像素结构及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构及显示面板，该像素结构包括扫描线以及数据线、有源元件、电容电极线、上电极图案以及像素电极。扫描线及数据线位于基板上。有源元件与扫描线以及数据线电连接。电容电极线位于基板上。上电极图案位于电容电极线的上方，其中上电极图案中具有第一开口，其暴露出电容电极线。像素电极与有源元件电连接并覆盖住电容电极线以及上电极图案，其中像素电极包括中间部以及与所述中间部连接的多个分支部，且中间部中具有第二开口，其暴露出第一开口。本发明专利技术可以增加电极的面积并减少像素电极中的配向狭缝所占的面积，进而减少因配向狭缝的微影刻蚀程序造成其宽度不一致所导致的显示不均匀问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种像素结构及具有此像素结构的显示面板，且特别是有关于一 种采用聚合物稳定配向(Ploymer Stabilized Alignment, PSA)技术的像素结构及具有此 像素结构的显示面板。
技术介绍
在显示器的发展上，随着光电技术与半导体制造技术的进步，具有高画质、空间利 用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的液晶显示器已逐渐成为市场的主流。 液晶显示器包括了背光模块以及液晶显示面板，而传统液晶显示面板是由两基板 以及填于两基板之间的一液晶层所构成。 一般而言，在液晶显示面板的制造过程中，都会 在两基板上形成配向膜，以使液晶分子具有特定的排列。现有形成配向膜的方法是先涂布 配向材料之后，再对配向材料进行配向工艺。而配向工艺可以分成接触式配向工艺以及非 接触式配向工艺。虽然非接触式配向工艺可解决接触式磨擦配向产生的静电问题及粒子 (particle)污染等问题，但是其往往会发生配向表面的锚定能不足的问题。而如果配向表 面的锚定能不足，将往往导致液晶显示面板的显示品质不佳。 为解决上述问题，目前已提出 一 种聚合物稳定配向(Ploymer StabilizedAlignment， PSA)的技术。此技术乃是在液晶材料中掺入适当浓度的单体化 合物(monomer)并且震荡均匀。接着，将混合后的液晶材料置于加热器上加温到达等向 性(Isotropy)状态。然后，当液晶混合物降温25t:室温时，液晶混合物会回到向列型 (nematic)状态。此时将液晶混合物注入至液晶盒并施予电压。当施加电压使液晶分子排 列稳定时，则使用紫外光或加热的方式让单体化合物进行聚合反应以成聚合物层，由此达 到稳定配向的目的。 —般来说，在PSA的液晶显示面板中，会在像素结构的像素电极中形成配向狭缝， 以使液晶分子产生特定的配向方向。而像素电极中的配向狭缝越多虽可以越加精确控制液 晶分子的配向，但配向狭缝所占面积越多也同时会增加显示不均匀(mura)现象，这是主要 因为配向狭缝的微影刻蚀程序造成狭缝宽度不一致所导致。更详细来说，在配向狭缝的微 影刻蚀程序中，在曝光装置的光学镜组之间的交界处往往会因为该处的曝光条件与非交界 处的曝光条件不完全一致，因此导致该处的狭缝宽度与其他狭缝宽度不一致。因而造成显 示面板在这两处的亮度不同，而导致显示不均匀(mura)问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构以及具有此像素结构的显示面板，其可以减少传统使用 PSA技术的像素结构及显示面板中因所形成的配向狭缝宽度不一致而导致显示不均匀的问 题。 本专利技术提出一种像素结构，其包括扫描线以及数据线、有源元件(activedevice)、 电容电极线、上电极图案以及像素电极。扫描线及数据线位于基板上。有源元件与扫描线以及数据线电连接。电容电极线位于基板上。上电极图案位于电容电极线的上方，其中上电 极图案中具有第一开口，其暴露出电容电极线。像素电极与有源元件电连接并覆盖住电容 电极线以及上电极图案，其中像素电极包括中间部以及与所述中间部连接的多个分支部， 且中间部中具有第二开口，其暴露出第一开口。 本专利技术提出一种显示面板，其包括第一基板、第二基板以及位于第一基板与第二 基板之间的显示介质。第一基板上具有多个像素结构，且每一像素结构如上所述。第二基 板位于第一基板的对向，其中第二基板上包括设置有电极层。 基于上述，由于本专利技术的像素结构中发上电极图案中具有第一开口，且像素电极 的中间部具有第二开口。