III族元素氮化物半导体基板制造技术

本发明专利技术提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的大口径的III族元素氮化物半导体基板，尽管是大口径，第一面内的品质的偏差也得以抑制。本发明专利技术的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，其中，直径为100mm以上，基于该第一面的整个区域的范围的利用光致发光测定得到的光致发光光谱得到的、该第一面的整个区域的88％以上的范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】III族元素氮化物半导体基板


[0001]本专利技术涉及III族元素氮化物半导体基板。更详细而言，涉及具备处于表背关系的主面和背面的大口径的III族元素氮化物半导体基板，其中，主面内的品质偏差得以抑制。

技术介绍

[0002]作为各种半导体器件的基板，采用氮化镓(GaN)晶片、氮化铝(AlN)晶片、氮化铟(InN)晶片等III族元素氮化物半导体基板(例如专利文献1等)。
[0003]半导体基板具备第一面和第二面。将第一面设为主面，将第二面设为背面时，主面代表性的为III族元素极性面，背面代表性的为氮极性面。在主面上能够生长外延结晶，另外，能够制作各种器件。
[0004]III族元素氮化物半导体基板用作LED、LD等发光器件的基底基板，近年来，在高频/高功率的电子器件中的应用也备受关注。特别是，大功率器件中，由于元件尺寸变大，所以，对于III族元素氮化物半导体基板，要求进行从目前主流的2英寸(直径50.8mm)到4英寸(约100mm)、6英寸(约150mm)等的大口径化。
[0005]作为大口径的III族元素氮化物半导体基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，所述III族元素氮化物半导体基板的特征在于，直径为100mm以上，基于该第一面的整个区域的范围的利用光致发光测定得到的光致发光光谱得到的、该第一面的整个区域的88％以上的范围内的黄色发光强度的变异系数为0.3以下。2.根据权利要求1所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，所述变异系数为0.2以下。3.根据权利要求1或2所述的III族元素氮化物半导体基板，其特征在于，基于所述第一面的整个区域的范围的利用光致...

【专利技术属性】
技术研发人员：野中健太朗，平尾崇行，今井克宏，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：