图像传感器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种图像传感器及其制备方法，该图像传感器包括半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面；设于半导体衬底内的感光单元；覆盖于所述半导体衬底第一表面上的金属互连层及介质层；覆盖于所述半导体衬底第二表面上的光线入射层；依次层叠覆盖于所述光线入射层上的吸收层、彩膜层和微透镜；且微透镜的位置与所述感光单元相对应，其中，所述吸收层用于吸收长波长的光线。该图像传感器用以实现在不增加成本的基础上，满足图像传感器对长波长的截止需求。器对长波长的截止需求。器对长波长的截止需求。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种图像传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是一种将光学信息(opticalinformation)转换为电信号的半导体器件装置。现有图像传感器可以被进一步分为互补金属氧化物半导体图像传感器和电荷耦合器件图像传感器。
[0003]图像传感器正朝着微型化的趋势发展，新一代电子产品对图像传感器封装结构有着更高的要求，例如更小的外形和更低的成本。然而为了制作具有光截止功能的图像传感器，现有晶圆级图像传感器封装方法通常是在封装站点完成键合后，在壳体上覆盖具有吸收功能的镀膜玻璃，以满足后端的光谱要求，但是这样做存在图像传感器封装体积大且镀膜玻璃价格昂贵的缺点。虽然也有少数厂家采用微透镜制作完成后再进行有机材料镀膜，光刻显影形成与微透镜相同形状的具有吸收功能的膜层，但这种工艺制作出来的图像传感器只能截止到800nm～850nm的光段，不能完全满足大于850nm的长波长的截止需求。
[0004]因此，如何在不增加成本的基础上，满足图像传感器对大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和第二表面；设于半导体衬底内的感光单元；覆盖于所述半导体衬底第一表面上的金属互连层及介质层；覆盖于所述半导体衬底第二表面上的光线入射层；依次层叠覆盖于所述光线入射层上的吸收层、彩膜层和微透镜；且微透镜的位置与所述感光单元相对应，其中，所述吸收层用于吸收长波长光线。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括深槽隔离，位于所述半导体衬底内，且位于感光单元旁侧。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述光线入射层包括金属栅格，且所述金属栅格与所述深槽隔离对应设置。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述吸收层的材料为无机物，所述彩膜层的材料为有机物。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器为背照式结构的图像传感器，其中，所述第一表面为所述半导体衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：史海军，秦笑，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：