发光器件、用于制造发光器件的方法及包括发光器件的显示装置制造方法及图纸

一种发光器件包括：第一半导体层，包括第一类型半导体；第二半导体层，包括与第一类型半导体不同的第二类型半导体；活性层，设置在第一半导体层的一个表面与第二半导体层的一个表面之间；第一电极层，布置在第二半导体层的另一表面上，并且具有第一剖面面积；以及第二电极层，布置在第一半导体层的另一表面上，并且具有比第一剖面面积小的第二剖面面积。该发光器件的由第一半导体层、活性层、第二半导体层和第二电极层限定的侧表面与第一电极层的主表面垂直。的主表面垂直。的主表面垂直。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光器件、用于制造发光器件的方法及包括发光器件的显示装置


[0001]本公开的实施例的方面涉及一种发光元件、一种制造该发光元件的方法以及一种包括该发光元件的显示装置。

技术介绍

[0002]最近，随着对信息显示的兴趣日益增加，对显示装置的研究和开发正在不断进行。

技术实现思路

[0003]技术问题
[0004]本公开的实施例提供了一种发光元件、一种制造该发光元件的方法以及一种包括该发光元件的显示装置，其中，避免了(或基本上避免了)发光元件的误排列(misarrangement)并且改善了发光效率。
[0005]应当注意的是，本公开的方面和特征不限于上述方面和特征，并且本领域技术人员将通过以下描述清楚地理解本公开的其他方面和特征。
[0006]技术方案
[0007]根据本公开的实施例，一种发光元件包括：第一半导体层，包括第一类型半导体；第二半导体层，包括与第一类型半导体不同的第二类型半导体；活性层，在第一半导体层的一个表面与第二半导体层的一个表面之间；第一电极层，在第二半导体层的另一表面上，并且具有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，所述发光元件包括：第一半导体层，包括第一类型半导体；第二半导体层，包括与所述第一类型半导体不同的第二类型半导体；活性层，在所述第一半导体层的一个表面与所述第二半导体层的一个表面之间；第一电极层，在所述第二半导体层的另一表面上，并且具有第一剖面面积；以及第二电极层，在所述第一半导体层的另一表面上，并且具有比所述第一剖面面积小的第二剖面面积，其中，所述发光元件的由所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层和所述第二电极层限定的侧表面与所述第一电极层的主表面垂直。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层各自包括透明导电材料。3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述透明导电材料包括选自透明导电氧化物(TCO)氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺杂氟的氧化锡(FTO)中的任一种。4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一电极层包括透明导电材料，并且所述第二电极层包括反射材料。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述反射材料包括选自铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、其氧化物或合金中的任一种。6.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层中的每个具有所述第二剖面面积。7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光元件的母线与所述第一电极层之间的角为90
°
。8.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括覆盖所述活性层的至少一部分的绝缘膜。9.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第二电极层、所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层中的每个的剖面具有圆形形状、椭圆形形状和多边形形状中的一种。10.一种制造发光元件的方法，所述方法包括以下步骤：在堆叠基底上依次地设置未掺杂半导体层、第一半导体层、活性层、第二半导体层、第一电极层和结合层；将所述堆叠基底与所述未掺杂半导体层分离；将所述未掺杂半导体层与所述第一半导体层分离；将第二电极层定位在所述第一半导体层上；在从所述第一半导体层朝向所述第二半导体层的方向上，执行第一蚀刻工艺以去除所述第二电极层、所述第一半导体层、所述活性层和所述第二半导体层中的每个的至少一部分；在从所述第一半导体层朝向所述第二半导体层的所述方向上，执行第二蚀刻工艺以蚀刻所述第二电极层、所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：车炯来，金东旭，沈泳出，张圣爱，咸智贤，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：