滤波器封装结构、制备方法及电子产品技术

本发明专利技术公开了一种滤波器封装结构、制备方法及电子产品。该滤波器封装结构包括：基板，设有多个焊盘；裸芯片，包括衬底、凸块以及空腔，其中，衬底朝向基板的一面设置有金属电极、支撑墙以及顶盖，顶盖抵触在基板上；塑封层，包覆裸芯片和基板；互连结构，将凸块与焊盘连接；其中，支撑墙覆盖在衬底上除凸块和金属电极之外的区域；顶盖覆盖在支撑墙下方，并且开设焊接口使凸块暴露出来，以与互连结构连接。本发明专利技术利用选择预定高度的互连结构，以使顶盖与基板上的阻焊层紧密抵触，从而在塑封过程中由基板对顶盖提供支撑力，进而保证了滤波器芯片的性能，避免因为顶盖塌陷导致的良品率下降。避免因为顶盖塌陷导致的良品率下降。避免因为顶盖塌陷导致的良品率下降。

【技术实现步骤摘要】
滤波器封装结构、制备方法及电子产品


[0001]本专利技术涉及一种滤波器封装结构，同时也涉及该滤波器封装结构的制备方法，还涉及包括该滤波器封装结构的电子产品，属于半导体封装


技术介绍

[0002]声表面滤波器（Surface Acoustic Wave，简称为SAW）是在一块具有压电效应的材料基片上蒸发一层金属膜，然后经过光刻，在两端各形成一对叉指换能器（Interdigital transducer，简称为IDT）。因此，针对声表面滤波器的封装必须要保证叉指换能器表面不能接触其他物质，即需要保证其芯片表面是空腔结构，否则影响信号传输。类似的要求还有体表面滤波器（Bulk Acoustic Wave，简称为BAW），在此不予赘述。
[0003]在公开号为US 20040145278A1的美国专利申请中，公开了一种利用聚合物薄膜料覆压在滤波器芯片上形成滤波空腔的封装结构。然而，该封装结构在后续射频前端模组的封装集成过程中，塑封工艺会带来较大的塑封压力，使得该聚合物薄膜容易发生坍塌，并且触碰到滤波器的金属电极，从而导致滤波器失效。因此，该封装结构在实际应用过程中，对塑封工艺有较高的要求，进而增加了生产成本，使得其在终端应用市场上存在较大的局限性。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的首要技术问题在于提供一种滤波器封装结构。
[0005]本专利技术所要解决的另一技术问题在于提供一种上述滤波器封装结构的制备方法。
[0006]本专利技术所要解决的又一技术问题在于提供一种包括上述滤波器封装结构的电子产品。
[0007]为实现上述技术目的，本专利技术采用以下的技术方案：根据本专利技术实施例的第一方面，提供一种滤波器封装结构，包括：基板，设有多个焊盘；裸芯片，包括衬底、凸块以及空腔，其中，所述衬底朝向所述基板的一面设置有金属电极、支撑墙以及顶盖；塑封层，包覆所述裸芯片和所述基板；互连结构，将所述凸块与所述焊盘连接；其中，所述支撑墙覆盖在所述衬底上除所述凸块和所述金属电极之外的区域，所述顶盖覆盖在所述支撑墙下方，并且开设焊接口使所述凸块暴露出来，以与所述互连结构连接，所述顶盖抵触在所述基板上。
[0008]其中较优地，所述顶盖与所述基板的阻焊层的高度之和等于所述互连结构在焊接后的高度。
[0009]其中较优地，所述凸块贯穿所述支撑墙并且介入所述焊接口内。
[0010]其中较优地，所述凸块利用底部金属化工艺形成金属层，以与所述互连结构连接。
[0011]其中较优地，所述焊盘从所述阻焊层暴露出来，并与所述焊接口对齐，所述互连结构位于所述焊接口内并且连接对应的所述凸块和所述焊盘。
[0012]根据本专利技术实施例的第二方面，提供一种滤波器封装结构的制备方法，包括以下步骤：在基板上用于焊接裸芯片的焊盘上，形成具有预定高度的互连结构；使凸块与顶盖上的焊接口对齐，以使互连结构进入焊接口，在基板上贴装预先制备的裸芯片，并且在顶盖与阻焊层之间保留间隙；利用回流焊工艺，将凸块与焊盘通过熔融的互连结构连接，使顶盖与阻焊层之间的间隙消失；进行塑封和裂片操作。
[0013]其中较优地，所述互连结构的高度是根据所述阻焊层与所述顶盖的高度之和以及所述焊盘的大小来确定，以保证阻焊层与顶盖接触。
[0014]其中较优地，预先制备裸芯片包括以下子步骤：在衬底上形成凸块以及支撑墙，使所述支撑墙环绕所述裸芯片的金属电极，并且将所述金属电极和所述凸块隔离；在支撑墙上压合顶盖，使顶盖覆盖在所述支撑墙下方；蚀刻所述顶盖，以形成焊接口，暴露出凸块。
[0015]其中较优地，所述制备方法还包括：在所述凸块上进行底部金属化工艺，形成金属层。
[0016]其中较优地，所述制备方法还包括：在衬底上形成凸块以及支撑墙的同时，在基板上贴装倒装器件。
[0017]根据本专利技术实施例的第三方面，提供一种电子产品，其中包括前述的滤波器封装结构。
