【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路基板用层叠体
[0001]本专利技术涉及用于各种功率模块的电路基板用层叠体。
技术介绍
[0002]近年来，从节能的观点出发，使用有功率半导体的功率模块被广泛使用。功率模块为将功率半导体元件等搭载于电路基板上而成的结构，在使大电流流过该电路基板的情况下，要求散热性及绝缘性等，因此使用接合有金属板的陶瓷电路基板。
[0003]在这样的陶瓷电路基板中，关于陶瓷，从散热性的观点出发，使用热导率高的金属氮化物烧结基板，具体而言，使用氮化铝烧结基板、氮化硅烧结基板等，对于金属板，使用电阻率低的铜板。在将金属氮化物烧结基板与铜板接合时，一般使用被称为AMB法的活性金属钎焊法(例如，专利文献1)。
[0004]活性金属钎焊法通常为如下方法：将含有银、铜等金属粒子、钛等活性金属粒子、粘合剂(树脂)以及溶剂的糊状的钎料通过印刷法等涂布于金属氮化物烧结基板后，在真空钎焊炉中加热至850℃左右，由此得到金属氮化物烧结基板
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金属层叠体。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电路基板用层叠体，其为金属氮化物烧结基板与铜板的层叠体，其特征在于，所述层叠体具有从面的中心到周缘的最短长度为50mm以上的大小，在将所述层叠体沿层叠方向切断而成的切断面测定的、在所述金属氮化物烧结基板与铜板的接合界面附近确认的直径1μm以上的孔隙的总长度L
B
相对于该接合界面的测定长度L
I
的比例即孔隙率X为0.50％以下。2.根据权利要求1所述的电路基板用层叠体，其中，所述金属氮化物烧结基板的厚度t1为0.2～1.0mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：津岛荣树，石本龙二，前田昌克，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：
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