促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置。所述半导体晶体生长装置包括：生长腔室、设置于生长腔室内的反应容器和原料补充容器；所述反应容器用于承载晶体生长所需的籽晶和/或衬底以及容置晶体生长所需的生长原料；升降机构，所述升降机构与所述反应容器和/或原料补充容器传动连接，并至少用于驱使所述反应容器和/或原料补充容器沿预定方向运动，所述反应容器能够相对运动至所述原料补充容器内并与所述原料补充容器相连通。本实施例提供的一种半导体晶体生长装置，可以持续向反应容器中补充相同组分配比的生长原料，保持反应容器中的生长原料化学组分恒定，提高单晶生长质量的片内均匀性。提高单晶生长质量的片内均匀性。提高单晶生长质量的片内均匀性。

【技术实现步骤摘要】
促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置


[0001]本技术涉及一种半导体晶体生长设备，特别涉及一种促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，属于半导体生长设备


技术介绍

[0002]氮化镓作为第三代半导体核心材料之一，具有禁带宽度大，饱和电子迁移率高，击穿场强高，热导率高，介电常数小，抗辐射性能强，化学稳定性好等优良特性。氮化镓在光学器件和大功率电子器件上都有广泛的应用，如发光二极管(LED)、激光二极管(LD)和大功率晶体管。目前，生产氮化镓的方法主要有四种，高压熔液法，氢化物气相外延法，氨热法，助熔剂法。但是，高压熔液法，氢化物气相外延法，氨热法和助熔剂法。而助熔剂法作为一种近热力学平衡态下的生长方法，具有诸多优势，是目前公认的获得低成本、高质量、大尺寸氮化镓体单晶的生长方法之一。
[0003]通常，助熔剂法氮化镓体单晶的一般生长过程为：选取适当原料(主要为金属镓、金属钠、碳添加剂等)成分配比，将装有生长原料和氮化镓籽晶的坩埚置于生长炉中，在一定生长温度、一定生长压力的氮气氛围，通过控制不同的生长时间，在氮化镓籽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于包括：生长腔室、设置于生长腔室内的反应容器和原料补充容器；所述反应容器用于承载晶体生长所需的籽晶和/或衬底以及容置晶体生长所需的生长原料，所述原料补充容器用于容置晶体生长所需的生长原料；以及升降机构，所述升降机构与所述反应容器和/或原料补充容器传动连接，并至少用于驱使所述反应容器和/或原料补充容器沿预定方向运动，且所述反应容器和原料补充容器中的一者位于另一者的运动轨迹上，所述反应容器能够相对运动至所述原料补充容器内并与所述原料补充容器相连通。2.根据权利要求1所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器固定在所述生长腔室内，所述原料补充容器与所述升降机构传动连接。3.根据权利要求1或2所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器沿预定方向设置在所述原料补充容器的上方，其中，所述预定方向为重力方向。4.根据权利要求3所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器与原料补充容器同轴设置。5.根据权利要求3所述的促进原料组分恒定和流动性的半导体晶体生长装置，其特征在于：所述反应容器在预定方向上的...

【专利技术属性】
技术研发人员：司志伟，刘宗亮，徐科，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：新型
国别省市：