薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

提供一种薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法在布置覆盖半导体层的栅极绝缘膜的步骤及布置覆盖所述栅极绝缘膜的防扩散膜的步骤之后包括如下步骤：通过对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜进行图案化而布置半导体层的第一电极区域的一部分对应的第一电极孔及与所述半导体层的第二电极区域的一部分对应的第二电极孔；及在所述防扩散膜上布置与所述半导体层的所述沟道区域重叠的栅极电极、通过所述第一电极孔与所述半导体层的所述第一电极区域连接的第一电极及通过所述第二电极孔与所述半导体层的所述第二电极区域连接的第二电极。所述第二电极区域连接的第二电极。所述第二电极区域连接的第二电极。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管和薄膜晶体管阵列基板及其制造方法


[0001]本专利技术涉及一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管阵列基板以及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。

技术介绍

[0002]随着信息化社会的发展，对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加。例如，显示装置正应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航仪和智能电视之类的各种电子设备。
[0003]显示装置包括发出用于显示图像的光的显示面板和供应用于驱动显示面板的信号和电压的驱动部。
[0004]显示面板包括彼此对向的一对基板和布置于一对基板之间的偏光部件或发光部件。
[0005]包括在显示面板的一对基板中的一个可以是包括多个薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板，所述多个薄膜晶体管用于单独驱动排列在实现图像显示的显示区域的多个像素区域。
[0006]薄膜晶体管阵列基板可以包括作为借由阈值电压以上的驱动信号而导通的开关元件的多个薄膜晶体管。
[0007]薄膜晶体管包括借由提供给栅极电极的阈值电压以上的驱动信号来产生沟道的半导体层。<br/>[0008]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制造方法，包括如下步骤：布置包括沟道区域和与所述沟道区域的两侧相接的第一电极区域及第二电极区域的半导体层；布置覆盖所述半导体层的栅极绝缘膜；布置覆盖所述栅极绝缘膜的防扩散膜；通过在所述防扩散膜上布置图案化掩模的状态下对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜进行图案化，来布置与所述半导体层的所述第一电极区域的一部分对应的第一电极孔及与所述半导体层的所述第二电极区域的一部分对应的第二电极孔；及通过对覆盖所述防扩散膜的导电材料膜进行图案化，来布置与所述半导体层的所述沟道区域重叠的栅极电极、通过所述第一电极孔与所述半导体层的所述第一电极区域连接的第一电极及通过所述第二电极孔与所述半导体层的所述第二电极区域连接的第二电极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在布置所述半导体层的步骤中，所述半导体层利用氧化物半导体构成。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在布置所述防扩散膜的步骤中，所述防扩散膜利用钛构成。4.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在布置所述第一电极孔及所述第二电极孔的步骤中，借由所述第一电极孔而暴露的所述半导体层的所述第一电极区域的一部分及借由所述第二电极孔而暴露的所述半导体层的所述第二电极区域的一部分借由包括在用于对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜进行图案化的蚀刻材料的掺杂材料而被导电化。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在布置所述第一电极孔及所述第二电极孔的步骤中，所述半导体层中的除了与所述第一电极孔对应的所述第一电极区域的一部分及与所述第二电极孔对应的所述第二电极区域的一部分之外的剩余部分借由所述防扩散膜而阻挡包括在构成所述图案化掩模的掩模材料的掺杂材料。6.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在布置所述栅极绝缘膜的步骤之后，还包括如下步骤：实施用于减少所述半导体层及所述栅极绝缘膜中的氢浓度的热处理。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在实施所述热处理的步骤中，所述热处理以300℃至350℃的温度实施。8.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在布置所述栅极电极、所述第一电极及所述第二电极的步骤之后还包括如下步骤：基于所述栅极电极、所述第一电极及所述第二电极对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜追加进行图案化，其中，在对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜追加进行图案化的步骤中，所述半导体层中的除了与所述栅极电极、所述第一电极及所述第二电极重叠的部分之外的剩余部分借由包括在用于对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜进行图案化的蚀刻材料的掺杂材料而被导电化。9.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，
在布置所述半导体层的步骤之前，还包括如下步骤：在基板上布置阻光层；及在所述基板上布置覆盖所述阻光层的缓冲膜，其中，在布置所述半导体层的步骤中，所述半导体层布置于所述缓冲膜上，所述半导体层的所述沟道区域与所述阻光层重叠。10.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其中，在布置所述栅极电极、所述第一电极及所述第二电极的步骤中，所述导电材料膜配备为利用钼、铝、铬、金、钛、镍、钕及铜中的一种或其合金构成的单层或多层。11.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括如下步骤：在包括多个像素区域的基板上布置与所述多个像素区域中的每一个对应的阻光层；在所述基板上布置覆盖所述阻光层的缓冲膜；在所述缓冲膜上布置与所述多个像素区域中的每一个对应且包括沟道区域和与所述沟道区域的两侧相接的第一电极区域及第二电极区域的半导体层；在所述缓冲膜上布置覆盖所述半导体层的栅极绝缘膜；布置覆盖所述栅极绝缘膜的防扩散膜；通过在所述防扩散膜上布置图案化掩模的状态下对所述防扩散膜和所述栅极绝缘膜进行图案化，来布置与所述半导体层的所述第一电极区域的一部分对应的第一电极孔及与所述半导体层的所述第二电极区域的一部分对应的第二电极孔；及通过对覆盖所述防扩散膜的导电材料膜进行图案化，来布置与所述半导体层的所述沟道区域重叠的栅极电极、通过所述第一电极孔与所述半导体层的所述第一电极区域连接的第一电极及通过所述第二电极孔与所述半导体层的所述第二电极区域连接的第二电极。12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中，在布置所述半导体层的步骤中，所述半导体层利用氧化物半导体构成。13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中，在布置所述防扩散膜的步骤中，所述防扩散膜利用钛构成。14.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中，在布置所述阻光层的步骤中，在所述基板上还布置数据线，在布置所述缓冲膜的步骤中，所述缓冲膜还覆盖所述数据线，在布置所述第一电极孔及所述第二电极孔的步骤中，通过进一步对所述缓冲膜进行图案化，来进一步布置与所述数据线的一部分对应的线接触孔。15.如权利要求14所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中，在布置所述栅极电极、所述第一电极及所述第二电极的步骤中，在所述防扩散膜上进一步布置沿与所述数据线交叉的方向延伸的扫描线，所述栅极电极利用所述扫描线的一部分构成，所述第一电极通过所述线接触孔与所述数据线连接。16.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中，在布置所述第一电极孔及所述第二电极孔的步...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗璨，洪晶银，金珍泽，金显，朴浈洙，郑雄喜，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：