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本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的大口径的III族元素氮化物半导体基板，尽管是大口径，第一面内的品质的偏差也得以抑制。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板是具备第一面和第二面的III族元素氮...
该专利属于日本碍子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日本碍子株式会社授权不得商用。

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