包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底制造技术

一种衬底(202)，包括包封层(203)、第一声学谐振器(205)、第二声学谐振器(207)、至少一个第一电介质层(240)、多个第一互连件(244)、至少一个第二电介质层(260)和多个第二互连件(264)。该第一声学谐振器(205)位于该包封层中。该第一声学谐振器(205)包括第一压电衬底(250)，该第一压电衬底(250)包括第一厚度。该第二声学滤波器(207)位于该包封层(203)中。该第二声学谐振器(207)包括第二压电衬底(270)，该第二压电衬底(270)包括不同于该第一厚度的第二厚度。该至少一个第一电介质层耦合到该包封层的第一表面。该多个第一互连件耦合到该包封层的该第一表面。该多个第一互连件至少位于该至少一个第一电介质层中。该至少一个第一电介质层中。该至少一个第一电介质层中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括被配置为至少一个声学滤波器的声学谐振器的衬底
[0001]根据35U.S.C.
§
119要求优先权
[0002]本专利申请要求2020年8月31日提交的标题为“SUBSTRATE COMPRISING ACOUSTIC RESONATORS CONFIGURED AS AT LEAST ONE ACOUSTIC FILTER”的非临时申请号17/008,320的优先权，该申请转让给本申请的受让人并且特此通过引用明确并入本文。


[0003]各种特征涉及封装件和衬底，但更具体地涉及包括嵌入包封层中的声学谐振器的衬底。

技术介绍

[0004]图1图示了包括衬底102、集成器件106、集成器件108和集成器件109的封装件100。集成器件106、集成器件108和集成器件109耦合到衬底102的表面。衬底102包括至少一个电介质层120和多个互连件122。多个焊料互连件130耦合到衬底102。集成器件106、108和109会占据大量空间和基板面。小型无线设备具有空间约束并且可能无法容纳许多集成器件。无线设备可能依赖于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种衬底，包括：包封层；第一声学谐振器，位于所述包封层中，其中所述第一声学谐振器包括第一压电衬底，所述第一压电衬底包括第一厚度；第二声学谐振器，位于所述包封层中，其中所述第二声学谐振器包括第二压电衬底，所述第二压电衬底包括不同于所述第一厚度的第二厚度；至少一个第一电介质层，耦合到所述包封层的第一表面；多个第一互连件，耦合到所述包封层的所述第一表面，其中所述多个第一互连件至少位于所述至少一个第一电介质层中；至少一个第二电介质层，耦合到所述包封层的第二表面；以及多个第二互连件，耦合到所述包封层的所述第二表面，其中所述多个第二互连件至少位于所述至少一个第二电介质层中。2.根据权利要求1所述的衬底，还包括位于所述包封层中的多个过孔互连件。3.根据权利要求2所述的衬底，其中所述多个过孔互连件包括耦合到所述第一声学谐振器的至少一个第一过孔互连件。4.根据权利要求3所述的衬底，其中所述至少一个第一过孔互连件耦合到所述多个第一互连件。5.根据权利要求3所述的衬底，其中所述至少一个第一过孔互连件耦合到所述多个第二互连件。6.根据权利要求1所述的衬底，其中所述至少一个第一电介质层和所述多个第一互连件形成耦合到所述包封层的所述第一表面的第一金属化部分，并且其中所述至少一个第二电介质层和所述多个第二互连件形成耦合到所述包封层的所述第二表面的第二金属化部分。7.根据权利要求6所述的衬底，其中所述第一金属化部分包括第一再分布部分，并且其中所述第二金属化部分包括第二再分布部分。8.根据权利要求1所述的衬底，还包括：第三声学谐振器，位于所述包封层中，其中所述第三声学谐振器包括第三压电衬底，所述第三压电衬底包括不同于所述第一厚度和所述第二厚度的第三厚度；以及第四声学谐振器，位于所述包封层中，其中所述第四声学谐振器包括第四压电衬底，所述第四压电衬底包括不同于所述第一厚度、所述第二厚度和所述第三厚度的第四厚度。9.根据权利要求8所述的衬底，其中所述第一声学谐振器、所述第二声学谐振器、所述第三声学谐振器和所述第四声学谐振器被配置为声学滤波器。10.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第一声学谐振器是声波(SAW)器件、体声波(BAW)器件、薄膜体声波谐振器(FBAR)或轮廓模式谐振器(CMR)中的一者。11.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第二声学谐振器是与所述第一声学谐振器不同类型的声学谐振器。12.根据权利要求1所述的衬底，还包括：
第二包封层，耦合到所述至少一个第一电介质层；第三声学谐振器，位于所述第二包封层中，其中所述第三声学谐振器包括第三压电衬底，所述第三压电衬底包括第三厚度，第四声学谐振器，位于所述第二包封层中；其中所述第四声学谐振器包括第四压电衬底，所述第四压电衬底包括不同于所述第一厚度的第四厚度；至少一个第三电介质层，耦合到所述第二包封层的第一表面；以及多个第三互连件，耦合到所述第二包封层的所述第一表面，其中所述多个第三互连件至少位于所述至少一个第三电介质层中。13.根据权利要求1所述的衬底，还包括电感器和电容器，其中所述第一声学谐振器、所述第二声学谐振器、所述电感器和所述电容器被配置为双工器。14.一种装置，包括：集成器件；以及衬底，耦合到所述集成器件，所述衬底包括：用于包封的部件；用于第一声学谐振的部件，位于所述用于包封的部件中；用于第二声学谐振的部件，位于所述用于包封的部件中；至少一个第一电介质层，耦合到所述用于包封的部件的第一表面；多个第一互连件，耦合到所述用于包封的部件的所述第一表面，其中所述多个第一互连件至少位于所述至少一个第一电介质层中；至少一个第二电介质层，耦合到所述用于包封的部件的第二表面；以及多个第二互连件，耦合到所述用于包封的部件的所述第二表面，其中所述多个第二互连件至少位于所述至少一个第二电介质层中。15....

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟海，JH，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：