光电传感器制造技术

本实用新型专利技术提供一种光电传感器，包括感测阵列及多个截止电路。感测阵列包含多个光电二极管，且这些截止电路配置于感测阵列的侧边旁。每一截止电路电性连接至这些光电二极管中的至少二个光电二极管，且不同的截止电路电性连接至不同的光电二极管。连接至不同的光电二极管。连接至不同的光电二极管。

【技术实现步骤摘要】
光电传感器


[0001]本技术涉及一种光电传感器(optoelectric sensor)。

技术介绍

[0002]随着光电技术的发展，各种光电传感器被发展出来，包括光雷达(LiDAR)的传感器、飞行时间测距传感器(time
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flight ranging sensor)或影像传感器。在光雷达的传感器或飞行时间测距传感器中，有一种技术是采用单光子雪崩二极管(single photon avalanche diode,SPAD)来量测光的飞行时间。
[0003]单光子雪崩二极管像素在大面积的设计之下，当像素面积变大时，虽然信号的强度随面积变大而变强，但噪声随面积变大的程度大于信号随面积变强的程度，且噪声的标准偏差也随着面积的都加而增加，导致信噪比(signal to noise ratio,SNR)变差。如此一来，会造成整体系统的负担。

技术实现思路

[0004]本技术提供一种光电传感器，其可有效提升信噪比。
[0005]本技术的一实施例提出一种光电传感器，包括感测阵列及多个本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：感测阵列，包含多个光电二极管；以及多个截止电路，配置于所述感测阵列的侧边旁，其中每一截止电路电性连接至所述多个光电二极管中的至少二个光电二极管，且不同的截止电路电性连接至不同的光电二极管。2.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述多个光电二极管为多个单光子雪崩二极管。3.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述截止电路包括晶体管与电阻器的至少其中之一。4.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述多个截止电路配置于所述感测阵列的两侧边旁。5.根据权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述多个截止电路环绕所述感测阵列。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢晋安，
申请(专利权)人：神盾股份有限公司，
类型：新型
国别省市：