[0018]综上所述，本专利技术所提供的滤波器封装结构，利用选择预定高度的互连结构，以使顶盖与基板上的阻焊层紧密抵触，从而在塑封过程中由基板对顶盖提供支撑力，进而保证了滤波器芯片的性能，避免因为顶盖塌陷导致的良品率下降。
附图说明
[0019]图1为本专利技术第一实施例中，滤波器封装结构中的裸芯片的结构示意图；图2为本专利技术第一实施例中，滤波器封装结构的结构示意图；图3（a）为图1中的裸芯片的仰视示意图；图3（b）为图2中的基板的俯视示意图；图4（a）为本专利技术第二实施例中，裸芯片的仰视示意图；图4（b）为本专利技术第二实施例中，滤波器封装结构中的基板的俯视示意图；图5为本专利技术第三实施例中，滤波器封装结构的制备方法流程图。
具体实施方式
[0020]下面结合附图和具体实施例对本专利技术的
技术实现思路
进行详细具体的说明。
[0021]<第一实施例>
如图1和图2所示，本专利技术第一实施例公开了一种滤波器封装结构，其包括基板1、裸芯片（Filter Die）2、位于裸芯片2上的金属电极3、支撑墙4、顶盖5、塑封层6以及互连结构7。
[0022]结合图3（a）所示，裸芯片2具有衬底（Functional Wafer）21、凸块22以及空腔24。其中，衬底21的朝向基板1的一面设置有金属电极3。凸块22围绕金属电极3设置在芯片朝向基板1的一面上。凸块22底部需进行凸块底部金属化（Under Bump Metallurgy，简称为UBM）工艺，使凸块22底部建立一层薄膜金属层221，以在后续与锡膏连接，用于实现芯片2和基板1的电连接。
[0023]在图3（a）所示的实施例中，多个圆形的凸块22分布在衬底2的外周，例如四个角。支撑墙4覆盖在衬底21上除凸块22之外的区域，并且呈空心圆柱状包覆凸块22外周，使得凸块22与金属电极3隔离。支撑墙4的高度小于或等于（优选为等于）凸块22的高度，以使凸块22能够贯通支撑墙4，并且伸入到焊接口53内。这样，当裸芯片2焊接到基板1时，多个凸块22能同时与位于焊接口53内的锡膏连接。
[0024]顶盖5覆盖在支撑墙4的下方（即支撑墙朝向基板的表面），跨接在金属电极3的下方以形成空腔24。而且，顶盖5上开设焊接口53以暴露出凸块22以及围绕凸块22的部分支撑墙4。换言之，顶盖5覆盖在支撑墙4下方，并且挡住金属电极3，但是允许凸块22和部分支撑墙4从焊接口53暴露出来。
[0025]金属电极3位于空腔24内。空腔24位于衬底21的下表面和顶盖5、支撑墙4之间，以保护金属电极3。
[0026]结合图3（b）和图2所示，基板1上与凸块22相对应的位置设有四个焊盘11，并且位于裸芯片在基板上的投影的轮廓线（图3（b）中的虚线）内部。焊盘11的形状大小与凸块22保持一致。基板1的表面覆盖有阻焊层12，其覆盖在除焊盘11之外的区域。在此，将基板1的朝向裸芯片2的衬底21的表面称为上表面。基板1可以是导线架、印刷电路板、层积式印刷电路板或其他形式的封装基板1，在此并不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器封装结构，其特征在于包括：基板，设有多个焊盘；裸芯片，包括衬底、凸块以及空腔，其中，所述衬底朝向所述基板的一面设置有金属电极、支撑墙以及顶盖，所述顶盖抵触在所述基板上；塑封层，包覆所述裸芯片和所述基板；互连结构，将所述凸块与所述焊盘连接；其中，所述支撑墙覆盖在所述衬底上除所述凸块和所述金属电极之外的区域；所述顶盖覆盖在所述支撑墙下方，并且开设焊接口使所述凸块暴露出来，以与所述互连结构连接。2.如权利要求1所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述顶盖与所述基板的阻焊层的高度之和等于所述互连结构在焊接后的高度。3.如权利要求2所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述凸块贯穿所述支撑墙并且介入所述焊接口内。4.如权利要求3所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述凸块利用底部金属化工艺形成金属层，以与所述互连结构连接。5.如权利要求3所述的滤波器封装结构，其特征在于：所述焊盘从所述阻焊层暴露出来，并与所述焊接口对齐；所述互连结构位于所述焊接口内，并连接对应的所述凸块和所述焊盘。6.一种权利要求1～5中任意一项所述滤波器封装结构的制备方法，其特征在于包括以下步骤：在基板上用于焊接裸芯片的焊盘上，形成具有预定高度的互连结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立筠，宁世朝，李源梁，白云芳，
申请(专利权)人：唯捷创芯天津电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：