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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，提供衬底，所述衬底包括Core区和IO区；刻蚀去除部分厚度的所述IO区的衬底，以使所述IO区和所述Core区的衬底表面具有高度差；在所述IO区和所述Core区的衬底上形成第一氧化层；刻蚀去除所述Core...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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