【技术实现步骤摘要】
接近开关和用于操作接近开关的方法
[0001]本专利技术涉及根据权利要求1前序部分的接近开关和根据权利要求9前序部分的用于操作接近开关的方法。
技术介绍
[0002]接近开关,特别是感应式接近开关,在现有技术中是众所周知的。
[0003]感应式接近开关在现有技术中是已知的,例如DE4429314B4描述了这样一种接近开关,其中在线圈中产生交变磁场,使得穿透的金属物体影响振动状态。检测到的振动状态的变化通过一个电路进行评估,其中在交变场中布置有两个在直流差分电路中的传感器线圈以用于检测感应电压。传感器线圈的差分电压在此在响应距离内变为零。在根据DE4429314B4的解决方案中,绕组线圈布置在三个平面或三个走廊中。这种解决方案的缺点是绕组线圈容易老化,因此开关距离会随时间偏离。尤其是绕组线圈所能达到的最大开关距离受到严重限制。DE102006053023A1示出了替代的实施方式。这些已知解决方案的缺点是,温度影响会导致偏离或滞后。
[0004]因此,为了补偿温度影响,US8432169B2建议,通过微调器提供具 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种接近开关(1),特别是感应式接近开关,所述接近开关具有限定的检测区域(30),所述接近开关(1)包括
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振荡器(2),所述振荡器产生交变磁场并通过穿透到所述检测区域(30)中的目标改变其振荡状态,
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至少一个振荡放大器(10),
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设置有至少一个温度传感器(5),所述温度传感器(5)用于检测所述接近开关(1)的元件的温度和/或环境温度,特别是用于检测所述振荡放大器(10)和/或线圈的温度,其中,所述振荡放大器(10)设计为可控制和可调节的并具有至少一个放大器级(11),理想情况下具有两个放大器级(11、12),其中,所述振荡器(2)基于由所述温度传感器(5)确定的温度可控制,
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至少一个微处理器(15),所述微处理器(15)用于控制所述振荡放大器(10)的放大,
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至少一个存储介质(16),所述存储介质(16)至少以数据传导方式、特别是以电流和数据传导方式连接到所述微处理器,其中,在所述存储介质(16)上存储或可存储补偿数据,其特征在于,所述振荡放大器(10)的至少一个放大器级(11)具有可调节的温度补偿电路(TKS)(13),所述温度补偿电路(13)设计为,基于作为来自所述微处理器(15)和/或来自存储介质(16)的控制数据的补偿值根据所述温度传感器(5)确定的温度来影响所述振荡器(2)的振荡行为。2.根据权利要求1所述的接近开关(1),其特征在于,温度补偿电路(13)设置在所述至少一个放大器级(11、12)的发射极支路(13)中。3.根据权利要求1或2所述的接近开关(1),其特征在于,所述振荡放大器(10)具有两个放大器级(11、12)。4.根据权利要求3所述的接近开关(1),其特征在于,所述振荡放大器(10)具有两个放大器级(11、12),其中,所述温度补偿电路集成在所述第一放大器级(11)中。5.根据权利要求1所述的接近开关(1),其特征在于,所述振荡放大器(10)具有两个放大器级,其中,分别有一个温度补偿电路(13、14)集成在所述第一放大器级(11)和第二放大器级(12)中。6.根据权利要求1所述的接近开关(1),其特征在于,所述至少一个温度补偿电路(13、14)包括数字电位器(30)。7.根据权利要求1所述的接近开关(...
【专利技术属性】
技术研发人员:T,
申请(专利权)人:图尔克控股有限责任公司,
类型:发明
国别省市:
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