,所述Ra、Rb分别独立的表示为甲基、苯基或萘基;所述R、R1、R2分别独立的表示为氢原子、氘原子、甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基或联苯基;所述R3表示为氢原子、氘原子、甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基或联苯基,且当R3表示为苯基或萘基时可以通过a与b、b与c或c与d与通式(3)并结成环;所述R4表示为氢原子、苯基、萘基或联苯基;所述L3表示为单键、亚苯基、亚萘基或亚联苯基;“取代或未取代”基团的取代基选自氘原子、甲基、乙基、叔丁基、苯基、萘基、联苯基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基中的一种或多种。2.根据权利要求1所述含萘并五元含氧杂环结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(5)所示:
通式(5)中,所述L表示为亚苯基、亚萘基,所述L1、L2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基或亚联苯基;所述Ar1、Ar2、R1以及Z2的定义如权利要求1所述。3.根据权利要求1所述含萘并五元含氧杂环结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(6
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1)或通式(6
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2)所示:通式(6
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1)和通式(6
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2)中,所述L为亚苯基、亚萘基,L1、L2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基或亚联苯基;所述Ar1、Ar2的定义如权利要求1所述。4.根据权利要求1所述含萘并五元含氧杂环结构的化合物,其特征在于,所述化合物结构如通式(7
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1)或通式(7
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2)所示:通式(7
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1)和通式(7
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2)中,所述L和萘并五元含氧杂环的连接位点为1*、2*、3*或4*;所述L为亚苯基、亚萘基,L1、L2分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基或亚联苯基;所述Ar1、Z1、Z2、Ra、Rb的定...
【专利技术属性】
技术研发人员:葛立权,尚书夏,王芳,
申请(专利权)人:江苏三月科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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