一种发光二极管制造技术

本申请提供的一种发光二极管，包括衬底；依次沉积在衬底上的N型GaN层、PN结层、P型GaN层、透明导电层；透明导电层上设有通孔，通孔朝向衬底方向延伸，并贯穿P型GaN层、PN结层和N型GaN层。通过设置通孔，使得光线朝向背离衬底的方向折射，即朝向透明导电层的方向出射，从而避免光线在发光二极管中来回反射降低发光效率，也避免光线在来回反射过程中被吸收消耗成热能，保证发光二极管的寿命。而且，降低透明导电层对光吸收面积，提高外量子效率，进而提高发光二极管的发光效率。发光二极管的发光效率。发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，LED)有节能、环保、安全、寿命长、低功耗等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域，可靠性好而被广泛应用。
[0003]LED通过PN结将电转化为光的效率属于内量子效率，将PN结发出的光取出属于外量子效率，提高LED的发光二极管的光电转化效率需要从内量子效率、外量子效率两个方向同时进行。
[0004]现有发光二极管的主要为氮化镓GaN、砷化镓GaAs等半导体晶体材料，例如450nm波段GaN的折射率为2.2，PN结中发出的光从GaN材料出射到空气，入射角较大的光线会发生全反射现象，光会一直在发光二极管中来回反射被吸收消耗成热能，严重降低发光二极管的发光效率。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种发光二极管，以解决现有发光二极管发光效率低的问题。
[0006]本申请提供一种发光二极管，包括衬底；依次沉积在衬底上的N型GaN层、P本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括衬底；依次沉积在衬底上的N型GaN层、PN结层、P型GaN层、透明导电层；所述透明导电层上设有通孔，所述通孔朝向所述衬底方向延伸，并贯穿所述P型GaN层、所述PN结层和所述N型GaN层。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述通孔贯穿所述衬底。3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述通孔为圆形孔。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述圆形孔的半径为2
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500um。5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述通孔的截面形状为长条形或三角形。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚志强，黄鑫，赵倩，赵方方，曹玉飞，张振，马闯，夏磊，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：新型
国别省市：