一种有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端，所述方法包括：确定器件失效区域，所述器件失效区域用于表示失效的器件单元在晶圆中的位置区域和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线在晶圆中的位置区域；确定一类或多类缺陷中的每一个缺陷在晶圆中的位置；对所述器件失效区域进行扩展；基于缺陷在晶圆中的位置，确定扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷，以作为当前目标类别缺陷的有效缺陷，其中，所述目标类别缺陷是所述一类或多类缺陷中的一个缺陷类别。本发明专利技术可以提高对有效缺陷判断的准确性，有利于提高后续对良率进行预测的准确性。确性。确性。
【技术实现步骤摘要】
有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端。
技术介绍
[0002]缺陷(defect)是芯片良率损失的主要元凶之一，在晶圆制造中，通常会采用缺陷检测设备对晶圆进行扫描，以确认晶圆上的缺陷。由于并非每个缺陷都会造成良率损失，因此需要采用缺陷杀伤比(Defect Killer Ratio)对缺陷会造成良率损失的概率进行表征。
[0003]在确定缺陷种类和数目的基础上，可根据每一类别缺陷的缺陷杀伤比，预测该类别缺陷对于良率的杀伤程度，进而可以对进行过缺陷检测的晶圆预测良率损失以及良率。缺陷杀伤比作为预测缺陷所造成的良率损失的重要前提，其准确性会直接影响良率损失和良率的预测准确度。
[0004]然而在现有技术中，确定缺陷杀伤比的方法过于粗糙，导致良率预测准确性较低。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端，可以提高对有效缺陷判断的准确性，有利于提高后续对良率进行预测的准确性。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种有效缺陷的确定方法，包括：确定器件失效区域，所述器件失效区域用于表示失效的器件单元在晶圆中的位置区域和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线在晶圆中的位置区域；确定一类或多类缺陷中的每一个缺陷在晶圆中的位置；对所述器件失效区域进行扩展；基于缺陷在晶圆中的位置，确定扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷，以作为当前目标类别缺陷的有效缺陷，其中，所述目标类别缺陷是所述一类或多类缺陷中的一个缺陷类别。
[0007]可选的，确定器件失效区域，包括：采用可测性设计DFT工具，确定所述器件失效区域。
[0008]可选的，满足一项或多项：所述失效的器件单元为失效的标准设计单元；所述器件连线为与所述失效的标准设计单元连接的金属连线。
[0009]可选的，确定器件失效区域，包括：采用失效分析FA工具，确定所述器件失效区域。
[0010]可选的，对所述器件失效区域进行扩展，包括：对于每类缺陷，基于扫描该类缺陷的设备精度确定扩展宽度；采用所述扩展宽度，在各个方向上对所述器件失效区域进行扩展；其中，扫描该类缺陷的设备精度越高，所述扩展宽度越小。
[0011]可选的，对所述器件失效区域进行扩展，包括：采用预设的扩展宽度，在各个方向上对所述器件失效区域进行扩展
；
其中，所述晶圆的器件最小特征尺寸越小，所述扩展宽度越小。
[0012]可选的，所述的有效缺陷的确定方法还包括：基于所述有效缺陷的数量，确定缺陷杀伤比。
[0013]可选的，基于所述有效缺陷的数量，确定缺陷杀伤比，包括：确定所述目标类别缺陷在晶圆上的缺陷总数量；将所述有效缺陷的数量与所述缺陷总数量的商值，作为该类缺陷的缺陷杀伤比。
[0014]可选的，基于所述有效缺陷的数量，确定缺陷杀伤比，包括：确定所述目标类别缺陷的有效缺陷在所述晶圆上所属的芯片的数量，记为第一数量；确定所述目标类别缺陷的所有芯片在所述晶圆上所属的芯片的数量，记为第二数量；确定所述第一数量与所述第二数量的商值，作为该类缺陷的缺陷杀伤比。
[0015]可选的，所述的有效缺陷的确定方法还包括：基于所述缺陷杀伤比与预设的第二数量的乘积，对良率损失进行预测。
[0016]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种有效缺陷的确定装置，包括：区域确定模块，用于确定器件失效区域，所述器件失效区域用于表示失效的器件单元在晶圆中的位置区域和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线在晶圆中的位置区域；位置确定模块，用于确定一类或多类缺陷中各个缺陷在晶圆中的位置；扩展模块，用于对所述器件失效区域进行扩展；有效缺陷确定模块，用于对于每类缺陷，确定扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷，以作为该类缺陷的有效缺陷。
[0017]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行上述有效缺陷的确定方法的步骤。
[0018]为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种配置终端，包括存储器和处理器，所述存储器上存储有能够在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行上述有效缺陷的确定方法的步骤。
