【技术实现步骤摘要】
滤波器封装结构、制备方法及电子产品
[0001]本专利技术涉及一种滤波器封装结构,同时也涉及该滤波器封装结构的制备方法,还涉及包括该滤波器封装结构的电子产品,属于半导体封装
技术介绍
[0002]声表面滤波器(Surface Acoustic Wave,简称为SAW)是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜,然后经过光刻,在两端各形成一对叉指换能器(Interdigital transducer,简称为IDT)。因此,针对声表面滤波器的封装必须要保证叉指换能器表面不能接触其他物质,即需要保证其芯片表面是空腔结构,否则影响信号传输。类似的要求还有体表面滤波器(Bulk Acoustic Wave,简称为BAW),在此不予赘述。
[0003]在公开号为US 20040145278A1的美国专利申请中,公开了一种利用聚合物薄膜料覆压在滤波器芯片上形成滤波空腔的封装结构。然而,该封装结构在后续射频前端模组的封装集成过程中,塑封工艺会带来较大的塑封压力,使得该聚合物薄膜容易发生坍塌,并且触碰到滤波器的金属电极, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种滤波器封装结构,其特征在于包括:基板,设有多个焊盘;裸芯片,包括衬底、凸块以及空腔,其中,所述衬底朝向所述基板的一面设置有金属电极、支撑墙以及顶盖,所述顶盖抵触在所述基板上;塑封层,包覆所述裸芯片和所述基板;互连结构,将所述凸块与所述焊盘连接;其中,所述支撑墙覆盖在所述衬底上除所述凸块和所述金属电极之外的区域;所述顶盖覆盖在所述支撑墙下方,并且开设焊接口使所述凸块暴露出来,以与所述互连结构连接。2.如权利要求1所述的滤波器封装结构,其特征在于:所述顶盖与所述基板的阻焊层的高度之和等于所述互连结构在焊接后的高度。3.如权利要求2所述的滤波器封装结构,其特征在于:所述凸块贯穿所述支撑墙并且介入所述焊接口内。4.如权利要求3所述的滤波器封装结构,其特征在于:所述凸块利用底部金属化工艺形成金属层,以与所述互连结构连接。5.如权利要求3所述的滤波器封装结构,其特征在于:所述焊盘从所述阻焊层暴露出来,并与所述焊接口对齐;所述互连结构位于所述焊接口内,并连接对应的所述凸块和所述焊盘。6.一种权利要求1~5中任意一项所述滤波器封装结构的制备方法,其特征在于包括以下步骤:在基板上用于焊接裸芯片的焊盘上,形成具有预定高度的互连结...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘立筠,宁世朝,李源梁,白云芳,
申请(专利权)人:唯捷创芯天津电子技术股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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