一种金凸块晶圆返工的工艺制造技术

技术编号:37502190 阅读:21 留言:0更新日期:2023-05-07 09:38
本发明专利技术公开了半导体集成电路领域内的一种金凸块晶圆返工的工艺,包括如下步骤:Pre

【技术实现步骤摘要】
一种金凸块晶圆返工的工艺


[0001]本专利技术属于半导体集成电路领域,特别涉及一种适用于常规未久置或久置时间较短的金凸块晶圆返工的工艺。

技术介绍

[0002]现有技术中,液晶面板广泛存在于我们的日常生活中,例如手机、平板电脑、笔记本电脑和电视等。而液晶面板功能的实现,是通过封装在面板周围的驱动芯片。液晶面板驱动芯片、射频芯片、存储芯片等等在完成集成电路的制作后,一般会需要通过凸块导电结构,将其与印刷电路板或基板等其他组件连接,继而做信号传递。
[0003]现有技术中,以金凸块工艺为例,现有的常规金凸块制作工艺主要如下:

溅镀
→②
光阻涂布
→③
曝光
→④
显影
→⑤
电镀金凸块
→⑥
光阻去除
→⑦
电浆处理
→⑧
金蚀刻
→⑨
钛钨蚀刻
→⑩
韧化。
[0004]金凸块工艺完成后,晶圆产品会入库保存,等待客户后续订单进行封装压合工序。但有的时候存在如下问题:本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金凸块晶圆返工的工艺,其特征在于,包括如下步骤:(1)Pre

clean:先使用电浆机处理晶圆,再用scrubber清洗机来清洗晶圆;(2)去水烘烤:将晶圆放入烘箱,控制烘烤温度为100

120℃,烘烤时间为15

30min,用于去除晶圆表面的水汽;(3)光阻涂布:使用光阻涂布机,在晶圆表面覆盖涂上一层16

25um厚度的光阻,使得光阻的表面高度高于金凸块的表面高度,金凸块位于光阻下方;(4)曝光:使用曝光机,对晶圆上生长金凸块的位置上方的光阻使用350

430nm波长的光进行照射,使之发生光溶解反应形成曝光区;(5)显影及显影后烘烤:用显影机和显影液,通过显影液浸泡晶圆去除掉曝光区的光阻,将需要移除金凸块的位置打开开窗,再用烘箱烘烤晶圆将液体水汽烘干;(6)电浆处理:使用电浆机,利用RF及ICP刻蚀技术将O2激发成plasma,处理晶圆表面,增加金凸块表面的亲水性;(7)金蚀刻:用金蚀刻机台和金蚀刻药液,通过金蚀刻药液去除金凸块及底部的金层;(8)光阻去除:用光阻去...

【专利技术属性】
技术研发人员:李文浩陆张潇王冬冬张伟
申请(专利权)人:江苏汇成光电有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1