静态随机存取存储器单元及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种静态随机存取存储器单元及其制备方法，包括：衬底，衬底中形成有两个第一有源区、两个第二有源区和两个第三有源区，其中第一有源区和第二有源区的宽度相等；两个下拉晶体管，下拉晶体管包括位于第一有源区上的下拉栅极结构，下拉栅极结构两侧的第一有源区中形成有第一源区和第一漏区；两个传输晶体管，传输晶体管包括位于第二有源区上的传输栅极结构；第一应变区和第二应变区分别位于第一源区和第一漏区与下拉晶体管的沟道区之间，且第一应变区和第二应变区沿远离衬底表面的相向倾斜，以使下拉晶体管的沟道区具有拉应力；本发明专利技术能够获得足够高的静态噪声容限，以提高静态随机存取存储器的性能。提高静态随机存取存储器的性能。提高静态随机存取存储器的性能。

【技术实现步骤摘要】
静态随机存取存储器单元及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种静态随机存取存储器单元及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着数字集成电路的不断发展，片上集成的存储器已经成为数字系统中重要的组成部分。静态随机存取存储器(SRAM，Static Random Access Memory)以其低功耗、高速的优点成为片上存储器中不可或缺的重要组成部分，只要为其供电即可保存数据，无需不断对其进行刷新。静态随机存取存储器单元一般为6T结构，其包括2个上拉晶体管(PU，Pull Up transistor)、2个下拉晶体管(PD，Pull Down transistor)和2个传输晶体管(PG，Pass Gate transistor)。在静态随机存取存储器单元的设计过程中，通常要保证足够大的β比率，β比率为下拉晶体管的饱和电流与传输晶体管的饱和电流的比值，以获得足够高的静态噪声容限(SNM，Static Noise Margin)。
[0003]图1为现有技术中静态随机存取存储器单元的俯视图。请参考图1，为了提高静态噪本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有两个第一有源区、两个第二有源区和两个第三有源区，其中所述第一有源区和所述第二有源区的宽度相等且所述第一有源区和所述第二有源区连接；两个下拉晶体管，所述下拉晶体管包括位于所述第一有源区上的下拉栅极结构，所述下拉栅极结构两侧的所述第一有源区中形成有第一源区和第一漏区；两个传输晶体管，所述传输晶体管包括位于所述第二有源区上的传输栅极结构，所述传输晶体管与对应的所述下拉晶体管连接；两个上拉晶体管，所述上拉晶体管包括位于所述第三有源区上的上拉栅极结构，所述上拉晶体管与对应的所述下拉晶体管连接；第一应变区和第二应变区，分别位于所述第一源区和所述第一漏区与所述下拉晶体管的沟道区之间，且所述第一应变区和所述第二应变区沿远离所述衬底表面的方向相向倾斜，以使所述下拉晶体管的沟道区具有拉应力。2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，还包括两个掺杂区，均位于所述第一有源区中，所述第一应变区和所述第二应变区分别位于对应的所述掺杂区中。3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述掺杂区的掺杂离子包括磷、锗或碳。4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一应变区和所述第二应变区均具有朝向所述衬底表面的第一原子面，所述第一原子面与所述衬底表面的夹角为30度~60度。5.如权利要求1所述的静态随机存取存储器单元，其特征在于，所述传输晶体管的沟道区具有压应力。6.一种静态随机存取存储器单元的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底中形成有两个第一有源区、两个第二有源区和两个第三有源区，...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳清，崔助凤，张纪稳，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：