本发明专利技术公开了一种芳胺类有机化合物及其制备的有机电致发光器件，所述有机化合物的结构如通式(1)所示：本发明专利技术有机化合物具有优异的空穴传输能力和热稳定性，通过使用本发明专利技术的芳胺类有机化合物来形成有机电致发光器件的空穴传输材料时，可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是延长器件高温寿命。温寿命。
【技术实现步骤摘要】
一种芳胺类有机化合物及其制备的有机电致发光器件
[0001]本专利技术涉及半导体材料
，尤其是涉及一种芳胺类有机化合物及其制备的有机电致发光器件。
技术介绍
[0002]有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中，并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱，空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配，导致复合区域偏移较大，不利于器件的稳定性。另外，空穴注入层材料和空穴传输层材料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素，因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域，一直是本领域的一项重要课题。
[0003]蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋，截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高，因此，如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体，因此为了调节发光层的载流子平衡，需要空穴传输材料具有优异的空穴传输性能。空穴注入和传输越好，调节复合区域会向远离电子阻挡层侧偏移，从而远离界面发光，使得器件性能提高，寿命增加。因此要求空穴传输区域材料具有高空穴注入性、高空穴迁移率、高电子阻挡性和高电子耐候性。
[0004]在本领域公知，在高温环境中，由于电子迁移率和空穴迁移率差异更加明显，导致在高温环境下，蓝光器件表现出富电子、缺空穴，器件寿命较差，为了提升蓝光器件高温寿命，需要提升空穴传输材料的迁移率，尤其是高温条件下的迁移率。
技术实现思路
[0005]针对现有技术存在的上述问题，本专利技术申请人提供了一种芳胺类有机化合物及其制备的有机电致发光器件。本专利技术有机化合物具有优异的空穴传输能力和热稳定性，通过使用本专利技术的芳胺类有机化合物来形成有机电致发光器件的空穴传输材料时，可同时显示出器件效率提升和寿命延长的效果，尤其是延长器件高温寿命。
[0006]本专利技术的技术方案如下：一种芳胺类有机化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：
[0007][0008]通式(1)中，所述L1、L2、L3分别独立的表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基中的一种；
[0009]所述Ar1至Ar2每次出现分别独立的表示为取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的C2‑
30
杂芳基；
[0010]m、n分别独立的表示为1、2、3或4；
[0011]所述R表示为氢原子、氘原子、苯基或萘基；
[0012]用于取代基团的取代基为氘原子、甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基或联苯基。
[0013]本专利技术还提供一种有机电致发光器件，其依次包括阳极、空穴传输区域、发光区域、电子传输区域和阴极，所述空穴传输区域包含所述的芳胺类有机化合物。
[0014]本专利技术有益的技术效果在于：
[0015]本专利技术芳胺类有机化合物的芳胺基团通过特定的连接位点和特定的芴类衍生物连接，使得本专利技术特征的分子具有如下几种优势。
[0016](1)这种结构特征有利于分子在成膜的时候保持稳定的无定形的膜相态，从而确保膜相态的物理化学的稳定性，以及点成作用下的膜相态稳定性，进而有利于获得器件的寿命稳定性。
[0017](2)所述本专利技术特征的连接方式，更有利于HOMO在整个分子上的分布，从而易于获得材料的高载流子迁移率，进而容易获得器件的长寿命效果。
[0018](3)因为本专利技术所述芳胺类有机化合物的结构特征有利于提升分子的玻璃化转移温度，同时有利于降低分子的蒸镀温度，也就是说即使结构的分子量比较高，但是却能确保具备较低的蒸镀温度，这种优异的性能不仅仅有利于材料的热蒸镀，控制材料的热分解率，从而提升材料在器件应用上的稳定性。
[0019]不仅如此，对于本专利技术所述特征的芳胺分子结构式而言，对于连接在芳胺上的配体优化，有利于进一步提升材料的性能，更有利于提升材料的稳定性以及迁移率，同时有利于对于材料的HOMO能级的精准调控，进而获得材料的良好器件应用效果。
[0020]构成OLED器件的有机功能材料不仅仅包含空穴注入传导材料还包括电子注入传导材料以及发光层材料，良好的器件应用效果，需要良好的载流子平衡度作保障，因此为了获得最佳的器件应用效果，匹配本专利技术所述特征结构的芳胺类材料，也需要特定的电子型材料进行搭配。基于本专利技术人的深入研究，所述电子型材料优选为含有氮杂苯结构特征的材料，比如三嗪类材料，吡啶类材料，吡嗪类材料等或含有这些特征基团的衍生物。本专利技术
的芳胺类有机化合物通过与氮杂苯环类电子传输材料组合，使得电子和空穴易于获得最佳平衡状态，在具有较高效率的同时还具有优异的寿命，尤其易于获得良好的器件高温寿命效果。
附图说明
[0021]图1为本专利技术有机电致发光器件的剖面图。
[0022]图中，1表示基板层；2表示阳极层；3表示空穴注入层；4表示空穴传输层；5表示电子阻挡层；6表示发光层；7表示空穴阻挡层；8表示电子传输层；9表示电子注入层；10表示为阴极层；11表示覆盖层。
具体实施方式
[0023]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0024]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
[0025]在本专利技术中，除非另有说明，HOMO意指分子的最高占据轨道，LUMO意指分子的最低空轨道。此外，在本专利技术中，HOMO和LUMO能级用绝对值表示，并且能级之间的比较也是比较其绝对值的大小，本领域技术人员知晓能级的绝对值越大，则该能级的能量越低。
[0026]在本专利技术中，当层或元件称为在另一层或者基板“之上”时，该层或元件可直接位于该另一层或者基板之上，或者也可存在中间层。此外，还将理解，当层称为在两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一的层，或者也可存在一个或者多个中间层。全文中相同的附图标记表示相同的元件。
[0027]在本专利技术中，在描述电极和有机电致发光器件，以及其他结构体时，所采用的“上”、“下”、“顶”和“底”等表示方位的词，仅表本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(1)所示：通式(1)中，所述L1、L2、L3分别独立的表示为单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚联苯基中的一种；所述Ar1至Ar2每次出现分别独立的表示为取代或未取代的C6‑
30
芳基、取代或未取代的C2‑
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杂芳基；m、n分别独立的表示为1、2、3或4；所述R表示为氢原子、氘原子、苯基或萘基；用于取代基团的取代基为氘原子、甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基或联苯基。2.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(2)所示：通式(2)中，R1表示为氘原子、甲基、乙基、叔丁基、金刚烷基、苯基、萘基或联苯基；R、L2、L3、Ar2、n的定义同权1。3.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的结构如通式(3)所示：
通式(3)中，X表示为O、S、C(R2R3)、N(R4)，R2、R3表示为甲基或苯基，R4表示为苯基；R、L2、L3、Ar2、n的定义同权1。4.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述Ar1至Ar2分别独立的表示为取代或未取代的苯基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯基芴基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的N
‑
苯基咔唑、取代或未取代的咔唑基。5.根据权利要求1所述的芳胺类有机化合物，其特征在于，所述化合物的具体结构为如下结构中的任一种：
6.一种有机电致发光器件，其依次包括阳极、空...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛立权，陈海峰，王芳，
申请(专利权)人：江苏三月科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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