半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，提供衬底，所述衬底包括Core区和IO区；刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底，以使所述IO区和所述Core区的衬底表面具有高度差；在所述IO区和所述Core区的衬底上形成第一氧化层；刻蚀去除所述Core区的衬底上的第一氧化层；以及，采用化学清洗工艺在所述Core区的衬底上形成第二氧化层，且所述IO区上的第一氧化层和所述Core区上的第二氧化层的表面齐平，且所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。本发明专利技术能够避免因高低差导致的膜层变形和缺陷，从而提升器件的良率。而提升器件的良率。而提升器件的良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。

技术介绍

[0002]在半导体器件的制备工艺中，衬底常分作不同的区域，如IO区(输入输出区)和Core区(核心区)，相应IO区和Core区所需的栅氧化层的厚度不同。在现有技术中，一般利用掩模工艺在IO区和Core区的衬底的表面上形成不同厚度的栅氧化层，不同厚度的栅氧化层会使IO区和Core区的表面产生高低差，随后在后续制备工艺中，如高K介电层、氮化钛、非晶硅、氮化物、氧化物等制程中，会由于这种高低差，在每一道制程中有应力产生的膜层会发生变形，并伴有缺陷风险，影响产品良率。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，避免因高低差导致的膜层变形和缺陷，从而提升器件的良率。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括Core区和IO区；刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底，以使所述IO区和所述Core区的衬底表面具有高度差；在所述IO区和所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括Core区和IO区；刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底，以使所述IO区和所述Core区的衬底表面具有高度差；在所述IO区和所述Core区的衬底上形成第一氧化层；刻蚀去除所述Core区的衬底上的第一氧化层；以及，采用化学清洗工艺在所述Core区的衬底上形成第二氧化层，所述IO区上的第一氧化层和所述Core区上的第二氧化层的表面齐平，且所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层的厚度。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底之前，所述IO区和所述Core区的衬底表面形成有第三氧化层。3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底的步骤包括：在所述Core区的衬底上形成第一图形化的光刻胶层；刻蚀去除所述IO区的衬底上的第三氧化层，以及刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底；以及，去除所述第一图形化的光刻胶层，以及去...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛云，高志杰，郭哲劭，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：