表面安装放大器装置制造方法及图纸

一种装置包括：包括中心法兰的封装主体，以及安装到表面安装装置的所述中心法兰的放大器模块。所述放大器模块包括安装到所述中心法兰的模块基板。所述模块基板包括第一管芯安装窗口、所述模块基板的第一表面上的第一电路系统、所述模块基板的所述第一表面上的第二电路系统和安装在所述中心法兰上的第一放大器管芯。所述第一放大器管芯至少部分地设置在所述第一管芯安装窗口内，并且所述第一放大器管芯电连接到所述第一电路系统和所述第二电路系统。所述第一电路系统电连接到所述封装主体的第一引线，并且所述第二电路系统电连接到所述封装主体的第二引线。述封装主体的第二引线。述封装主体的第二引线。

【技术实现步骤摘要】
表面安装放大器装置


[0001]本文描述的主题的实施例大体上涉及放大器，且更具体地，涉及封装在表面安装装置中的放大器。

技术介绍

[0002]在许多电子装置中能见到各种配置和架构的放大器。例如，在无线通信系统中，多尔蒂功率放大器普遍存在于蜂窝基站传输器中，这是因为已知多尔蒂功率放大器架构与其它类型的放大器相比能提高效率。
[0003]越来越高的工作频率(例如，在吉兆赫(GHz)范围内)、更高功率的操作和增加的系统小型化趋势对可能包括放大器装置的传统电子装置的设计提出了挑战，特别是在半导体封装设计领域中。随着频率和功率水平持续提高，需要有效的放大器实施方案，以便在热能积聚可能存在问题的低成本、小占用空间解决方案中实现高效率操作。类似地，在其它应用中，提供非放大器功能的电子装置在需要增加功率和工作频率同时提供小占用空间解决方案时可能面临类似的设计压力。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的一个方面，提供一种系统，包括：
[0005]系统基板，所述系统基板具有顶部系统基板表面；以及
[0006]耦合到所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种系统，其特征在于，包括：系统基板，所述系统基板具有顶部系统基板表面；以及耦合到所述顶部系统基板表面的表面安装装置，其中所述表面安装装置包括：中心热焊盘，和安装到所述表面安装装置的所述中心热焊盘的放大器模块，所述放大器模块包括：模块基板；安装到所述模块基板的第一表面的信号分配器，所述信号分配器被配置成在所述信号分配器的输入处接收射频(RF)输入信号并生成第一RF输出信号和第二RF输出信号；在第一管芯安装区中安装到所述模块基板的所述第一表面的载波放大器，所述载波放大器被配置成从所述信号分配器接收所述第一RF输出信号并生成第一放大RF输出信号；在第二管芯安装区中安装到所述模块基板的所述第一表面的峰化放大器，所述峰化放大器被配置成从所述信号分配器接收所述第二RF输出信号并生成第二放大RF输出信号；和在所述模块基板的所述第一表面上的组合节点，所述组合节点被配置成接收所述第一放大RF输出信号和所述第二放大RF输出信号，并且在所述放大器模块的输出端处生成放大器输出信号。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述模块基板另外包括：所述模块基板的第二表面上的第一着陆焊盘，所述模块基板的所述第二表面与所述模块基板的所述第一表面相对；以及所述模块基板的所述第二表面上的第二着陆焊盘，并且其中所述第一着陆焊盘电连接到所述表面安装装置的第一引线和所述信号分配器的所述输入，并且所述第二着陆焊盘电连接到所述表面安装装置的第二引线和所述放大器模块的所述输出端。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述模块基板包括从所述模块基板的所述第一表面延伸到所述模块基板的第二表面的导热沟槽，其中所述第二表面与所述第一表面相对，并且所述导热沟槽形成于所述第一管芯安装区和所述第二管芯安装区内。4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，所述载波放大器通过第一导热材料热耦合到所述第一管芯安装区内的所述导热沟槽，并且所述峰化放大器通过第二导热材料热耦合到所述第二管芯安装区内的所述导热沟槽。5.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李璐，李黎，拉克希米纳拉扬，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：