[0019]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0020]在本专利技术实施例中，通过确定失效的器件单元在晶圆中的位置区域和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线在晶圆中的位置区域，可以将无法正常工作的失效芯片的失效因素细化到器件级别，然后通过对所述器件失效区域进行扩展，确定扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷，可以仅将与良率损失有关的缺陷(即与良率具有伴随关系的缺陷)判断为有效缺陷，排除与良率损失无关的缺陷，从而可以将缺陷判断的颗粒度从单颗芯片级别(厘米级)精确到了失效位置级别(微米级)，有效提高精确度，提高对有效缺陷判断的准确性，有利于提高后续对良率进行预测的准确性。
[0021]进一步，可以采用可测性设计DFT工具，确定所述器件失效区域，可以利用在设计阶段确定的标准设计单元及其金属连线，提高对于失效的器件单元和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线的位置进行确定的准确性。
[0022]进一步，可以采用失效分析FA工具，确定所述器件失效区域，可以利用失效分析结果，对失效的器件单元和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线的位置进行判断。
[0023]进一步，对所述器件失效区域进行扩展，包括：对于每类缺陷，基于扫描该类缺陷的设备精度确定扩展宽度；采用所述扩展宽度，在各个方向上对所述器件失效区域进行扩展；其中，扫描该类缺陷的设备精度越高，所述扩展宽度越小，从而可以设置合理的扩展区域，更好地实现扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷为与良率损失有关的缺陷，扩展后的器件失效区域未覆盖的缺陷为与良率损失无关的缺陷。
[0024]进一步，确定所述目标类别缺陷在晶圆上的缺陷总数量；将所述有效缺陷的数量
与所述缺陷总数量的商值，作为该类缺陷的缺陷杀伤比，从而可以确定目标类别缺陷的所有缺陷中有效缺陷的比例，作为缺陷杀伤比，相比于现有技术中，确定存在当前目标类别缺陷的失效芯片与存在当前目标类别缺陷的所有芯片的比例，采用有效缺陷进行判断，可以将缺陷判断的颗粒度从单颗芯片级别精确到缺陷级别，提高对缺陷杀伤比和良率进行预测的准确性。
[0025]进一步，基于所述有效缺陷的数量，确定缺陷杀伤比，包括：确定所述目标类别缺陷的有效缺陷在所述晶圆上所属的芯片的数量，记为第一数量；确定所述目标类别缺陷的所有芯片在所述晶圆上所属的芯片的数量，记为第二数量，记为第二数量；确定所述第一数量与所述第二数量的商值，作为该类缺陷的缺陷杀伤比，从而可以确定目标类别缺陷所属的芯片中含有有效缺陷的芯片的比例，作为缺陷杀伤比，相比于现有技术中，确定存在当前目标类别缺陷的失效芯片与存在本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有效缺陷的确定方法，其特征在于，包括：确定器件失效区域，所述器件失效区域用于表示失效的器件单元在晶圆中的位置区域和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线在晶圆中的位置区域；确定一类或多类缺陷中的每一个缺陷在晶圆中的位置；对所述器件失效区域进行扩展；基于缺陷在晶圆中的位置，确定扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷，以作为当前目标类别缺陷的有效缺陷，其中，所述目标类别缺陷是所述一类或多类缺陷中的一个缺陷类别。2.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，确定器件失效区域，包括：采用可测性设计DFT工具，确定所述器件失效区域。3.根据权利要求2所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，满足一项或多项：所述失效的器件单元为失效的标准设计单元；所述器件连线为与所述失效的标准设计单元连接的金属连线。4.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，确定器件失效区域，包括：采用失效分析FA工具，确定所述器件失效区域。5.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，对所述器件失效区域进行扩展，包括：对于每类缺陷，基于扫描该类缺陷的设备精度确定扩展宽度；采用所述扩展宽度，在各个方向上对所述器件失效区域进行扩展；其中，扫描该类缺陷的设备精度越高，所述扩展宽度越小。6.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，对所述器件失效区域进行扩展，包括：采用预设的扩展宽度，在各个方向上对所述器件失效区域进行扩展
；
其中，所述晶圆的器件最小特征尺寸越小，所述扩展宽度越小。7.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，还包括：基于所述有效缺陷的数量，确定缺陷杀伤比。...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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