电源管理芯片及电源管理电路制造技术

本发明专利技术涉及一种电源管理芯片，包括微控制单元、隔离器、第一GaN直驱、第二GaN直驱、第一GaN开关、第二GaN开关、高端输入接口、低端输出接口和高频输出接口；隔离器的输入端与微控制单元的驱动控制信号输出端连接；第一GaN直驱的输入端与所述隔离器的第一输出端连接，输出端为第一驱动信号输出端；第二GaN直驱的输入端与所述隔离器的第二输出端连接，输出端为第二驱动信号输出端；第一GaN开关的栅极与第一驱动信号输出端连接；第二GaN开关的栅极与第二驱动信号输出端连接，第二GaN开关源极与第一GaN开关的源极连接，第一GaN开关的源极和第二GaN开关的漏极与高频输出接口连接。本发明专利技术能够发挥出氮化镓的高频特性，输出高频电功率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
电源管理芯片及电源管理电路


[0001]本专利技术涉及电源管理
，尤其是涉及一种电源管理芯片及电源管理电路。

技术介绍

[0002]氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带半导体具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等一系列优点，围绕氮化镓电源管理IC集成封装实施关键合封技术，开展自主开发与设计，结合稳压、功率半导体芯片实现高度集成，利用MCU的可编辑功能实现智能化、智慧化控制，利用GaN FET实现高频率、高可靠、小体积智能照明电源产品迭代升级与产业化，能够实现高度集成驱动电源管理IC，可应用于LED智能照明。
[0003]然而，现有的电源管理IC驱动比较单一，无法满足氮化镓功率器件所需的高驱动频率，难以发挥出氮化镓的高频特性的优势。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术的缺点与不足，提供一种电源管理芯片，能够为氮化镓功率器件提供高驱动频率，发挥出氮化镓的高频特性。
[0005]本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种电源管理芯片，其特征在于：包括微控制单元、隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电源管理芯片，其特征在于：包括微控制单元(11)、隔离器(12)、第一GaN直驱(131)、第二GaN直驱(132)、第一GaN开关(141)、第二GaN开关(142)、高端输入接口(D)、低端输出接口(S)和高频输出接口(A)；所述隔离器(12)的输入端与所述微控制单元(11)的驱动控制信号输出端(a1)连接；所述第一GaN直驱(131)的输入端与所述隔离器的第一输出端连接，输出端为第一驱动信号输出端；所述第二GaN直驱(132)的输入端与所述隔离器的第二输出端连接，输出端为第二驱动信号输出端；所述第一GaN开关(141)的栅极与所述第一驱动信号输出端连接，所述第一GaN开关(141)漏极与所述高端输入接口(D)连接；所述第二GaN开关(142)的栅极与所述第二驱动信号输出端连接，所述第二GaN开关(142)源极与所述第一GaN开关(141)的源极连接，所述第二GaN开关(142)源极与所述低端输出接口(S)连接，所述第一GaN开关(141)的源极和第二GaN开关(142)的漏极与所述高频输出接口(A)连接。2.根据权利要求1所述的电源管理芯片，其特征在于：所述第一GaN直驱(131)包括第一硅MOS驱动器(1311)和第一硅MOS(1312)，所述第一硅MOS驱动器(1311)的输入端与所述隔离器(12)的第一输出端连接；所述第一硅MOS驱动器(1311)用于驱动所述第一硅MOS(1312)，所述第一硅MOS(1312)的输出端为所述第一驱动信号输出端；所述第二GaN直驱(132)包括第二硅MOS驱动器(1321)和第二硅MOS(1322)，所述第二硅MOS驱动器(1321)的输入端与所述隔离器(12)的第二输出端连接；所述第二硅MOS驱动器(1321)用于驱动所述第二硅MOS(1322)，所述第二硅MOS(1322)的输出端为所述第二驱动信号输出端。3.根据权利要求1所述的电源管理芯片，其特征在于：还包括反馈电压接口(I/O)，所述反馈电压接口(I/O)用于接收负载的反馈电压，所述微控制单元(11)包括反馈电压输入端(a2)，所述反馈电压输入端(a2)与所述反馈电压接口(I/O)连接；当所述反馈电压低于一预设电压时，所述微控制单元(11)调节所述驱动控制信号，使所述第一GaN开关(141)和第二GaN开关(142)输出的高频电功率增大；当所述反馈电压高于一预设电压时，所述微控制单元(11)调节所述驱动控制信号，使所述第一GaN开关(141)和第二GaN开关(142)输出的高频电功率减小。4.根据权利要求1所述的电源管理芯片，其特征在于：还包括脉宽调制接口(PWM)，所述微控制单元(11)还具有脉宽调制信号输出端；还包括PWM单元(15)，所述PWM单元(15)的输入端与所述脉宽调制控制信号输出端(a5)连接，所述PWM单元(15)的输出端与所述脉宽调制接口(PWM)连接，所述PWM单元(15)用于根据所述脉宽调制控制信号输出脉宽调制信号。5.根据权利要求1所述的电源管理芯片，其特征在于：还包括近场通信接口(NFC)、NFC开关(16)和NFC单元(17)，所述微控制单元(11)还具有NFC控制端(a6)和NFC信号接收端(a7)；所述NFC开关(16)与所述NFC控制端(a6)以及所述近场通信接口(NFC)连接；所述NFC单元(17)连接于所述NFC开关(16)和所述NFC信号接收端(a7)之间，所述NFC单
元(17)用于将经过所述NFC开关(16)的NFC信号传输至所述NFC信号接收端(a7)，所述微控制单元(11)在接收所述NFC信号后控制所述NFC开关(16)关断。6.根据权利要求1所述的电源管理芯片，其特征在于：还包括PI编程单元(18)和PI芯片(19)，所述微控制单元(11)还具有PI传输端(a8)，所述PI芯片(19)连接于所述PI编程单元(18)和所述PI传输端(a8)之间，所述PI芯片(19)中设置有PI协议。7.一种电源管理电路，其特征在于：包括电源管理芯片(10)、输入整流电路(20)、和变压输出电路(30)，所述电源管理芯片(10)包括微控制单元(11)、隔离器(12)、第一GaN直驱(131)、第二GaN直驱(132)、第一GaN开关(141)、第二GaN开关(142)、高端输入接口(D)、低端输出接口(S)和高频输出接口(A...

【专利技术属性】
技术研发人员：成年斌，袁海龙，蒙求恩，高文健，谢健兴，李丹伟，梁丽芳，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：