【技术实现步骤摘要】
BBU重构均衡充放电电路及实现充放电重构均衡的方法
[0001]本专利技术涉及存储系统领域，更具体地，特别是指一种BBU重构均衡充放电电路和使用BBU重构均衡充放电电路实现充电重构均衡和放电重构均衡的方法。
技术介绍
[0002]当前业界存储系统通常采用PSU（Power Supply Unit，电源供应单元）+BBU（Backup Battery Unit，备份电池单元）主备冗余供电，当机房市电掉电，存储系统实时监测到PSU供电异常，可无缝切换到备用电池BBU供电。BBU提供持续的供电能力，确保存储系统控制器写缓存中的数据，完整而安全的写入非易失性介质，如HDD（Hard Disk Drive，机械硬盘）、SSD（Solid State Disk，固态硬盘）等，避免数据丢失。
[0003]为保证数据存储的业务连续性，BBU需具备较长的循环寿命和可靠性能要求，但由于电池生产工艺的原因，单体电池之间不可避免的存在不一致性，具体表现为电池容量差异、内阻差异、自放电率差异等，随着充放电循环的进行，单体电池的不一致性会越来越...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，包括如下部件：电池组，包括多个并联的子电池组；恒流源，配置用于给所述电池组恒流充电；恒压源，配置用于给所述电池组恒压充电；充电重构均衡电路，包括多个充电NMOS管，所述充电重构均衡电路与所述恒流源和所述恒压源通过不同充电NMOS管串联，配置用于在充电状态下，实现所述电池组的串并联组合；放电重构均衡电路，包括多个放电NMOS管，所述放电NMOS管与所述子电池组串联或者并联，所述放电重构均衡电路配置用于在放电状态下，实现子电池组的旁路；MCU，配置用于监测每个子电池组的端电压，并控制所述充电NMOS管和所述放电NMOS管的开启和关闭；多个二极管，配置用于防止子电池组之间的电流倒灌。2.根据权利要求1所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述放电重构均衡电路包括：与所述子电池组串联的单放电NMOS管；以及与所述子电池组所在支路并联的双放电NMOS管。3.根据权利要求2所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述充电重构均衡电路包括：连接所述恒流源两端的第一充电NMOS管和第二充电NMOS管；以及连接所述恒压源两端的第三充电NMOS管和第四充电NMOS管。4.根据权利要求3所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述充电重构均衡电路包括：多个连接所述子电池组负极与下一个相邻子电池组正极的中间充电NMOS管。5.根据权利要求4所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述中间充电NMOS管的一端分别连接子电池组的负极和所述子电池组对应的双放电NMOS管，所述中间充电NMOS管的另一端分别连接相邻子电池组对应的单放电NMOS管和双放电NMOS管。6.根据权利要求5所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述多个二极管包括：多个上二极管，每个上二极管的正极连接所述第三充电NMOS管，每个上二极管的负极连接所述单放电NMOS管。7.根据权利要求6所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述多个二极管包括：多个下二极管，每个下二极管的正极连接所述子电池组的负极，每个下二极管的负极连接所述第四充电NMOS管。8.根据权利要求7所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述第一充电NMOS管连接第一个上二极管的负极，所述第二充电NMOS管连接最后一个子电池组的负极。9.根据权利要求8所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述电池组包括多个三节电芯并联组成的子电池组。10.根据权利要求9所述的BBU重构均衡充放电电路，其特征在于，所述放电重构均衡电路配置用于在放电状态下，将与子电池组串联的单放电NMOS管断开，并将与所述子电池组所在支路并联的双放电NMOS管导通，以对所述子电池组进行旁路。
11.一种使用如权利要求1
‑
10任一项所述的BBU重构均衡充放电电路实现充放电重构均衡的方法，其特征在于，包括：响应于进行充电，断开恒压源，并将子电池组重构串联进行恒...
【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。