有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端制造方法及图纸

一种有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端，所述方法包括：确定器件失效区域，所述器件失效区域用于表示失效的器件单元在晶圆中的位置区域和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线在晶圆中的位置区域；确定一类或多类缺陷中的每一个缺陷在晶圆中的位置；对所述器件失效区域进行扩展；基于缺陷在晶圆中的位置，确定扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷，以作为当前目标类别缺陷的有效缺陷，其中，所述目标类别缺陷是所述一类或多类缺陷中的一个缺陷类别。本发明专利技术可以提高对有效缺陷判断的准确性，有利于提高后续对良率进行预测的准确性。确性。确性。

【技术实现步骤摘要】
有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端。

技术介绍

[0002]缺陷(defect)是芯片良率损失的主要元凶之一，在晶圆制造中，通常会采用缺陷检测设备对晶圆进行扫描，以确认晶圆上的缺陷。由于并非每个缺陷都会造成良率损失，因此需要采用缺陷杀伤比(Defect Killer Ratio)对缺陷会造成良率损失的概率进行表征。
[0003]在确定缺陷种类和数目的基础上，可根据每一类别缺陷的缺陷杀伤比，预测该类别缺陷对于良率的杀伤程度，进而可以对进行过缺陷检测的晶圆预测良率损失以及良率。缺陷杀伤比作为预测缺陷所造成的良率损失的重要前提，其准确性会直接影响良率损失和良率的预测准确度。
[0004]然而在现有技术中，确定缺陷杀伤比的方法过于粗糙，导致良率预测准确性较低。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种有效缺陷的确定方法及装置、可读存储介质、配置终端，可以提高对有效缺陷判断的准确性，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有效缺陷的确定方法，其特征在于，包括：确定器件失效区域，所述器件失效区域用于表示失效的器件单元在晶圆中的位置区域和/或与所述失效的器件单元连接的器件连线在晶圆中的位置区域；确定一类或多类缺陷中的每一个缺陷在晶圆中的位置；对所述器件失效区域进行扩展；基于缺陷在晶圆中的位置，确定扩展后的器件失效区域覆盖的缺陷，以作为当前目标类别缺陷的有效缺陷，其中，所述目标类别缺陷是所述一类或多类缺陷中的一个缺陷类别。2.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，确定器件失效区域，包括：采用可测性设计DFT工具，确定所述器件失效区域。3.根据权利要求2所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，满足一项或多项：所述失效的器件单元为失效的标准设计单元；所述器件连线为与所述失效的标准设计单元连接的金属连线。4.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，确定器件失效区域，包括：采用失效分析FA工具，确定所述器件失效区域。5.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，对所述器件失效区域进行扩展，包括：对于每类缺陷，基于扫描该类缺陷的设备精度确定扩展宽度；采用所述扩展宽度，在各个方向上对所述器件失效区域进行扩展；其中，扫描该类缺陷的设备精度越高，所述扩展宽度越小。6.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，对所述器件失效区域进行扩展，包括：采用预设的扩展宽度，在各个方向上对所述器件失效区域进行扩展
；
其中，所述晶圆的器件最小特征尺寸越小，所述扩展宽度越小。7.根据权利要求1所述的有效缺陷的确定方法，其特征在于，还包括：基于所述有效缺陷的数量，确定缺陷杀伤比。...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：全芯智造技术有限公司，
类型：发明
国别省市：