当于进行PSA技术的熟化程序时(curingprocess)，于电容电极线 所施加的高电压可经第一开口与第二开口而对第二开口上方的液晶分子产生配向作用，进 而使该处的液晶分子达到预定的预倾角。如此一来，便可以增加电极的面积并减少像素电 极中的配向狭缝所占的面积，进而减少因配向狭缝的微影刻蚀程序造成其宽度不一致所导 致的显示不均匀(mura)问题。附图说明图1是根据本专利技术一实施例的显示面板的剖面示意图;图2A是根据本专利技术一实施例的像素结构的上视示意2B是图2A的像素结构中的像素电极的示意图；图3是沿着图2A的剖面线I-I'的剖面示意图；图4A是根据本专利技术一实施例的像素结构的上视示意4B是图4A的像素结构中的像素电极的示意图；图5A是根据本专利技术一实施例的像素结构的上视示意5B是图5A的像素结构中的像素电极的示意图；图6A是根据本专利技术一实施例的像素结构的上视示意6B是图6A的像素结构中的像素电极的示意图。附图标号100 :第一基板102 :像素阵列层110:第二基板112 :电极层150 :显示介质SL :扫描线DL :数据线T :有源元件G:栅极S:源极D :漏极CH :通道层P:像素电极C1、C2 :接触窗202 :电容电极线204:上电极图案204a，204b :第一部分、第二部分205 :遮蔽线206 :第一开口208 :中间部208a :水平延伸部208b :垂直延伸部208c :块状部210 :分支部210':次分支部210a、210b、210c、210d :配向狭缝211、214 :绝缘层212 :第二开口S:空隙具体实施例方式为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下。 图1是根据本专利技术一实施例的显示面板的剖面示意图。请先参照图l，本实施例的 显示面板包括第一基板100、第二基板110以及位于第一基板100与第二基板110之间的显 示介质150。 第一基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。第一基板100上 包括设置有像素阵列层102，所述像素阵列层102是由多个像素结构所构成。而有关像素阵 列层102中的像素结构将于后续段落作详细说明。 第二基板110的材质可为玻璃、石英或有机聚合物等等。第二基板110上包括设置 有一电极层112。在本实施例中，电极层112为透明导电层，其材质包括金属氧化物，例如是 铟锡氧化物或者是铟锌氧化物。电极层112是全面地覆盖于第二基板110上。另外，根据 本专利技术的实施例，电极层112上并未设置有配向图案(例如配向凸起或配向狭缝)。此外， 根据本专利技术的另一实施例，第二基板110上可更包括设置有彩色滤光阵列(未绘示)，其包 括红、绿、蓝色滤光图案。另外，第二基板110上更可包括设置遮光图案层(未绘示)，其又 可称为黑矩阵，其设置于彩色滤光阵列的图案之间。 显示介质150包括液晶分子。由于本实施例的显示面板为使用PSA技术的显示面 板，因此在显示介质150中除了液晶分子之外，还包括单体化合物。换言之，在此显示面板 尚未进行单体化合物的熟化程序时，显示介质150中包含有液晶分子以及单体化合物。当 此显示面板于进行单体化合物的熟化程序时，单体化合物会进行聚合反应而于像素阵列层 102以及电极层112的表面形成聚合物薄膜。因此当此显示面板于进行单体化合物的熟化 程序之后，此时显示介质150主要为液晶分子。 接下来，将针对第一基板100上的像素阵列层102作详细说明。承上所述，像素阵 列层102是由多个像素结构所构成，在本实施例中，每一像素结构的设计如图2A所示，图2B 为图2A中的像素电极的示意图，图3图为2A中沿着剖面线I-I'的剖面示意图。请参本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，所述的像素结构包括：一扫描线以及一数据线，位于一基板上；一有源元件，其与所述扫描线以及所述数据线电连接；一电容电极线，位于所述基板上；一上电极图案，位于所述电容电极线的上方，其中所述上电极图案中具有一第一开口，其暴露出所述电容电极线；以及一像素电极，其与所述有源元件电连接并覆盖住所述电容电极线以及所述上电极图案，其中所述像素电极包括一中间部以及与所述中间部连接的多个分支部，且所述中间部中具有一第二开口，其暴露出所述第一开口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹正翰，卓庭毅，邱钟毅，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]